分析 小物塊相對(duì)于傳送帶運(yùn)動(dòng)時(shí),在傳送帶上留下痕跡等于兩者相對(duì)路程的大小,分析傳送帶速度與留下痕跡長(zhǎng)度的關(guān)系確定什么條件下痕跡最長(zhǎng),再由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求出傳送帶勻速運(yùn)動(dòng)的最小速度.
解答 解:(1)小物塊在傳送帶上,初始階段速度小于傳送帶向下的速度,相對(duì)傳送帶向上運(yùn)動(dòng),摩擦力向下,根據(jù)牛頓第二定律
mggsin30°+μmgcos30°=ma
得小物塊的加速度$a=gsin30°+μgcos30°=7.5m/{s}_{\;}^{2}$
傳送帶勻速運(yùn)動(dòng)的速度越大,小物塊從A點(diǎn)到B點(diǎn)用時(shí)越短,當(dāng)傳送帶速度等于某一值v′時(shí),小物塊將從A點(diǎn)一直以加速度a做勻加速直線運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn),所用時(shí)間最短,設(shè)用時(shí)${t}_{0}^{\;}$,即L=$\frac{1}{2}a{t}_{0}^{2}$
解得${t}_{0}^{\;}=1s$
傳送帶的速度要大于$a{t}_{0}^{\;}=7.5m/s$
傳送帶的速度繼續(xù)增大,小物塊從A到B的時(shí)間保持${t}_{0}^{\;}$不變,而小物塊和傳送帶之間的相對(duì)路程繼續(xù)增大,小物塊在傳送帶上留下的痕跡也繼續(xù)增大;當(dāng)痕跡長(zhǎng)度等于傳送帶周長(zhǎng)時(shí),痕跡為最長(zhǎng)${S}_{max}^{\;}$
設(shè)此時(shí)傳送帶的速度為${v}_{min}^{\;}$,則
${S}_{max}^{\;}=2L+2πR$
${S}_{max}^{\;}={v}_{min}^{\;}{t}_{0}^{\;}-L$
聯(lián)立得${v}_{min}^{\;}=12.25m/s$
所以痕跡最長(zhǎng)時(shí)傳送帶速度最小${v}_{min}^{\;}=12.25m/s$
答:傳送帶的速度至少為12.25m/s
點(diǎn)評(píng) 本題的關(guān)鍵之處在于分析五塊的運(yùn)動(dòng)情況,也可以通過作速度圖象分析.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 合運(yùn)動(dòng)一定指物體的實(shí)際運(yùn)動(dòng) | |
B. | 合運(yùn)動(dòng)的時(shí)間比分運(yùn)動(dòng)的時(shí)間長(zhǎng) | |
C. | 合運(yùn)動(dòng)與分運(yùn)動(dòng)的位移、速度、加速度的關(guān)系都一定滿足平行四邊形定則 | |
D. | 合運(yùn)動(dòng)與分運(yùn)動(dòng)是相對(duì)來說的,可以相互轉(zhuǎn)化 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 40 N | B. | 140 N | C. | 240 N | D. | 400 N |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 沿著電場(chǎng)線的方向移動(dòng)正電荷,電勢(shì)能一定增大 | |
B. | 沿著電場(chǎng)線的方向移動(dòng)正電荷,電勢(shì)能一定減少 | |
C. | 沿著電場(chǎng)線的方向移動(dòng)負(fù)電荷,電勢(shì)能一定減少 | |
D. | 沿著電場(chǎng)線的方向移動(dòng)負(fù)電荷,電勢(shì)能一定增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | t=0時(shí)刻,線圈平面與中性面垂直 | B. | t=0.01s時(shí)刻,磁通量最大 | ||
C. | 該交變電流的頻率為50Hz | D. | 該線圈轉(zhuǎn)動(dòng)角速度為100πrad/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | A 球吸收的熱量多 | B. | B 球吸收的熱量多 | ||
C. | A、B 球吸收的熱量一樣多 | D. | 不能確定吸收熱量的多少 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | r>r0時(shí),分子勢(shì)能不斷減小,分子間的斥力和引力都減小 | |
B. | r=r0時(shí),分子勢(shì)能為零,斥力大于引力 | |
C. | r<r0時(shí),分子勢(shì)能增大,分子間斥力大于引力 | |
D. | r<r0時(shí),達(dá)到最小值時(shí),分子勢(shì)能最大,分子力為斥力 |
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