如圖(a)所示,為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應(yīng)強度特性曲線,測試時,磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同.

(1)試結(jié)合圖(a)簡要回答,磁感應(yīng)強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點   
(2)某同學(xué)想利用磁敏電阻圖(a)所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場,設(shè)計電路如圖(b)所示,磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接,長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流,請指出本實驗裝置的錯誤之處   
若裝置調(diào)整正確后再進行測量,電路中所用干電池的電動勢為1.5V,不計電池、電流表的內(nèi)阻,試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強度B從0.4T至1.2T的變化過程中,通過磁敏電阻的電流強度IA隨磁感應(yīng)強度B變化的關(guān)系式:   
【答案】分析:(1)分析圖(a)所示圖象,找出電阻隨磁感應(yīng)強度變化的關(guān)系,然后答題.
(2)實驗時磁場方向應(yīng)與磁敏電阻的軸向方向相同,由安培定則判斷磁場方向與磁敏電阻軸向方向間的關(guān)系,
然后答題;由圖(a)求出磁敏電阻隨磁感應(yīng)強度變化的關(guān)系,然后由歐姆定律求出通過磁敏電阻的電流.
解答:解:(1)由圖(a)所示圖象可知,磁感應(yīng)強度B在0~0.2T,磁敏電阻隨磁場非線性增大,
0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場線性增大;
(2)由安培定則可知,磁場方向與磁敏電阻軸向垂直,這是錯誤的,磁場方向應(yīng)與磁敏電阻軸向平行;
由(a)可知,在B從0.4T至1.2T的變化過程中,R與B是一次函數(shù)關(guān)系,設(shè)R與B的關(guān)系為R=R+kB,
由(a)可知:B=0.8T時,磁敏電阻R=15000Ω,
B′=1.2T時,R′=24000Ω,將它們代入R=R+kB,
可得:15000=R+0.8k,24000=R+1.2k,
解得k=22500Ω/T,R=3000Ω,則R=22500B-3000,
由歐姆定律可得,通過磁敏電阻的電流強度IA隨磁感應(yīng)強度B變化的關(guān)系為:
IA==;
故答案為:(1)磁感應(yīng)強度B在0~0.2T,磁敏電阻隨磁場非線性增大,
0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場線性增大;
(2)磁敏電阻的軸向方向與磁場方向不相同;IA=
點評:本題是一道圖象題,分析清楚圖象,由圖象獲得所需信息是正確解題的關(guān)鍵.
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如圖(a)所示,為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應(yīng)強度特性曲線,測試時,磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同.
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(1)試結(jié)合圖(a)簡要回答,磁感應(yīng)強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點
 

(2)某同學(xué)想利用磁敏電阻圖(a)所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場,設(shè)計電路如圖(b)所示,磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接,長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流,請指出本實驗裝置的錯誤之處
 

若裝置調(diào)整正確后再進行測量,電路中所用干電池的電動勢為1.5V,不計電池、電流表的內(nèi)阻,試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強度B從0.4T至1.2T的變化過程中,通過磁敏電阻的電流強度IA隨磁感應(yīng)強度B變化的關(guān)系式:
 

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年上海市虹口區(qū)高考一模物理試卷(帶解析) 題型:實驗題

(6分)如圖(a)所示,為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應(yīng)強度特性曲線,測試時,磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同。

(1)試結(jié)合圖(a)簡要回答,磁感應(yīng)強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點:_______________________________________________________________
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(2)某同學(xué)想利用磁敏電阻圖(a)所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場,設(shè)計電路如圖(b)所示,磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接,長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流,請指出本實驗裝置的錯誤之處_______________________________________。
若裝置調(diào)整正確后再進行測量,電路中所用干電池的電動勢為1.5V,不計電池、電流表的內(nèi)阻,試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強度B從0.4T至1.2T的變化過程中,通過磁敏電阻的電流強度IA隨磁感應(yīng)強度B變化的關(guān)系式:______________________。

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年上海市虹口區(qū)高考一模物理試卷(解析版) 題型:實驗題

(6分)如圖(a)所示,為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應(yīng)強度特性曲線,測試時,磁敏電阻的軸向方向與磁場方向相同。

(1)試結(jié)合圖(a)簡要回答,磁感應(yīng)強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻的阻值隨磁場變化的特點:_______________________________________________________________

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(2)某同學(xué)想利用磁敏電阻圖(a)所示特性曲線測試某長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場,設(shè)計電路如圖(b)所示,磁敏電阻與電鍵、電源和靈敏電流表連接,長直導(dǎo)線與圖示電路共面并通以圖示電流,請指出本實驗裝置的錯誤之處_______________________________________。

若裝置調(diào)整正確后再進行測量,電路中所用干電池的電動勢為1.5V,不計電池、電流表的內(nèi)阻,試寫出磁敏電阻所在磁場的磁感應(yīng)強度B從0.4T至1.2T的變化過程中,通過磁敏電阻的電流強度IA隨磁感應(yīng)強度B變化的關(guān)系式:______________________。

 

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科目:高中物理 來源:廣東省高考真題 題型:計算題

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(1)若兩狹縫平行且盤靜止(如圖(c)),某一粒子進入磁場后,豎直向下打在感光板中心點M上,求該粒子在磁場中運動的時間t;
(2)若兩狹縫夾角為θ0,盤勻速轉(zhuǎn)動,轉(zhuǎn)動方向如圖(b)要使穿過N1、N2的粒子均打到感光板P1P2連線上,試分析盤轉(zhuǎn)動角速度ω的取值范圍(設(shè)通過N1的所有粒子在盤旋轉(zhuǎn)一圈的時間內(nèi)都能到達(dá)N2)。

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