【題目】2018年2月13日，平昌冬奧會(huì)單板滑雪女子型場地決賽中，我國選手劉佳宇榮獲亞軍，為我國奪得首枚獎(jiǎng)牌.如圖為型池模型，其中為型池兩側(cè)邊緣，為型池最低點(diǎn)，型池軌道各處粗糙程度相同.一小球在池邊高處自由下落由左側(cè)進(jìn)入池中，從右側(cè)飛出后上升的最大高度為，下列說法正確的是（ ）

A.小球再次進(jìn)入池中后，能夠沖出左側(cè)邊緣然后返回

B.小球再次進(jìn)入池中后，剛好到達(dá)左側(cè)邊緣然后返回

C.由到過程與由到過程相比，小球損耗的機(jī)械能相同

D.由到過程與由到過程相比，前一過程小球損耗的機(jī)械能較小

【答案】A

【解析】

AB、小球在高處自由下落由型池左側(cè)進(jìn)入池中，從右側(cè)飛出后上升的最大高度為，根據(jù)動(dòng)能定理有，解得，從點(diǎn)進(jìn)入池中后，由于小球經(jīng)過每一個(gè)對(duì)應(yīng)的位置時(shí)速度都比第一次小，小球所受摩擦力小于第一次所受的摩擦力，所以第二次在池中運(yùn)動(dòng)克服摩擦力做的功小球，小球能夠沖出左側(cè)邊緣然后返回，故選項(xiàng)A正確，B錯(cuò)誤；

CD、由到過程與由到過程相比，每一個(gè)對(duì)稱的位置，由到過程小球所受摩擦力都比由到過程所受摩擦力大，所以小球由到過程與由到過程相比，前一過程小球損耗的機(jī)械能較大，故選項(xiàng)C、D錯(cuò)誤．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在如圖所示的電路中，燈泡L的電阻大于電源的內(nèi)阻r，閉合電鍵S，將滑動(dòng)變阻器滑片P向左移動(dòng)一段距離后，（電壓表和電流表均視為理想）下列結(jié)論正確的是（ ）

A.燈泡L變亮

B.電源的輸出功率變小

C.電流表讀數(shù)變大

D.電容器C上電荷量減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下面說法正確的是（ ）

A.根據(jù)磁感應(yīng)強(qiáng)度定義式，磁場中某點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B與F成正比，與IL乘積成反比

B.磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向與小磁針N極所受磁場力的方向相同

C.一小段通電直導(dǎo)線在某處不受磁場力作用，則該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度一定為零

D.磁感線總是從磁鐵的N極出發(fā)，到S極終止

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示是研究光電管產(chǎn)生的電流的電路圖，A、K是光電管的兩個(gè)電極，已知該光電管陰極的極限頻率為ν0，元電荷為e，普朗克常量為h．現(xiàn)將頻率為ν(大于ν0)的光照射在陰極上，則下列方法一定能夠增加飽和光電流的是

A. 照射光強(qiáng)度不變，增加光的頻率

B. 照射光頻率不變，增加照射光強(qiáng)度

C. 增加A、K電極間的電壓

D. 減小A、K電極間的電壓

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】根據(jù)磁場對(duì)電流會(huì)產(chǎn)生作用力的原理，人們研制出一種新型的炮彈發(fā)射裝置--電磁炮，它的基本原理如圖所示，下列結(jié)論中正確的是（ ）

A. 要使炮彈沿導(dǎo)軌向右發(fā)射，必須通以自M向N的電流

B. 要想提高炮彈的發(fā)射速度，可適當(dāng)增大電流

C. 要想提高炮彈的發(fā)射速度，可適當(dāng)增大磁感應(yīng)強(qiáng)度

D. 使電流和磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向同時(shí)反向，炮彈的發(fā)射方向亦將隨之反向

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】我們通過實(shí)驗(yàn)可以探究感應(yīng)電流的產(chǎn)生條件，在下圖的實(shí)驗(yàn)中，線圈A通過滑動(dòng)變阻器和開關(guān)接到電源上，線圈B的兩端連接到電流表上，把線圈A裝在線圈B里面．通過實(shí)驗(yàn)，判斷線圈B中是否有電流產(chǎn)生．

（1）開關(guān)閉合的瞬間_____感應(yīng)電流產(chǎn)生（填“有”或“無”）

（2）開關(guān)總是閉合的，緩慢滑動(dòng)變阻器時(shí)，_____感應(yīng)電流產(chǎn)生（填“有”或“無”）

（3）斷開開關(guān)后，迅速移動(dòng)滑動(dòng)變阻器的滑片，_____感應(yīng)電流產(chǎn)生（填“有”或“無”）

（4）歸納以上實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，產(chǎn)生感應(yīng)電流的條件是_______________________________．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，兩根正對(duì)的平行金屬直軌道MN、MN位于同一水平面上，兩軌道之間的距離l = 0.50 m，軌道的MM′端之間接一阻值R = 0.40 Ω的定值電阻，NN′端與兩條位于豎直面內(nèi)的半圓形光滑金屬軌道NP、N′P′平滑連接，兩半圓軌道的半徑均為R0 = 0.50 m。直軌道的右端處于豎直向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度B = 0.5 T的勻強(qiáng)磁場中，磁場區(qū)域的寬度d = 0.80 m，且其右邊界與NN′重合。現(xiàn)有一質(zhì)量m = 0.20 kg、電阻r = 0.10 Ω的導(dǎo)體桿ab靜止在距磁場的左邊界s = 2.0 m處。在與桿垂直的水平恒力F = 2.0 N的作用下ab桿開始運(yùn)動(dòng)，當(dāng)運(yùn)動(dòng)至磁場的左邊界時(shí)撤去F，結(jié)果導(dǎo)體ab恰好能以最小速度通過半圓形軌道的最高點(diǎn)PP′。已知導(dǎo)體桿ab在運(yùn)動(dòng)過程中與軌道接觸良好，且始終與軌道垂直，導(dǎo)體桿ab與直軌道之間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ = 0.10，軌道的電阻可忽略不計(jì)，取g = 10 m/s2，求：

（1）導(dǎo)體桿剛進(jìn)入磁場時(shí)，通過導(dǎo)體桿上的電流大小和方向；

（2）導(dǎo)體桿穿過磁場的過程中通過電阻R上的電荷量；

（3）導(dǎo)體桿穿過磁場的過程中整個(gè)電路產(chǎn)生的焦耳熱。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在如圖所示的U－I圖象中，直線Ⅰ為某一電源的路端電壓與電流的關(guān)系圖線，直線Ⅱ?yàn)槟骋浑娮?/span>R的伏安特性曲線．用該電源直接與電阻R相連組成閉合電路，由圖象可知(　　)

A.電源的電動(dòng)勢為3V，內(nèi)阻為0.5Ω

B.電阻R的阻值為1Ω

C.電源的輸出功率為2W

D.電源的效率為66.7%

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】1993年，中國科學(xué)院上海原子核研究所制得了一種新的鉑元素的同位素.制取過程如下：

（1）用質(zhì)子轟擊鈹靶產(chǎn)生快中子；

（2）用快中子轟擊汞，反應(yīng)過程可能有兩種：

①生成，放出氦原子核；②生成，同時(shí)放出質(zhì)子、中子；

（3）生成的發(fā)生兩次衰變，變成穩(wěn)定的原子核.

寫出上述核反應(yīng)過程.

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