如圖所示為磁場(chǎng)中某區(qū)域的磁感線分布，則


  1. A.
    a、b兩處的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小不等，Ba＞Bb
  2. B.
    a、b兩處的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小不等，Ba＜Bb
  3. C.
    同一電流元放在a處受力可能比放在b處受力大
  4. D.
    同一電流元放在a處受力一定比放在b處受力小
BC
試題分析：AB、同一磁場(chǎng)中磁感線的疏密表示磁場(chǎng)的強(qiáng)弱，磁感線越密的地方磁場(chǎng)越強(qiáng)，磁感線越疏的地方磁場(chǎng)越弱。由圖A錯(cuò)誤；B正確
CD、同一電流元在磁場(chǎng)中某點(diǎn)受力的大小，除了與磁場(chǎng)強(qiáng)弱有關(guān)外，還與導(dǎo)線的方向有關(guān)．導(dǎo)線放入磁場(chǎng)中的方向不同，所受磁場(chǎng)力也不相同。所以，C正確，D錯(cuò)誤
故選BC
考點(diǎn)：對(duì)此感應(yīng)強(qiáng)度的理解
點(diǎn)評(píng)：容易題。定義式成立的條件是：通電導(dǎo)線必須垂直于磁場(chǎng)方向放置．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2005?廣東）如圖所示，在一個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，兩個(gè)方向相反且都垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在以直徑A2A4為邊界的兩個(gè)半圓形區(qū)域Ⅰ、Ⅱ中，A2A4與A1A3的夾角為60°．一質(zhì)量為m、帶電量為+q的粒子以某一速度從Ⅰ區(qū)的邊緣點(diǎn)A1處沿與A1A3成30°角的方向射入磁場(chǎng)，隨后該粒子以垂直于A2A4的方向經(jīng)過(guò)圓心O進(jìn)入Ⅱ區(qū)，最后再?gòu)腁4處射出磁場(chǎng)．已知該粒子從射入到射出磁場(chǎng)所用的時(shí)間為t，求Ⅰ區(qū)和Ⅱ區(qū)中磁感應(yīng)強(qiáng)度的大�。ê雎粤Ｗ又亓Γ�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2012?榕城區(qū)模擬）如圖所示，完全相同的金屬板P、Q帶等量異種電荷，用絕緣桿將其連成一平行正對(duì)的裝置，放在絕緣水平面上，其總質(zhì)量為M，兩板間距為d，板長(zhǎng)為2d，在P板中央位置處有一小孔．一質(zhì)量為m、電量為+q的粒子，從某一高度下落通過(guò)小孔后進(jìn)入PQ，恰能勻速運(yùn)動(dòng)．外部的電場(chǎng)可忽略，板間電場(chǎng)可視為勻強(qiáng)電場(chǎng)，重力加速度為g，求：
①PQ間電場(chǎng)強(qiáng)度及電勢(shì)差；
②粒子下落過(guò)程中，裝置對(duì)絕緣水平面的壓力；
③現(xiàn)給PQ間再加一垂直紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，要使粒子進(jìn)入PQ后不碰板飛出，則粒子應(yīng)距P板多高處自由下落？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，在-個(gè)圓形區(qū)域內(nèi)，兩個(gè)方向相反且都垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在以直徑A2A4為邊界的兩個(gè)半圓形區(qū)域I、II中，A2A4與A1A3的夾角為60°．-質(zhì)量為m、帶電量為+q的粒子以某-速度從I區(qū)的邊緣點(diǎn)A1處沿與A1A3成30°角的方向射入磁場(chǎng)，隨后該粒子以垂直于A2A4的方向經(jīng)過(guò)圓心O進(jìn)入II區(qū)，最后再?gòu)腁4處射出磁場(chǎng)．已知該粒子從射入到射出磁場(chǎng)所用的時(shí)間為t，（忽略粒子重力）．
求：（1）畫出粒子在磁場(chǎng)I和II中的運(yùn)動(dòng)軌跡；．
（2）粒子在磁場(chǎng)I和II中的軌道半徑r1和r2比值；
（3）I區(qū)和II區(qū)中磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小．

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科目：高中物理 來(lái)源：2011屆福建高考物理60天沖刺訓(xùn)練17：光學(xué)、原子物理綜合測(cè)試 題型：038

2007年3月1日，國(guó)家重大科學(xué)工程項(xiàng)目“EAST超導(dǎo)托卡馬克核聚變實(shí)驗(yàn)裝置”在合肥順利通過(guò)了國(guó)家發(fā)改委組織的國(guó)家竣工驗(yàn)收．作為核聚變研究的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，EAST可為未來(lái)的聚變反應(yīng)堆進(jìn)行較深入的工程和物理方面的探索，其目的是建成一個(gè)核聚變反應(yīng)堆，屆時(shí)從1升海水中提取氫的同位素氘，在這里和氚發(fā)生完全的核聚變反應(yīng)，釋放可利用能量相當(dāng)于燃燒300公升汽油所獲得的能量，這就相當(dāng)于人類為自己制造了一個(gè)小太陽(yáng)，可以得到無(wú)窮盡的清潔能源．作為核聚變研究的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，要持續(xù)發(fā)生熱核反應(yīng)，必須把溫度高達(dá)幾百萬(wàn)攝氏度以上的核材料約束在一定的空間內(nèi)，約束的辦法有多種，其中技術(shù)上相對(duì)較成熟的是用磁場(chǎng)約束核材料．如圖所示為EAST部分裝置的簡(jiǎn)化模型：垂直紙面的有環(huán)形邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)b區(qū)域，圍著磁感應(yīng)強(qiáng)度為零的圓形a區(qū)域，a區(qū)域內(nèi)的離子向各個(gè)方向運(yùn)動(dòng)，離子的速度只要不超過(guò)某值，就不能穿過(guò)環(huán)形磁場(chǎng)的外邊界而逃逸，從而被約束．設(shè)離子質(zhì)量為m，電荷量為q，環(huán)形磁場(chǎng)的內(nèi)半徑為R1，外半徑R2＝(1＋)R1

(1)將下列核反應(yīng)方程補(bǔ)充完整，指出哪個(gè)屬于核聚變方程．并求出聚變過(guò)程中釋放的核能E0．(已知的質(zhì)量為m2，H質(zhì)量為m3，α粒子的質(zhì)量為mα，n的質(zhì)量為mn，質(zhì)子質(zhì)量為mP，電子質(zhì)量為me，光速為C．)

A．(　　)

B．(　　)

C．(　　)

D．(　　)

(2)若要使從a區(qū)域沿任何方向，速率為v的離子射入磁場(chǎng)時(shí)都不能越出磁場(chǎng)的外邊界，則b區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度至少為多大？

(3)若b區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，離子從a區(qū)域中心O點(diǎn)沿半徑OM方向以某一速度射入b區(qū)，恰好不越出磁場(chǎng)的外邊界．請(qǐng)畫出在該情況下離子在a、b區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)一個(gè)周期的軌跡，并求出周期．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：閱讀理解

（17分）2007年3月1日，國(guó)家重大科學(xué)工程項(xiàng)目“EAST超導(dǎo)托卡馬克核聚變實(shí)驗(yàn)裝置”在合肥順利通過(guò)了國(guó)家發(fā)改委組織的國(guó)家竣工驗(yàn)收。作為核聚變研究的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，EAST可為未來(lái)的聚變反應(yīng)堆進(jìn)行較深入的工程和物理方面的探索，其目的是建成一個(gè)核聚變反應(yīng)堆，屆時(shí)從1升海水中提取氫的同位素氘，在這里和氚發(fā)生完全的核聚變反應(yīng)，釋放可利用能量相當(dāng)于燃燒300公升汽油所獲得的能量，這就相當(dāng)于人類為自己制造了一個(gè)小太陽(yáng)，可以得到無(wú)窮盡的清潔能源。作為核聚變研究的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，要持續(xù)發(fā)生熱核反應(yīng)，必須把溫度高達(dá)幾百萬(wàn)攝氏度以上的核材料約束在一定的空間內(nèi)，約束的辦法有多種，其中技術(shù)上相對(duì)較成熟的是用磁場(chǎng)約束核材料。如圖所示為EAST部分裝置的簡(jiǎn)化模型：垂直紙面的有環(huán)形邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)b區(qū)域，圍著磁感應(yīng)強(qiáng)度為零的圓形a區(qū)域，a區(qū)域內(nèi)的離子向各個(gè)方向運(yùn)動(dòng)，離子的速度只要不超過(guò)某值，就不能穿過(guò)環(huán)形磁場(chǎng)的外邊界而逃逸，從而被約束。設(shè)離子質(zhì)量為m，電荷量為q，環(huán)形磁場(chǎng)的內(nèi)半徑為R1，  外半徑R2 =（1+）R1。

（1）將下列核反應(yīng)方程補(bǔ)充完整，指出哪個(gè)屬于核聚變方程。并求出聚變過(guò)程中釋放的核能E0。已知H的質(zhì)量為m2，H的質(zhì)量為m3，α粒子的質(zhì)量為mα，的質(zhì)量為mn，質(zhì)子質(zhì)量為mP，電子質(zhì)量為me，光速為c。

A．（    ）            B．(    )

C．(    )               D．(    )

（2）若要使從a區(qū)域沿任何方向，速率為v的離子射入磁場(chǎng)時(shí)都不能越出磁場(chǎng)的外邊界，則b區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少為多大?

（3）若b區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，離子從a區(qū)域中心O點(diǎn)沿半徑OM方向以某一速度射入b區(qū)，恰好不越出磁場(chǎng)的外邊界。請(qǐng)畫出在該情況下離子在a、b區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)一個(gè)周期的軌跡，并求出周期T。

   

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