如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好的金屬氣缸靜放在水平面上,活塞與氣缸壁間的摩擦不計(jì)。氣缸內(nèi)封閉了一定質(zhì)量的理想氣體,F(xiàn)緩慢地向活塞上倒一定質(zhì)量的沙土,忽略環(huán)境溫度的變化,在此過程中____

A.氣體的內(nèi)能增大            B.氣缸內(nèi)分子平均動能增大

C.氣缸內(nèi)氣體分子密度增大    D.單位時(shí)間內(nèi)撞擊氣缸壁單位面積上的分子數(shù)增多

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好的金屬氣缸靜放在水平面上,活塞與氣缸壁間的摩擦不計(jì).氣缸內(nèi)封閉了一定質(zhì)量的氣體,氣體分子間的相互作用不計(jì).現(xiàn)緩慢地向活塞上倒一定質(zhì)量的沙土,忽略環(huán)境溫度的變化,在此過程中(  )

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好的金屬氣缸放置在水平面上,氣缸內(nèi)封閉了一定質(zhì)量的理想氣體.現(xiàn)緩慢地在活塞上堆放一定質(zhì)量的沙土,忽略環(huán)境溫度的變化,活塞與氣缸壁間的摩擦不計(jì).在此過程中( 。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(選修模塊3-3)
(1)如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好的金屬氣缸靜放在水平面上,活塞與氣缸壁間的摩擦不計(jì).氣缸內(nèi)封閉了一定質(zhì)量的理想氣體.現(xiàn)緩慢地向活塞上倒一定質(zhì)量的沙土,忽略環(huán)境溫度的變化,在此過程中
CD
CD

A.氣體的內(nèi)能增大
B.氣缸內(nèi)分子平均動能增大
C.氣缸內(nèi)氣體分子密度增大
D.單位時(shí)間內(nèi)撞擊氣缸壁單位面積上的分子數(shù)增多
(2)下列說法中正確的是
AD
AD

A.布朗運(yùn)動是分子永不停息無規(guī)則運(yùn)動的反映
B.氣體分子間距離減小時(shí),分子間同時(shí)存在的斥力減小,引力也減小
C.導(dǎo)熱性能各向同性的固體,一定不是單晶體
D.毛細(xì)現(xiàn)象表現(xiàn)為:浸潤細(xì)管的液體在細(xì)管中上升、不浸潤細(xì)管的液體在細(xì)管中下降
(3)地面上放一開口向上的氣缸,用一質(zhì)量為m=0.8kg的活塞封閉一定質(zhì)量的氣體,不計(jì)一切摩擦,外界大氣壓為P0=1.0×105Pa,活塞截面積為S=4cm2,重力加速度g取10m/s2,則活塞靜止時(shí),氣體的壓強(qiáng)為
1.2×105
1.2×105
Pa;若用力向下推活塞而壓縮氣體,對氣體做功為6×105J,同時(shí)氣體通過氣缸向外傳熱4.2×105J,則氣體內(nèi)能將
增加
增加
(填“增加”“減少”)
1.8×105
1.8×105
J.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好、內(nèi)壁光滑的氣缸豎直放置,在距氣缸底部l=36cm處有一與氣缸固定連接的卡環(huán),活塞與氣缸底部之間封閉了一定質(zhì)量的氣體.當(dāng)氣體的溫度T0=300K、大氣壓強(qiáng)p0=1.0×105Pa時(shí),活塞與氣缸底部之間的距離l0=30cm,不計(jì)活塞的質(zhì)量和厚度.現(xiàn)對氣缸加熱,使活塞緩慢上升,求:
①活塞剛到卡環(huán)處時(shí)封閉氣體的溫度T1
②封閉氣體溫度升高到T2=540K時(shí)的壓強(qiáng)p2

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?常德模擬)如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好、內(nèi)壁光滑的氣缸水平放置,橫截面積為S=2×10-3m2、質(zhì)量為m=2kg,厚度不計(jì)的活塞與氣缸底部之間封閉了一部分理想氣體,此時(shí)活塞與氣缸底部之間的距離為33cm,在活塞的右側(cè)11cm處有一對與氣缸固定連接的卡環(huán),氣體的溫度為300K,大氣壓強(qiáng)P0=1.0×105Pa.現(xiàn)將氣缸開口向上豎直放置,取g=10m/s2.求:
①活塞與氣缸底部之間的距離;
②將缸內(nèi)氣體加熱到600K時(shí)氣體的壓強(qiáng).

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案