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導體框架abcd構成的平面與水平面成θ角,質量為m的導體棒PQ與導體軌道ad、bc接觸良好而且相互垂直.軌道ad、bc平行,間距為L.abQp回路的面積為S,總電阻為R且保持不變.勻強磁場方向垂直框架平面斜向上,其變化規(guī)律如圖乙所示.導體棒PQ始終處于靜止狀態(tài),圖乙中為0己知量,B0足夠大,則(  ) 
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A.產生感應電流時,導體棒ab中的電流方向為由P到Q
B.產生感應電流時,感應電流為恒定電流
C.產生感應電流時,導體棒受到的安培力為恒力
D.PQ恰好不受摩擦力時,磁感應強度的大小為
mgRcosθ
LS
A、當磁場發(fā)生變化時,穿過導體棒構成的線圈磁通量在變小,所以產生感應電流方向為PabQP時,即導體棒ab中的電流方向為Q到P,由于磁場在均勻減小,則感應電流大小恒定不變,故A錯誤;
B、當磁場發(fā)生變化時,穿過導體棒構成的線圈磁通量在變小,所以產生感應電流方向為PabQP時,即導體棒ab中的電流方向為Q到P,由于磁場在均勻減小,則感應電流大小恒定不變,故B正確;
C、當磁場發(fā)生變化時,穿過導體棒構成的線圈磁通量在變小,所以產生感應電流方向為PabQP時,即導體棒ab中的電流方向為Q到P,由于磁場在均勻減小,則感應電流大小恒定不變,但由F=BIL得,安培力隨著磁場變化而變化.故C錯誤;
D、PQ恰好不受摩擦力時,則導體棒受到重力、支持力與安培力處于平衡狀態(tài).由平衡條件可得安培力大小為mgsinθ,而F=BIL,I=
E
R
,E=
△B
△t
s
,所以磁感應強度大小為
mgRcosθ
LS
.故D正確;
故選:BD
練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

導體框架abcd構成的平面與水平面成θ角,質量為m的導體棒PQ與導體軌道ad、bc接觸良好而且相互垂直.軌道ad、bc平行,間距為L.abQp回路的面積為S,總電阻為R且保持不變.勻強磁場方向垂直框架平面斜向上,其變化規(guī)律如圖乙所示.導體棒PQ始終處于靜止狀態(tài),圖乙中為0己知量,B0足夠大,則( 。 

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導體框架abcd構成的平面與水平面成θ角,質量為m的導體棒PQ與導體軌道ad、bc接觸良好而且相互垂直.軌道ad、bc平行,間距為L.abQp回路的面積為S,總電阻為R且保持不變.勻強磁場方向垂直框架平面斜向上,其變化規(guī)律如圖乙所示.導體棒PQ始終處于靜止狀態(tài),圖乙中為0己知量,B足夠大,則( ) 
A.產生感應電流時,導體棒ab中的電流方向為由P到Q
B.產生感應電流時,感應電流為恒定電流
C.產生感應電流時,導體棒受到的安培力為恒力
D.PQ恰好不受摩擦力時,磁感應強度的大小為

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科目:高中物理 來源:2010-2011學年高二(上)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

導體框架abcd構成的平面與水平面成θ角,質量為m的導體棒PQ與導體軌道ad、bc接觸良好而且相互垂直.軌道ad、bc平行,間距為L.abQp回路的面積為S,總電阻為R且保持不變.勻強磁場方向垂直框架平面斜向上,其變化規(guī)律如圖乙所示.導體棒PQ始終處于靜止狀態(tài),圖乙中為0己知量,B足夠大,則( ) 
A.產生感應電流時,導體棒ab中的電流方向為由P到Q
B.產生感應電流時,感應電流為恒定電流
C.產生感應電流時,導體棒受到的安培力為恒力
D.PQ恰好不受摩擦力時,磁感應強度的大小為

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科目:高中物理 來源:(新課標)2009-2010學年度高三上學期物理單元測試9-電磁感應、交變電流 題型:選擇題

 導體框架abcd構成的平面與水平面成角,質量為m的導體棒PQ與導體軌道、 接觸良好而且相互垂直。軌道、平行,間距為L回路的面積為S,總電阻為R且保持不變。勻強磁場方向垂直框架平面斜向上,其變化規(guī)律如圖乙所示。從開始,導體棒PQ始終處于靜止狀態(tài),圖乙中為已知量,足夠大,則  (    )

    A.產生感應電流時,導體棒PQ中的電流方向為由PQ

    B.產生感應電流時,感應電流為恒定電流

    C.產生感應電流時,導體棒PQ受到的安培力為恒力

    D.PQ恰好不受摩擦力時,磁感應強度的大小為

 

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