質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造如圖所示.設(shè)離子源S產(chǎn)生離子,離子產(chǎn)生出來時速度很小,可以看作速度為零.產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓為U的電場加速后(圖中未畫出),進(jìn)入一平行板電容器C中,電場E和磁場B1相互垂直,具有某一速度的離子將沿圖中虛直線穿過兩板間的空間而不發(fā)生偏轉(zhuǎn),而具有其他速度的離子發(fā)生偏轉(zhuǎn).最后離子再進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場,沿著半圓周運動,到達(dá)記錄它的照相底片上的P點,根據(jù)以上材料回答下列問題:
(1)證明能穿過平行板電容器C的離子具有的速度v=
E
B1
;
(2)若測到P點到入口S1的距離為x,證明離子的質(zhì)量m=
qB22x2
8U
分析:(1)某一速度的離子將沿圖中虛直線穿過兩板間的空間而不發(fā)生偏轉(zhuǎn),通過平衡得出電場力和洛倫茲力的關(guān)系,從而得出離子的速度.
(2)離子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后,做勻速圓周運動,根據(jù)洛倫茲力提供向心力得出質(zhì)量的表達(dá)式.
解答:證明:(1)當(dāng)帶電粒子所受的電場力與洛倫茲力平衡時,它才能穿過平行板電容器.
由平衡條件有qE=qvB1
 所以   v=
E
B1
…①
(2)帶電粒子在加速電場中由動能定理有  qU=
1
2
mv2
…②
進(jìn)入平行板電容器C中速度不變.進(jìn)入B2的勻強(qiáng)磁場時做圓周運動,洛倫茲力提供向心力,所以有 
    qvB2=
mv2
x
2
=
2mv2
x
…③
由②③得      m=
qB22x2
8U
點評:解決本題的關(guān)鍵知道粒子在兩板間做勻速直線運動,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后做勻速圓周運動,結(jié)合平衡和牛頓第二定律進(jìn)行求解.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(電量為q,速度可看作為零),經(jīng)加速電場電壓U加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場,到達(dá)記錄它的照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,不計離子重力,則下列說法正確的是( 。

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具.它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生帶電量為q的某種正離子,離子射出時的速度很小,可以看作是靜止的,離子經(jīng)過電壓U加速后形成離子束流,然后垂直于磁場方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,沿著半圓周運動而到達(dá)記錄它的照相底片P上.實驗測得:它在P上的位置到入口處S1的距離為a,離子束流的電流為I.請回答下列問題:
(1)在時間t內(nèi)射到照相底片P上的離子的數(shù)目為多少?
(2)單位時間穿過入口處S1離子束流的能量為多少?
(3)試證明這種離子的質(zhì)量為m=
qB28U
a2

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場,到達(dá)記錄它的照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,則下列判斷正確的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可視為零),經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進(jìn)入勻強(qiáng)磁場,運轉(zhuǎn)半周后到達(dá)照相底片上的P點.設(shè)P到S1的距離為x,則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S可以發(fā)出各種不同的正離子束,離子從S出來時速度很小,可以看作是靜止的,離子經(jīng)過加速電場加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(圖中線框所示),并沿著半圓周運動而到達(dá)照像底片上的P點,測得P點到入口處S的距離為x?( 。

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