如圖所示,在第二象限和第四象限的正方形區(qū)域內(nèi)分別存在著勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B,方向相反,且都垂直于xOy平面.一電子由P(-d,d)點,沿x軸正方向射入磁場區(qū)域Ⅰ.(電子質(zhì)量為m,電荷量為e,sin 53°=)
(1)求電子能從第三象限射出的入射速度的范圍.
(2)若電子從位置射出,求電子在磁場 Ⅰ 中運(yùn)動的時間t.
(3)求第(2)問中電子離開磁場Ⅱ時的位置坐標(biāo).
(1) <v< (2) (3)
【解析】 (1)電子能從第三象限射出的臨界軌跡如圖甲所示.電子偏轉(zhuǎn)半徑范圍為<r<d
由evB=m得v=
故電子入射速度的范圍為<v<.
(2)電子從位置射出的運(yùn)動軌跡如圖乙所示.設(shè)電子在磁場中運(yùn)動的軌道半徑為R,則R2=2+d2
解得R=
則∠PHM=53°
由evB=mR2解得T=
電子在磁場Ⅰ中運(yùn)動的時間t=T=.
(3)如圖乙所示,根據(jù)幾何知識,帶電粒子在射出磁場區(qū)域Ⅰ時與水平方向的夾角為53°,在磁場區(qū)域Ⅱ位置N點的橫坐標(biāo)為.
由△NBH′可解得NB的長度等于d,則QA=d-
由勾股定理得H′A=d,H′B=Rcos 53°=
所以電子離開磁場Ⅱ的位置坐標(biāo)為.
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