【題目】（10分）如圖1所示，某同學(xué)在實(shí)驗(yàn)室測(cè)某玻璃的折射率。讓一束單色光從空氣中斜射向某透明玻璃磚的表面，測(cè)得單色光與玻璃表面夾角為30°，經(jīng)該玻璃折射后又測(cè)得折射角為30°。

（i）該玻璃的折射率n是多少？

（ii）如果將該種玻璃制成圖2所示的形狀；圖3是它的截面圖，左側(cè)是半徑為R的半圓，右側(cè)是長(zhǎng)4R、寬2R的矩形。讓這束單色光從左側(cè)A點(diǎn)沿半徑方向與上表面成45°射入玻璃制品，則該單色光從A點(diǎn)射入玻璃制品到剛好射出玻璃制品的時(shí)間為多少？（光在空氣中的速度為c，結(jié)果可保留根號(hào)）

【答案】（i）n=（2分） （ii）（8分）

【解析】（i）折射率n= =（2分）

（ii）設(shè)單色光從玻璃射向空氣的全反射臨界角為C，則sin C==<，即C<45°（2分）

所以單色光在玻璃磚內(nèi)發(fā)生5次全反射，光路如圖所示

光程L=(2+8)R（2分）

單色光在該玻璃制品中的速度v=（2分）

所以傳播時(shí)間t==（2分）

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】用下列器材組裝成一個(gè)電路，既能測(cè)量出電池組的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)阻，又能同時(shí)描繪小燈泡的伏安特性曲線，

A．電壓表（量程6V，內(nèi)阻很大）

B．電壓表（量程3V，內(nèi)阻很大）

C．電流表A（量程3A，內(nèi)阻很小）

D．滑動(dòng)變阻器R（最大阻值10Ω，額定電流4A）

E．小燈泡（2A，5W）

F．電池組（電動(dòng)勢(shì)E，內(nèi)阻r）

G．開關(guān)一個(gè)，導(dǎo)線若干

實(shí)驗(yàn)時(shí)，調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器的阻值，多次測(cè)量后發(fā)現(xiàn)；若電壓表的示數(shù)增大，則電壓表的示數(shù)減小。

（1）請(qǐng)將設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)電路圖在虛線方框中補(bǔ)充完整______。

（2）每一次操作后，同時(shí)記錄電流表A，電壓表和電壓表的示數(shù)，組成兩個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)（）、（），標(biāo)到U-I坐標(biāo)中，經(jīng)過(guò)多次測(cè)量，最后描繪出兩條圖線，如圖所示，則電池組的電動(dòng)勢(shì)E=______V、內(nèi)阻r=______Ω。

（3）在U-I坐標(biāo)中兩條圖線在P點(diǎn)相交，此時(shí)滑動(dòng)變阻器連入電路的阻值應(yīng)為______Ω。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】2009年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主威拉德博伊爾和喬治史密斯主要成就是發(fā)明了電荷耦合器件(CCD)圖象傳感器.他們的發(fā)明利用了愛因斯坦的光電效應(yīng)原理。如圖所示電路可研究光電效應(yīng)規(guī)律。圖中標(biāo)有A和K的為光電管，其中A為陰極，K為陽(yáng)極，理想電流計(jì)可檢測(cè)通過(guò)光電管的電流，理想電壓表用來(lái)指示光電管兩端的電壓�，F(xiàn)接通電源，用光子能量為2.75eV的光照射陰極A，電流計(jì)中有示數(shù)，若將滑動(dòng)變阻器的滑片P緩慢向左滑動(dòng)，電流計(jì)的讀數(shù)逐漸減小，當(dāng)滑至某一位置時(shí)電流計(jì)的讀數(shù)恰好為零，讀出此吋電壓表的示數(shù)為1.7V；現(xiàn)保持滑片P位置不變，以下判斷錯(cuò)誤的是

A. 光電管陰扱材料的逸出功為1.05eV

B. 電鍵S斷開后,電流表t中有電流流過(guò)

C. 若用光子能量為3eV的光照射陰極A，光電子的圾大初動(dòng)能一定變大

D. 改用能量為l.OeV的光子照射，移動(dòng)變阻器的觸點(diǎn)c，電流表G中也可能有電流

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】在如圖所示的傾角為θ的光滑斜面上，存在著兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，區(qū)域I的磁場(chǎng)方向垂直斜面向上，區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)方向垂直斜面向下，磁場(chǎng)寬度均為L,一個(gè)質(zhì)量為m,電阻為R,邊長(zhǎng)也為L的正方形導(dǎo)線框，由靜止開始沿斜面下滑，t1時(shí)刻ab邊剛越過(guò)CH進(jìn)入磁場(chǎng)I區(qū)域，此時(shí)導(dǎo)線框恰好以速度做勻速直線運(yùn)動(dòng);t2時(shí)刻ab邊下滑到JP與MN的正中間位置，此時(shí)導(dǎo)線框又恰好以速度v2做勻速直線運(yùn)動(dòng)。重力加速度為g，下列說(shuō)法中正確的是

A. 當(dāng)ab邊剛越過(guò)JP時(shí)，導(dǎo)線框的加速度大小為a=3gsinθ

B. 導(dǎo)線框兩次勻速直線運(yùn)動(dòng)的速度v1:v2=2:1

C. 從t2開始運(yùn)動(dòng)到ab邊到位置過(guò)程中，通過(guò)導(dǎo)線框的電量

D. 從t1到ab邊運(yùn)動(dòng)到MN位置的過(guò)程中，有 機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】2016年起，我國(guó)空軍出動(dòng)“戰(zhàn)神”轟－6K等戰(zhàn)機(jī)赴南海戰(zhàn)斗巡航．某次戰(zhàn)備投彈訓(xùn)練，飛機(jī)在水平方向做加速直線運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中投下一顆模擬彈．飛機(jī)飛行高度為h，重力加速度為g，不計(jì)空氣阻力，則以下說(shuō)法正確的是()

A. 在飛行員看來(lái)模擬彈做平拋運(yùn)動(dòng)

B. 在飛行員看來(lái)模擬彈做自由落體運(yùn)動(dòng)

C. 模擬彈下落到海平面的時(shí)間為

D. 若戰(zhàn)斗機(jī)做加速向下的俯沖運(yùn)動(dòng)，此時(shí)飛行員一定處于失重狀態(tài)

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】?jī)晌飰KA、B用輕彈簧相連，質(zhì)量均為m＝1kg，初始時(shí)彈簧處于原長(zhǎng)，A、B兩物塊都以v＝3m/s的速度在光滑的水平地面上運(yùn)動(dòng)，質(zhì)量M＝2kg的物塊C靜止在前方，如圖所示．B與C碰撞后會(huì)立即與C粘在一起運(yùn)動(dòng)．求在以后的運(yùn)動(dòng)中：

①當(dāng)彈簧的彈性勢(shì)能最大時(shí)，物塊A的速度v1為多大？

②系統(tǒng)中彈性勢(shì)能的最大值Ep是多少？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，光滑的金屬導(dǎo)軌間距為L(zhǎng)，導(dǎo)軌平面與水平面成a角，導(dǎo)軌下端接有阻值為R的電阻。質(zhì)量為m,電阻為r的金屬細(xì)桿ab與絕緣輕質(zhì)彈簧相連靜止在導(dǎo)軌上，彈簧勁度系數(shù)為k,上端固定，彈簧與導(dǎo)軌平面平行，整個(gè)裝置處在垂直于導(dǎo)軌平面斜向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。

現(xiàn)給桿一沿軌道向下的初速度,桿向下運(yùn)動(dòng)至速度為零后，再沿軌道平面向上運(yùn)動(dòng)達(dá)最大速度，然后減速到零，再沿軌道平面向下運(yùn)動(dòng)，一直往復(fù)運(yùn)動(dòng)直到靜止。重力加速度為g。試求：

(1)細(xì)桿獲得初速度瞬間的加速度a的大小

(2)當(dāng)桿速度為,時(shí)離最初靜止位置的距離；

(3)導(dǎo)體棒從獲得一初速度開始到向上運(yùn)動(dòng)達(dá)最大速度,過(guò)程中克服彈簧彈力做功為W，在此過(guò)程中整個(gè)回路產(chǎn)生的焦耳熱是多少？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】將一個(gè)力F=5N分解為兩個(gè)不為零的力Fl、F2，下列分解情況中哪些是可能的（ ）

A. F1=10N ，F2=10NB. Fl=3N ，F2=14N

C. Fl、F2與F在同一直線上D. Fl、F2同時(shí)與F垂直

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】圖甲中直線PQ表示電場(chǎng)中的一條電場(chǎng)線，質(zhì)量為m、電量為-q的帶負(fù)電粒子僅在電場(chǎng)力作用下沿電場(chǎng)線向右運(yùn)動(dòng)，經(jīng)過(guò)P點(diǎn)時(shí)速度為v0，到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)速度減為零，粒子運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖乙所示。下列判斷正確的是（ ）

A. P點(diǎn)電勢(shì)高于Q點(diǎn)電勢(shì)

B. P點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大于Q點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)

C. P、Q兩點(diǎn)的電勢(shì)差為

D. 帶負(fù)電粒子在P點(diǎn)的電勢(shì)能大于在Q點(diǎn)的電勢(shì)能

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