如圖相距為L的兩光滑平行導(dǎo)軌，平行放置在傾角為θ的斜面上，導(dǎo)軌的右端接有電阻R（軌道電阻不計），斜面處在一勻強(qiáng)磁場B中，磁場方向垂直于斜面向上，質(zhì)量為m，電阻為2R的金屬棒ab放在導(dǎo)軌上，與導(dǎo)軌接觸良好，由靜止釋放，下滑距離S后速度最大，則（　　）
A．下滑過程電阻R消耗的最大功率為
m2g2Sin2θ
B2L2
R
B．下滑過程電阻R消耗的最大功率為
3m2g2Sin2θ
B2L2
R
C．下滑過程安培力做功
9m3g2Sin2θ
2B4L4
R2
D．下滑過程安培力做功mgS?sinθ-
9m3g2Sin2θ
2B4L4
R2

A、對棒受力分析，如圖所示，

當(dāng)棒達(dá)到最大速度時，處于受力平衡狀態(tài)，則有：F=mgsinθ；
又F=BIL；
閉合電路歐姆定律有：I=
E
3R
；
切割感應(yīng)電動勢為：E=BLvm；
因此聯(lián)立可得：
B2L2vm
3R
=mgsinθ
則：vm=
3mgRsinθ
B2L2
；
所以下滑的最大電功率為：P=Fvm=
3m2g2Sin2θ
B2L2
R；故A錯誤，B正確；
C、導(dǎo)體棒下滑過程中，根據(jù)動能定理得：
則有：WG-W安=
1
2
mv2-0，
解得：安培力做功mgS?Sinθ-
9m3g2Sin2θ
2B4L4
R2．故C錯誤，D正確；
故選：BD．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖甲所示，一個圓形線圈的匝數(shù)n=100，線圈面積S=200cm2，線圈的電阻r=1Ω，線圈外接一個阻值R=4Ω的電阻，把線圈放入一方向垂直線圈平面向里的勻強(qiáng)磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時間變化規(guī)律如圖已所示．下列說法中正確的是（　　）
A．線圈中的感應(yīng)電流方向為順時針方向
B．電阻R兩端的電壓隨時間均勻增大
C．線圈電阻r消耗的功率為4×10-4W
D．前4s內(nèi)通過R的電荷量為4×10-4C

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖甲所示圓環(huán)形線圈處在勻強(qiáng)磁場B中，磁場方向與環(huán)面垂直．磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時間變化規(guī)律如圖乙所示．規(guī)定圖中所標(biāo)的磁場方向和感應(yīng)電流方向為正方向，則圓環(huán)中的感應(yīng)電流i隨時間變化的圖中正確的是（　�。�
A．B．C．D．

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

穿過閉合回路的磁通量φ隨時間t變化的圖象分別如圖①～④所示，下列關(guān)于回路中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢的論述正確的是（　�。�
A．圖①中，回路不產(chǎn)生感應(yīng)電動勢
B．圖②中，回路產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢一直在變大
C．圖③中，回路在0～t1時間內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢小于在t1～t2時間內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢
D．圖④中，回路產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢先變大再變小

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：多選題

如圖所示，在傾角為a的光滑斜面上，abcd區(qū)域存在著垂直斜面向上的勻強(qiáng)磁場，邊界ab和cd都沿水平方向，ac=L，在斜面上質(zhì)量為m，邊長為L的正方形導(dǎo)線框沿斜面自由下滑，恰好勻速穿過磁場，下列說法正確的是（　�。�
A．在穿過磁場過程中線框內(nèi)電流方向不變
B．在穿過磁場過程中線框受的磁場力方向不變
C．在穿過磁場過程中，線框中產(chǎn)生熱量為2mgLsina
D．在穿過磁場過程中，線框受的磁場力的方向沿斜面上

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：問答題

有一匝數(shù)n=200匝的矩形線圈abcd放在磁場中，線圈回路的總電阻R=5Ω．線圈平面垂直于磁感線方向．穿過線圈的磁通量φ隨時間變化的規(guī)律如圖所示，求：
（1）線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢；
（2）線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電流；
（3）30×0.01s內(nèi)線圈中產(chǎn)生的熱量．

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，一個閉合線圈，放在勻強(qiáng)磁場中，線圈的軸線與磁場成30°角，磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時間勻速變化，線圈導(dǎo)線電阻率不變，用下述哪個方法可使線圈上感應(yīng)電流增加一倍（　　）
A．把線圈的匝數(shù)增加一倍
B．把線圈的面積增加一倍
C．把線圈的半徑增加一倍
D．改變線圈軸線對于磁場的方向

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖甲所示，在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為1kg的單匝均勻正方形銅線框，在1位置以速度v0=3m/s進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時開始計時t=0，此時線框中感應(yīng)電動勢為1V，在t=3s時刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場．此過程中v-t圖象如圖乙所示，那么（　�。�
A．t=0時線框右側(cè)的邊兩端M、N間電壓為0.25V
B．恒力F的大小為1.0N
C．線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為2m/s
D．線框完全離開磁場的位置3的瞬時速度為1m/s

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

下列關(guān)于感應(yīng)電動勢的說法正確的是（　�。�
A．閉合回路中的磁感應(yīng)強(qiáng)度越大，感應(yīng)電動勢越大
B．閉合回路中的磁通量越大，感應(yīng)電動勢越大
C．閉合回路中的磁通量變化越大，感應(yīng)電動勢越大
D．閉合回路中的磁通量變化越快，感應(yīng)電動勢越大

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