A. | 由U=IR可知.導(dǎo)體兩端的電壓與通過導(dǎo)體的電流成正比 | |
B. | 由U=Ed可知,勻強(qiáng)電場中,距離越大的兩點(diǎn)間的電勢差越大 | |
C. | 由E=n$\frac{△Φ}{△t}$可知,穿過線圈平面的磁通量變化量越大,產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢越大 | |
D. | 由B=$\frac{F}{IL}$可知,磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向與通電直導(dǎo)線所受安培力的方向相同 |
分析 導(dǎo)體兩端電壓與電流成正比;公式Uab=Ed中d是兩點(diǎn)沿電場線方向的距離;穿過線圈平面的磁通量變化率越大,產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢才越大;依據(jù)左手定則可知,安培力與磁場方向的關(guān)系.
解答 解:A、公式U=IR可知.導(dǎo)體電阻一定,則其兩端的電壓與通過導(dǎo)體的電流成正比,故A正確.
B、由Uab=Ed可知,勻強(qiáng)電場中的任意兩點(diǎn)a、b間沿電場線方向的距離越大,兩點(diǎn)間的電勢差才越大,故B錯(cuò)誤.
C、由E=n$\frac{△Φ}{△t}$可知,穿過線圈平面的磁通量變化量越大,產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢不一定越大,還與變化的時(shí)間有關(guān).故C錯(cuò)誤.
D、根據(jù)左手定則可知,磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向與通電直導(dǎo)線所受安培力的方向相垂直,故D錯(cuò)誤.
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵是理解公式U=Ed中的d含義,知道E、U反映電場本身的特性,與試探電荷無關(guān),及理解法拉第電磁感應(yīng)定律的內(nèi)容,注意左手定則的應(yīng)用,并與右手定則的區(qū)別.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3$\sqrt{5}$<v<4$\sqrt{15}$m/s | B. | 2$\sqrt{5}$<v<3$\sqrt{5}$m/s | C. | 3$\sqrt{5}$<v<3$\sqrt{15}$m/s | D. | v>4$\sqrt{15}$m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | c點(diǎn)電勢為14V | |
B. | 場強(qiáng)的方向由a指向c | |
C. | 質(zhì)子從b運(yùn)動(dòng)到c所用的時(shí)間為$\frac{\sqrt{2}L}{{v}_{0}}$ | |
D. | 質(zhì)子從b運(yùn)動(dòng)到c電場力做功為12eV |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{{\sqrt{3}}}{2}R$ | B. | $\frac{{\sqrt{3}}}{3}R$ | C. | $\frac{1}{4}R$ | D. | $\frac{1}{2}R$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該橫波的波速為5 m/s | |
B. | 該波形圖可能是t=1.2 s時(shí)刻的 | |
C. | 質(zhì)點(diǎn)L與質(zhì)點(diǎn)N都運(yùn)動(dòng)起來后,它們的運(yùn)動(dòng)方向總相反 | |
D. | 在0.2 s的時(shí)間內(nèi)質(zhì)點(diǎn)M通過的路程為1 m | |
E. | 在t=2.6 s時(shí)刻,質(zhì)點(diǎn)M處于平衡位置,正沿y軸正方向運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在波的反射中,反射波與入射波相比,波速不變,波長變大 | |
B. | 在波的折射中,折射波與入射波相比,波速改變,波長改變 | |
C. | 只要聲源在運(yùn)動(dòng),觀察者總是感到聲音的頻率變高 | |
D. | 當(dāng)聲源相對于觀察者運(yùn)動(dòng)時(shí),觀察者聽到的聲音的頻率一定變高 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一定做正功 | |
B. | 一定做負(fù)功 | |
C. | 可能不做功 | |
D. | 可能做正功,也可能做負(fù)功,但不可能不做功 |
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