A. | 導體棒到達涂層前做加速度減小的加速運動 | |
B. | 在涂層區(qū)導體做勻速運動 | |
C. | 導體棒到達底端的速度為v=$\sqrt{\frac{7mgh}{4(m+{B}^{2}{l}^{2}C)}}$ | |
D. | 整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱為mgh |
分析 由左手定則來確定安培力的方向,并求出安培力的大小;借助于I=$\frac{Q}{t}$、a=$\frac{△v}{△t}$及牛頓第二定律來求出速度與時間的關(guān)系,得到導體棒的運動規(guī)律.
解答 解:A、設(shè)導體棒下滑的速度大小為v,則感應(yīng)電動勢為E=Blv,平行板電容器兩個極板之間的電勢差為U=E,設(shè)此時電容器上積累的電荷量為Q,根據(jù)定義C=$\frac{Q}{U}$,聯(lián)立可得Q=CBlv;設(shè)導體棒的速度大小為v時經(jīng)歷的時間t,通過導體棒的電流為i,導體棒受到的磁場的作用力方向沿著導軌向上,大小為f=Bli.設(shè)在時間(t,t+△t)內(nèi)流過導體棒的電荷量為△Q.按照定義有i=$\frac{△Q}{△t}$,△Q也是平行板電容器兩極板在(t,t+△t)內(nèi)增加的電荷量,得到△Q=CBl•△v,△v為導體棒的速度變化量,按照定義有a=$\frac{△v}{△t}$,導體棒在時刻t的加速度方向沿著斜面向下,設(shè)其大小為a,根據(jù)牛頓第二定律,有:mgsinθ-f=ma,聯(lián)立解得:a=$\frac{mgsinθ}{{m+{B^2}{l^2}C}}=\frac{mg}{{2(m+{B^2}{l^2}C)}}$,即導體棒到達涂層前做勻加速直線運動,故A錯誤;
B、由于導體棒通過涂層時沒有感應(yīng)電流,故受重力、支持力、摩擦力,而沒有安培力,由于mgsin30°=μmgcos30°,故導體棒受力平衡,做勻速直線運動,故B正確;
C、由速度位移公式${v^2}=2a\frac{7}{4}h$可得:$v=\sqrt{\frac{7mghsinθ}{{2(m+{B^2}{l^2}C)}}}=\sqrt{\frac{7mgh}{{4(m+{B^2}{l^2}C)}}}$,故C正確;
D、運動過程中重力勢能減小了mgh,但動能有增加,故整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱小于mgh,故D錯誤;
故選:BC
點評 本題關(guān)鍵采用微元法分析金屬棒的加速度,切入點是加速度的定義式,再應(yīng)用牛頓第二定律、勻變速運動的速度公式、E=BLv即可正確解題.
科目:高中物理 來源: 題型:實驗題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 甲的運動軌跡是曲線 | |
B. | t=3S時,甲乙兩物體位移相同 | |
C. | 甲乙兩物體運動方向相反 | |
D. | 乙做勻速直線運動,速度大小為1m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 圖甲可表示板距0.5d時粒子的v-t圖象 | |
B. | 圖乙可表示板距0.5d時粒子的v-t圖象 | |
C. | 圖丙可表示板距2d時粒子的v-t圖象 | |
D. | 圖丁可表示板距2d時粒子的v-t圖象 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 測量電阻時,如果指針偏轉(zhuǎn)過大,應(yīng)將選擇開關(guān)S撥至倍率較大的擋位,重新調(diào)零后測量 | |
B. | 測量電阻時,如果紅、黑表筆分別插在負、正插孔,則不會影響測量結(jié)果 | |
C. | 測量阻值不同的電阻時,都必須重新調(diào)零 | |
D. | 測量電路中的某個電阻,應(yīng)該把該電阻與電路斷開 |
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