【題目】下圖是某家族的一種遺傳病的系譜圖（A表示顯性基因，a表示隱性基因），請(qǐng)分析回答：

（1）該病屬于 性遺傳病，致病基因位于 染色體上。

（2）Ⅲ8的基因型是 。

（3）Ⅲ10是雜合子的幾率是 。

（4）如果Ⅲ8與Ⅲ10違法婚配，他們生出患病孩子的幾率為 。

【答案】

（1）隱

（2）EE或Ee

（3）2/3

（4）1/9

【解析】

（1）由以上分析可知，該病屬于隱性遺傳病．

（2）由Ⅲ7可知Ⅱ3和Ⅱ4的基因型均為Aa，則Ⅲ8的基因型是AA或Aa．

（3）由Ⅲ9可知Ⅱ5和Ⅱ6的基因型均為Aa，則Ⅲ10的基因型及概率是 1/3 AA、2/3 Aa，可見其是雜合子的幾率為2/3．

（4）Ⅲ8的基因型及概率是 1/3 AA、2/3 Aa，，Ⅲ10的基因型及概率也 1/3 AA、2/3 Aa，他們婚配，生出患病孩子的概率為2/3*2/3*1/4= 1/9

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】美國(guó)物理學(xué)家密立根通過如圖所示的實(shí)驗(yàn)裝置最先測(cè)出了電子的電荷量，被稱為密立根油滴實(shí)驗(yàn)。兩塊水平放置的金屬板A、B分別與電源的正負(fù)極相連接，板間產(chǎn)生勻強(qiáng)電場(chǎng)，方向豎直向下，圖中油滴由于帶負(fù)電懸浮在兩板間保持靜止。（已知重力加速度為g）

（1）若要測(cè)出該油滴的電荷量，需要測(cè)出的物理量有__________。

A．油滴質(zhì)量m

B．兩板間的電壓U

C．兩板間的距離d

D．兩板的長(zhǎng)度L

（2）用所選擇的物理量表示出該油滴的電荷量q=________

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，電流表G的內(nèi)阻不可忽略不計(jì)，R1、R2是兩個(gè)可變電阻，當(dāng)a、b間的電壓為4 V時(shí)，電流表的指針剛好滿偏(指針指在刻度盤的最大值處)，當(dāng)a、b間的電壓為3 V時(shí)，如果仍要使電流表G的指針滿偏，下列方法中可行的是(　　)

①保持R2不變，增大R1�、谠龃�R1，減小R2　

③保持R2不變，減小R1�、茉龃�R2，減小R1

A. ①④ B. ①② C. ②③ D. ③④

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某同學(xué)用彈簧OC和彈簧秤a、b做“探究求合力的方法”實(shí)驗(yàn)．如圖1所示，在保持彈簧伸長(zhǎng)量不變的條件下：

(1)若彈簧秤a、b間夾角為90°，彈簧秤a的讀數(shù)是________N(圖2中所示)

(2)若彈簧秤a、b間夾角大于90°，保持彈簧秤a與彈簧OC的夾角不變，減小彈簧秤b與彈簧OC的夾角，則彈簧秤a的讀數(shù)________、彈簧秤b的讀數(shù)________(填“變大”“變小”或“不變”)．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示， 、、、為一粗糙絕緣水平面上的四個(gè)點(diǎn)，一電荷量為的負(fù)點(diǎn)電荷固定在點(diǎn)，現(xiàn)有一質(zhì)量為、電荷量為的帶負(fù)電小金屬塊（可視為質(zhì)點(diǎn)），從點(diǎn)靜止沿它們的連線向右運(yùn)動(dòng)，到點(diǎn)時(shí)速度最大，其大小為，小金屬塊最后停止在點(diǎn)．已知小金屬塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為， 間的距離為，靜電力常量為，不計(jì)空氣阻力，則（ ）

A. 在點(diǎn)電荷一形成的電場(chǎng)中， 、兩點(diǎn)間的電勢(shì)差為

B. 在小金屬塊由向運(yùn)動(dòng)的過程中，電勢(shì)能先增大后減小

C. 從到的過程中，小金屬塊的動(dòng)能全部轉(zhuǎn)化為電勢(shì)能

D. 間的距離為

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，用絕緣細(xì)線拴一帶負(fù)電小球，在豎直平面內(nèi)做圓周運(yùn)動(dòng)，勻強(qiáng)電場(chǎng)方向豎直向下，則(　 　)

A. 小球一定做變速圓周運(yùn)動(dòng)

B. 小球在運(yùn)動(dòng)過程中機(jī)械能一定不守恒

C. 當(dāng)小球運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)b時(shí)，小球的速度一定最大

D. 當(dāng)小球運(yùn)動(dòng)到最高點(diǎn)a時(shí)，小球的電勢(shì)能最小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】關(guān)于質(zhì)點(diǎn)的概念正確的是 ( )

A.只有體積很小的物體才可以看成質(zhì)點(diǎn)

B.若物體運(yùn)動(dòng)得很快，就一定不可以把物體看成質(zhì)點(diǎn)

C.旋轉(zhuǎn)的物體，肯定不能看成質(zhì)點(diǎn)

D.質(zhì)點(diǎn)是把物體抽象成有質(zhì)量而沒有大小的點(diǎn)，是一個(gè)理想化模型

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，a、b、c、d分別是一個(gè)菱形的四個(gè)頂點(diǎn)，∠abc＝120°.現(xiàn)將三個(gè)等量的正點(diǎn)電荷＋Q固定在a、b、c三個(gè)頂點(diǎn)上，將一個(gè)電量為＋q的點(diǎn)電荷依次放在菱形中心點(diǎn)O點(diǎn)和另一個(gè)頂點(diǎn)d點(diǎn)處，兩點(diǎn)相比(　　)

A. ＋q在d點(diǎn)所受的電場(chǎng)力較大

B. ＋q在d點(diǎn)所具有的電勢(shì)能較大

C. d點(diǎn)的電勢(shì)低于O點(diǎn)的電勢(shì)

D. d點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大于O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】硅光電池已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星和燈塔、高速公路“電子眼”等設(shè)施．其原理如圖所示，a、b是硅光電池的兩個(gè)電極，P、N是兩塊硅半導(dǎo)體，P、N可在E區(qū)形成勻強(qiáng)電場(chǎng)．P的上表面鍍有一層膜，當(dāng)光照射時(shí)，P內(nèi)產(chǎn)生的自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速后到達(dá)半導(dǎo)體N，從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)．以下說法中正確的是 （ ）

A. a電極為電池的正極

B. 電源內(nèi)部的電流方向由N指向P

C. E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向由N指向P

D. 硅光電池是一種把化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置

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