A. | 電場中A點(diǎn)的電勢低于B點(diǎn)的電勢 | |
B. | 電場中A點(diǎn)的電場強(qiáng)度小于B點(diǎn)的電場強(qiáng)度 | |
C. | 同一電荷在A處和在B處所受電場力相同 | |
D. | 將電子從A點(diǎn)移到B點(diǎn),電子的電勢能增大 |
分析 根據(jù)電場線的疏密體現(xiàn)電場強(qiáng)度的強(qiáng)弱,且依據(jù)沿著電場線方向,電勢降低,再由F=qE,及電場力做正功,電勢能減小,若做負(fù)功,則電勢能增大,從而即可求解.
解答 解:A、沿電場線電勢降低,因此A點(diǎn)電勢高于B點(diǎn),故A錯(cuò)誤;
B、由圖可知A處電場線密,B處電場線疏,所以A點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于B點(diǎn)的,故B錯(cuò)誤;
C、因A點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于B點(diǎn)的,那么同一電荷在A處所受電場力比在B處大,故C錯(cuò)誤;
D、電子從A點(diǎn)移到B點(diǎn),電場力做負(fù)功,導(dǎo)致電勢能增加,故D正確.
故選:D.
點(diǎn)評 能通過電場線來比較電場強(qiáng)弱、電勢高低、電勢能高低、電場力做功是對電場學(xué)習(xí)的基本要求.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | mg | B. | 2mg | C. | $\sqrt{3}$mg | D. | 2$\sqrt{3}$mg |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 從a點(diǎn)第一次運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)的過程中,滑塊的機(jī)械能守恒 | |
B. | 從b點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到c點(diǎn)的過程中,滑塊重力勢能的減少量等于彈簧彈性勢能的增加量 | |
C. | 整個(gè)過程中彈簧彈性勢能的最大值為5J | |
D. | 整個(gè)過程中滑塊動(dòng)能的最大值為5J |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 質(zhì)點(diǎn)在0~4s內(nèi)的平均速度為1.5m/s | |
B. | 質(zhì)點(diǎn)在4s~8s內(nèi)的位移大小為4m | |
C. | 質(zhì)點(diǎn)在1s末與6s的運(yùn)動(dòng)方向相反 | |
D. | 質(zhì)點(diǎn)在1s末的加速度大于6s末的加速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 牛頓 | B. | 伽利略 | C. | 卡文迪許 | D. | 開普勒 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | P點(diǎn)電勢高于Q點(diǎn)電勢 | |
B. | 同一正電荷在P點(diǎn)的電勢能高于在Q點(diǎn)的電勢能 | |
C. | 正電荷從p點(diǎn)移動(dòng)到Q點(diǎn),電場力做正功 | |
D. | 同一正電荷從P點(diǎn)移動(dòng)到Q點(diǎn),電勢能增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 小屋的重力勢能不變 | B. | 小屋的動(dòng)能增加了Fh | ||
C. | 小屋的機(jī)械能增加了Fh | D. | 小屋的機(jī)械能增加了(mg+F)h |
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