A. | ab邊剛進(jìn)入磁場時所受的安培力大小為$\frac{2}{3}$mg | |
B. | ab邊剛進(jìn)入磁場時的速度大小為v=$\frac{4mgR}{3{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
C. | 線框進(jìn)入磁場的過程中,產(chǎn)生的熱量為mgH | |
D. | 線框穿過整個磁場區(qū)域的過程中,產(chǎn)生的熱量為2mgH |
分析 由題,ab邊剛穿出磁場時線框恰好做勻速運動,安培力與重力平衡,由平衡條件和安培力公式F=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}V}{R}$,可求出此時線框的速度,cd邊進(jìn)入磁場后到ab邊剛穿出磁場過程,線框的磁通量不變,沒有感應(yīng)電流產(chǎn)生;從線框開始下落到整個線框全部穿出磁場的過程,線框的重力勢能減小轉(zhuǎn)化為線框的動能和電路的內(nèi)能,由能量守恒定律求解焦耳熱.
解答 解:A、ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛出磁場時,由牛頓第二定律可得:
F-mg=m•$\frac{1}{3}$g,
所以:F=$\frac{4}{3}mg$.故A錯誤;
B、ab邊剛進(jìn)入磁場時產(chǎn)生的電動勢:E=BLv
安培力:F=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}V}{R}$
解得:v=$\frac{4mgR}{3{B}^{2}{L}^{2}}$.故B正確;
C、線框進(jìn)入磁場的過程中,由能量守恒可得:
mgL+$\frac{1}{2}$mv2-$\frac{1}{2}$mv′2=Q
解得:Q=mgL+mg(H-L)=mgH.故C正確;
D、由題,ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛穿出磁場時線框都做減速運動,加速度大小都為$\frac{1}{3}$g.則在ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛穿出磁場時線框的速度都是$\frac{4mgR}{3{B}^{2}{L}^{2}}$,所以在ab邊剛進(jìn)入磁場時到ab邊剛穿出磁場的過程中線框克服安培力做的功與重力做的功大小相等,即線框進(jìn)入磁場的過程中克服安培力做的功為:W=mgH
彈力,由于在ab邊剛進(jìn)入磁場時和ab邊剛穿出磁場時線框的速度相等,過程相似,可知線框出磁場的過程中克服安培力做的功也等于mgH,所以線框穿過整個磁場區(qū)域的過程中,克服安培力做的功是2mgH,所以產(chǎn)生的熱量為2mgH.故D正確.
故選:BCD
點評 本題首先要正確分析線框的運動情況,會推導(dǎo)安培力的表達(dá)式,把握能量是如何轉(zhuǎn)化的.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在任意1s內(nèi)末速度比初速度大2m/s | |
B. | 第ns的速度比第1s初的速度大2nm/s | |
C. | 2s末速度是1s末速度的2倍 | |
D. | ns時的速度是$\frac{n}{2}$s時速度的2倍 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一倍焦距與兩倍焦距之間 | B. | 兩倍焦距之外 | ||
C. | 無窮遠(yuǎn)處 | D. | 兩倍焦距處 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 最終人和長木板會翻下臺面 | |
B. | 會不會翻下臺面跟人與長木板的質(zhì)量關(guān)系有關(guān) | |
C. | 會不會翻出臺面跟長木板開始伸出臺面的長度有關(guān) | |
D. | 無論什么情況,人和長木板不會翻下臺面 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 仍能保持水平方向平衡 | B. | 左端向上翹起,右端向下降 | ||
C. | 右端向上翹起,左端向下降低 | D. | 以上三種現(xiàn)象均可能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電荷之間的相互作用,是通過電場來發(fā)生的 | |
B. | 電場實際上并不存在,是人們想象中的一種東西 | |
C. | 電場強(qiáng)度是描述電場的力的性質(zhì)的物理量,它與試探電荷所受電場力有關(guān) | |
D. | 電場強(qiáng)度的方向就是電荷在電場中所受電場力的方向 |
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