如圖所示,x0y平面內(nèi),y軸左側(cè)有方向豎直向下,電場強(qiáng)度為E=1.0×104N/的勻強(qiáng)電場.在Y軸右側(cè)有一個邊界為圓形的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,圓心O′位于x軸上,半徑為r=0.01m,磁場最左邊與Y軸相切于O點(diǎn),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=0.01T,方向垂直紙面向里.在坐標(biāo)xo=0.06m處有垂直于x軸的足夠大的熒光屏PQ.一束帶正電的粒子從電場中的A點(diǎn)(圖中未標(biāo)出)以垂直于電場的初速度向右運(yùn)動,穿出電場時恰好通過坐標(biāo)原點(diǎn),速度大小為v=2×106m/s,方向與x軸正向成300角斜向下.已知粒子的質(zhì)量為m=1.0×l0-2kg,電量為q=1.0×10-10C,重力不計.
(1)求粒子出發(fā)點(diǎn)A的坐標(biāo);
(2)若圓形磁場可沿x軸向右移動,圓心O仍在x軸上,由于磁場位置的不同,導(dǎo)致該粒子打在熒光屏上的位置也不同,求粒子打在熒光屏上的位置范圍;
(3)若改變磁場半徑,磁場最左邊仍然與Y軸相切于O點(diǎn),當(dāng)磁場半徑至少為多大時,粒子就再也不能打到帶屏上?

【答案】分析:(1)粒子沿AB方向進(jìn)入電場后做類平拋運(yùn)動,將射出電場的速度進(jìn)行分解,根據(jù)沿電場方向上的速度,結(jié)合牛頓第二定律求出運(yùn)動的時間,從而得出類平拋運(yùn)動的水平位移和豎直位移,即得出射入電場的坐標(biāo).
(2)隨著磁場向右移動熒光屏光點(diǎn)位置逐漸下移,當(dāng)v方向與磁場圓形區(qū)域相切,此后,粒子將打在熒光屏的同一位置.根據(jù)粒子在勻強(qiáng)磁場中的半徑公式,結(jié)合幾何關(guān)系求出粒子打在熒光屏上的范圍.
(3)當(dāng)粒子射出磁場時的速度平行于y軸時,將不再打到熒光屏上,有幾何關(guān)系即可求解.
解答:解:(1)粒子沿AB方向進(jìn)入電場后做類平拋運(yùn)動,在O點(diǎn)將v沿x、y方向分解得:
vx=vcos30°=
vy=vsin30°=1×106m/s
根據(jù)牛頓第二定律a==1×1014m/s2
粒子從射入到0點(diǎn)的時間為:
t==
粒子剛射入電場時A點(diǎn)的坐標(biāo)分別為:
x=-vxt=-×10-2m
y=vyt=5×10-3m
即粒子出發(fā)點(diǎn)A的坐標(biāo)為(-×10-2m,5×10-3m)
(2)洛侖茲力提供向心力,則qvB=m,解得:R==0.02m=2r
由幾何關(guān)系可知,粒子射出磁場的位置為C點(diǎn),軌跡如圖所示:
則粒子打在熒光屏最高點(diǎn)到x軸的距離為:l1=(x-2r)tan30°=2.31×10-2m
隨著磁場向右移動熒光屏光點(diǎn)位置逐漸下移,當(dāng)v方向與磁場圓形區(qū)域相切,粒子打在熒光屏的最低點(diǎn),此后,粒子將打在熒光屏的同一位置.
其最低到x軸的距離為:xtan30°=3.46×10-2m
(3)如圖所示,當(dāng)粒子射出磁場時的速度平行于y軸時,將不再打到熒光屏上,OCE0″為菱形,
由幾何關(guān)系得:
磁場半徑至少為r=R=0.02m
答:(1)粒子出發(fā)點(diǎn)A的坐標(biāo)為(-×10-2m,5×10-3m);
(2)粒子打在熒光屏上的位置范圍為[2.31×10-2m,3.46×10-2m];
(3)當(dāng)磁場半徑至少為0.02m時,粒子就再也不能打到帶屏上.
點(diǎn)評:本題考查粒子在電場中類平拋運(yùn)動和在磁場中的勻速圓周運(yùn)動,對學(xué)生幾何能力要求較高,能夠找出問題的臨界情況是解決本題的關(guān)鍵.
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(1)求粒子出發(fā)點(diǎn)A的坐標(biāo);
(2)若圓形磁場可沿x軸向右移動,圓心O仍在x軸上,由于磁場位置的不同,導(dǎo)致該粒子打在熒光屏上的位置也不同,求粒子打在熒光屏上的位置范圍;
(3)若改變磁場半徑,磁場最左邊仍然與Y軸相切于O點(diǎn),當(dāng)磁場半徑至少為多大時,粒子就再也不能打到帶屏上?

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mv0
eB
<a<
2mv0
eB
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