強(qiáng)磁場(chǎng),區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下,磁場(chǎng)的寬度均為L(zhǎng),一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)也為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框,由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)時(shí),恰好做勻速直線運(yùn)動(dòng);當(dāng)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框速度為v2.從ab進(jìn)入GH,到ab下滑至MN與JP的中間位置的過程中,求:
(1)ab邊剛越過CH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)時(shí)的速度大小v1
(2)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框的加速度大。
(3)這一過程線框產(chǎn)生的內(nèi)能.

【答案】分析:(1)ab邊剛越過CH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)時(shí)ab邊切割磁感線,產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),由E=BLv1,I=,安培力F=BIL,得安培力表達(dá)式F1=由平衡條件求出v1
(2)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框所受的安培力大小為F2=BI2L,I2=,得F2=2,由牛頓第二定律求出加速度.
(3)從ab進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ至ab運(yùn)動(dòng)到JP與MN中間位置的過程中,線框的機(jī)械能減少轉(zhuǎn)化為電能,由能量守恒求解這一過程線框產(chǎn)生的內(nèi)能.
解答:解:(1)當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)時(shí):E=BLv1,I=,安培力F=BIL,則得
  安培力表達(dá)式F1=
由于線框勻速運(yùn)動(dòng),則有
  mgsinθ=
解得v1=
(2)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),ab和cd兩邊都切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),電路中總電動(dòng)勢(shì)為 E=2BLv2
安培力大小為F2=BI2L,I2=,得F2=2,
根據(jù)牛頓第二定律得
  2F2-mgsinθ=ma
解得,a=-gsinθ
(3)從ab進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ至ab運(yùn)動(dòng)到JP與MN中間位置的過程中,線框的機(jī)械能減少轉(zhuǎn)化為電能,由能量守恒得
   +Q=mg(L+L)sinθ
解得  Q=-
答:
(1)ab邊剛越過CH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)時(shí)的速度大小v1
(2)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框的加速度大小是-gsinθ.
(3)這一過程線框產(chǎn)生的內(nèi)能是-
點(diǎn)評(píng):本題是電磁感應(yīng)與力學(xué)知識(shí)的綜合,安培力是聯(lián)系力學(xué)與電磁感應(yīng)的橋梁,要能根據(jù)法拉第定律、歐姆定律和安培力公式推導(dǎo)出安培力與速度的關(guān)系式.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

在如圖所示的傾角為θ的光滑斜面上,存在著兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下,磁場(chǎng)的寬度均為L(zhǎng),一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)也為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框,由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ區(qū)時(shí),恰好以速度 v1做勻速直線運(yùn)動(dòng);當(dāng)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框又恰好以速度v2做勻速直線運(yùn)動(dòng),從ab進(jìn)入GH到MN與JP的中間位置的過程中,線框的動(dòng)能變化量大小為△Ek,重力對(duì)線框做功大小為W1,安培力對(duì)線框做功大小為W2,下列說法中正確的有(  )

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

強(qiáng)磁場(chǎng),區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下,磁場(chǎng)的寬度均為L(zhǎng),一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)也為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框,由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)時(shí),恰好做勻速直線運(yùn)動(dòng);當(dāng)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框速度為v2.從ab進(jìn)入GH,到ab下滑至MN與JP的中間位置的過程中,求:
(1)ab邊剛越過CH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)時(shí)的速度大小v1
(2)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框的加速度大小.
(3)這一過程線框產(chǎn)生的內(nèi)能.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?煙臺(tái)二模)在如圖所示傾角為θ的光滑斜面上,存在著兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下,磁場(chǎng)的寬度均為L(zhǎng).一質(zhì)量為m.電阻為R、邊長(zhǎng)為
L
2
的正方形導(dǎo)線框,在沿平行斜面向下的拉力F作用下由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場(chǎng)I時(shí),恰好做勻速直線運(yùn)動(dòng),下列說法中正確的有(重力加速度為g)( 。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)在如圖所示的傾角為θ的光滑斜面上,存在著兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下,磁場(chǎng)的寬度均為L(zhǎng),一個(gè)質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)也為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)線框,由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ區(qū)時(shí),恰好以速度 v1做勻速直線運(yùn)動(dòng);當(dāng)ab邊下滑到JP與MN的中間位置時(shí),線框又恰好以速度v2做勻速直線運(yùn)動(dòng),從ab進(jìn)入GH到MN與JP的中間位置的過程中,線框的動(dòng)能變化量大小為△Ek,重力對(duì)線框做功的絕對(duì)值為W1,安培力對(duì)線框做功的絕對(duì)值為W2,下列說法中正確的有(  )
A、v2=4v1B、v2=v1C、從ab進(jìn)入GH到MN與JP的中間位置的過程中,機(jī)械能減小了W2D、從ab進(jìn)入GH到MN與JP的中間位置的過程中,線框動(dòng)能的變化量大小為△Ek=W2-W1

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

在如圖所示傾角為θ的光滑斜面上,存在著兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上,區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下,磁場(chǎng)的寬度均為L(zhǎng).一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為的正方形導(dǎo)線框,在沿平行斜面向下的拉力F作用下由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)ab邊剛越過GH進(jìn)入磁場(chǎng)I時(shí),恰好做勻速直線運(yùn)動(dòng),下列說法中正確的有(重力加速度為g)

   A.從線圈的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)I到線圈的dc邊剛要離開磁場(chǎng)II的過程中,線圈ab邊中產(chǎn)生的感應(yīng)電流先沿b→a方向再沿a→b方向

    B.線圈進(jìn)入磁場(chǎng)I過程和離開磁場(chǎng)II過程所受安培力方向都平行斜面向上

    C.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)I時(shí)的速度大小為

    D.線圈進(jìn)入磁場(chǎng)I做勻速運(yùn)動(dòng)的過程中,拉力F所做的功等于線圈克服安培力所做的功

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案