【題目】某實驗小組為了探究碰撞中的不變量，在氣墊導軌中央放置一個滑塊Q，另一個滑塊P壓縮導軌左端彈簧片后被鎖定，滑塊 P 上安裝有遮光板 C，其右端粘上橡皮泥，導軌上適當位置安裝兩個光電門 A、B 記錄滑塊上遮光板 C分別通過兩光電門的時間，如圖（a）所示。解除滑塊 P 的鎖定，滑塊 P 被彈出與滑塊 Q 相碰后粘合在一起運動，P、Q 碰撞前、后的運動均為勻速直線運動。

（1）為了正常實驗和減小實驗誤差，下列操作必要的是_________

A．實驗前應將氣墊導軌調(diào)節(jié)水平

B．光電門 A 應該靠近滑塊 P

C．遮光板應適當加寬

D．滑塊 Q 上應安裝遮光板

（2）實驗小組用游標卡尺測得遮光板的寬度如圖（b）所示，其寬度為__________mm；實驗除了要記錄遮光板通過光電門的時間外，還應測定_____________________________。

【答案】AC 20.70 兩滑塊（包括橡皮泥和遮光板）的質(zhì)量

【解析】

（1）為了避免軌道傾斜對滑塊運動的影響，實驗前必須將氣墊導軌調(diào)節(jié)水平，A對；光電門A應設置在滑塊P勻速運動階段，因此不能靠近滑塊P，B錯；適當加寬遮光板可減小長度和時間測量誤差，C對；碰后滑塊Q與P一起運動，因此沒有必要在其上安裝遮光板，D錯。

（2）游標卡尺示數(shù)：20.00mm+14×0.05mm=20.70mm；碰撞中的守恒量是動量mv，測定遮光板寬度和遮光板通過光電門時間可計算此時速度，還需要測定兩滑塊（包括橡皮泥和遮光板）的質(zhì)量。

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，一水平放置的平行導體框?qū)挾?/span>L＝0.5m，接有R＝0.2Ω的電阻，磁感應強度B＝0.4T的勻強磁場垂直導軌平面方向向下，現(xiàn)有一導體棒ab跨放在框架上，并能無摩擦地沿框架滑動，框架及導體ab電阻不計，當ab以v＝4.0m/s的速度向右勻速滑動時，試求：

（1）導體ab上的感應電動勢的大小；

（2）導體ab上感應電流的大小和方向；

（3）電阻R上產(chǎn)生的熱功率多大？

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【題目】如圖所示，上端帶卡環(huán)的絕熱圓柱形汽缸豎直放置在水平地面上，汽缸內(nèi)部被質(zhì)量均為m的活塞A和活塞B分成高度相等的三個部分，下邊兩部分封閉有理想氣體P和Q，活塞A導熱性能良好，活塞B絕熱。兩活塞均與汽缸接觸良好，活塞厚度不計，忽略一切摩擦。汽缸下面有加熱裝置，初始狀態(tài)溫度均為T0，氣缸的截面積為S，外界大氣壓強大小為且保持不變，現(xiàn)對氣體Q緩慢加熱。求：

①當活塞A恰好到達汽缸上端卡口時，氣體Q的溫度T1；

②活塞A恰接觸汽缸上端卡口后，繼續(xù)給氣體Q加熱，當氣體P體積減為原來一半時，氣體Q的溫度T2。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】兩個電路元件L1和L2的伏安特性曲線如圖甲所示�，F(xiàn)把二者串聯(lián)起來接在直流電源上，電源內(nèi)阻為1Ω，如圖乙所示.閉合開關(guān)S后，電路中理想電流表A的讀數(shù)為0.2A，則電源的電動勢和元件L2此時的電功率分別是

A. 3V，0.8W B. 3.2V，0.8W C. 3V，0.4W D. 3.2V，0.4W

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】半導體內(nèi)導電的粒子——“載流子”有兩種：自由電子和空穴(空穴可視為能自由移動帶正電的粒子)，以空穴導電為主的半導體叫P型半導體，以自由電子導電為主的半導體叫N型半導體。圖為檢驗半導體材料的類型和對材料性能進行測試的原理圖，圖中一塊長為a、寬為b、厚為c的半導體樣品板放在沿y軸正方向的勻強磁場中，磁感應強度大小為B。當有大小為I、沿x軸正方向的恒定電流通過樣品板時，會產(chǎn)生霍爾電勢差U，若每個載流子所帶電量的絕對值為e，下列說法中正確的是

A. 如果上表面電勢高，則該半導體為P型半導體

B. 如果上表面電勢高，則該半導體為N型半導體

C. 其它條件不變，增大c時，U增大

D. 其它條件不變，電流I取值越大，電勢差U越大

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在xOy豎直平面內(nèi)存在水平方向的勻強磁場，磁感應強度為；粗糙細桿abc在b處彎出長度可忽略的一小段圓弧，ab段長度為l0，與水平方向成37°角，bc段在水平x軸上，c端處在坐標原點O。質(zhì)量為m、帶電荷量為q的帶電小環(huán)套在細桿頂端，由a端從靜止釋放，恰能勻速通過水平段bc。重力加速度為g，（cos37°=0.8，sin37°=0.6）。

（1）求小環(huán)在細桿abc上運動克服摩擦力做的功；

（2）若在x>0的區(qū)域加一豎直方向的勻強電場（圖中未畫出），帶電小環(huán)從c端離開細桿后能垂直通過y軸上的P點，且通過P點時的速度與通過坐標原點O時速度大小相等，求所加電場的電場強度E及小環(huán)通過y軸的位置坐標P；

（3）若在小環(huán)從P點通過y軸瞬間撤去磁場，通過計算判斷小環(huán)能否在運動中垂直撞擊細桿。

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【題目】如圖甲所示，一質(zhì)量m=1kg的物體置于水平面上，在水平外力F作用下由靜止開始運動，F隨時間t的變化情況如圖乙所示，物體運動的速度v隨時間t的變化情況如圖丙所示(4s后的圖線沒有畫出)。已知重力加速度g取10m/s2，則下列說法正確的是

A. 物體在第3s末的加速度大小是2m/s2 B. 物體與水平面間的動摩擦因數(shù)為0.4

C. 物體在前6s內(nèi)的位移為10m D. 物體在前6內(nèi)的位移為12m

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【題目】魔盤”是一種神奇的游樂設施，它是一個能繞中心軸轉(zhuǎn)動的帶有豎直側(cè)壁的大型轉(zhuǎn)盤，隨著“魔盤”轉(zhuǎn)動角速度的增大，“魔盤”上的人可能滑向盤的邊緣。如圖所示，質(zhì)量為m的人（視為質(zhì)點）坐在轉(zhuǎn)盤上，與轉(zhuǎn)盤中心O相距r。轉(zhuǎn)盤的半徑為R，人與盤面及側(cè)壁間的動摩擦因數(shù)均為μ，設最大靜摩擦力等于滑動摩擦力，重力加速度為g．

（1）當轉(zhuǎn)盤的角速度大小為ω0時，人未滑動，求此時人的線速度大小v.

（2）求人與轉(zhuǎn)盤發(fā)生相對滑動時轉(zhuǎn)盤的角速度大小ω應滿足的條件。

（3）當人滑至“魔盤”側(cè)壁時，只要轉(zhuǎn)盤的角速度不小于某一數(shù)值ωm，人就可以離開盤面，貼著側(cè)壁一起轉(zhuǎn)動。有同學認為，ωm的大小與人的質(zhì)量有關(guān)，你同意這個觀點嗎？請通過計算說明理由。

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【題目】在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)，存在垂直圓面的勻強磁場。圓邊上的P處有一粒子源，不斷沿垂直于磁場的各個方向，向磁場區(qū)發(fā)射速率均為v0的同種粒子，如圖所示�，F(xiàn)測得：當磁感應強度為B1時，粒子均從由P點開始弧長為πR的圓周范圍內(nèi)射出磁場；當磁感應強度為B2時，粒子則都從由P點開始弧長為πR的圓周范圍內(nèi)射出磁場。不計粒子的重力，則( )

A. 前、后兩次粒子運動的軌跡半徑比為r1∶r2＝∶

B. 前、后兩次粒子運動的軌跡半徑比為r1∶r2＝2∶3

C. 前、后兩次磁感應強度的大小之比為B1∶B2＝∶

D. 前、后兩次磁感應強度的大小之比為B1∶B2＝∶

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