A. | 整個裝置因摩擦而消耗的熱功率為μmgvcosθ | |
B. | 整個裝置消耗的機(jī)械功率為(F+μmgcosθ)v | |
C. | 電阻R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{3}$ | |
D. | 電阻 R2消耗的熱功率為 $\frac{Fv}{4}$ |
分析 電阻R1、R2并聯(lián)與導(dǎo)體棒串聯(lián).由感應(yīng)電動勢公式E=BLv、歐姆定律、安培力公式,推導(dǎo)安培力與速度的關(guān)系式.由功率公式電阻的功率、熱功率及機(jī)械功率.
解答 解:A、整個裝置因摩擦而消耗的熱功率為:Pf=fv=μmgcosα•v=μmgvcosα,故A正確;
B、設(shè)ab長度為L,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,電阻R1=R2=R.電路中感應(yīng)電動勢E=BLv,ab中感應(yīng)電流為:
I=$\frac{E}{R+\frac{R}{2}}$=$\frac{2BLv}{3R}$,
ab所受安培力為:F=BIL=$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}v}{3R}$…①,
電阻R1消耗的熱功率為:P1=($\frac{1}{2}$I)2R=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{9R}$…②,
由①②得,P1=$\frac{1}{6}$Fv,電阻R1和R2阻值相等,它們消耗的電功率相等,則P1=P2=$\frac{1}{6}$Fv,
整個裝置消耗的機(jī)械功率為:P3=Fv+P2=(F+μmgcosα)v,故B正確,CD錯誤;
故選:AB.
點(diǎn)評 解決本題是根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律、歐姆定律推導(dǎo)出安培力與速度的表達(dá)式,結(jié)合功率公式和功能關(guān)系進(jìn)行分析.要注意安培力沿斜面方向,不影響摩擦力大。
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | b點(diǎn)的電勢為零,電場強(qiáng)度也為零 | |
B. | 正的試探電荷在a點(diǎn)的電勢能大于零,所受電場力方向向右 | |
C. | 將正的試探電荷從O點(diǎn)移到a點(diǎn),電勢能減少 | |
D. | 將同一正的試探電荷先后分別從O、b點(diǎn)移到a點(diǎn),第二次電勢能的變化較大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | D點(diǎn)在N點(diǎn)的上方 | |
B. | 運(yùn)動到P點(diǎn)的速度為$\sqrt{2gR}$ | |
C. | 從M到D的過程中,電勢能先減小后增大 | |
D. | 從P到D的過程中,動能減少量小于電勢能增加量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | +q在d點(diǎn)所受的電場力比在O點(diǎn)的大 | |
B. | +q在d點(diǎn)所具有的電勢能比在O點(diǎn)的大 | |
C. | d點(diǎn)的電場強(qiáng)度小于O點(diǎn)的電場強(qiáng)度 | |
D. | d點(diǎn)的電勢低于O點(diǎn)的電勢 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 每秒運(yùn)動3m | |
B. | 每經(jīng)過1s,其速度增大3m/s | |
C. | 每經(jīng)過1s,其速度增量的大小為3m/s | |
D. | 每經(jīng)過1s,其速度減小3m/s |
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