A. | 電勢φA>φB,場強(qiáng)EA>EB | |
B. | 電勢φA>φB,場強(qiáng)EA<EB | |
C. | 將電荷量為q的正電荷從A點(diǎn)移到B點(diǎn),電場力做正功,電勢能減少 | |
D. | 將電荷量為q的負(fù)電荷分別放在A、B兩點(diǎn),電荷具有的電勢能 |
分析 根據(jù)電場線的疏密代表電場的強(qiáng)弱,沿著電場線電勢逐漸降低即可正確解答.沿電場線方向一定正電荷,電場力做正功.
解答 解:A、B、由圖可知,B處的電場線比A處密集,電場線越密,場強(qiáng)越大,所以EA<EB;沿電場線的方向電勢降低,所以φA>φB,故A錯誤,B正確;
C、由于φA>φB,將電荷量為q的正電荷從A點(diǎn)移到B點(diǎn),電場力做正功,電勢能減少,故C正確;
D、由于φA>φB,電荷放在A、B兩點(diǎn),電荷具有的電勢能一定不相等,故D錯誤;
故選:BC
點(diǎn)評 本題考查對電場強(qiáng)度的認(rèn)識,電場線是反映電場強(qiáng)度的大小和方向,是假想的曲線,但形象地描述了電場的性質(zhì).
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)$\frac{△B}{△t}$=$\frac{ω{B}_{0}}{π}$時,線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流等于I | |
B. | 當(dāng)$\frac{△B}{△t}$=$\frac{ω{B}_{0}}{π}$時,線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流小于I | |
C. | 當(dāng)$\frac{△B}{△t}$=$\frac{ω{B}_{0}}{π}$,磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)?\frac{{B}_{0}}{2}$時,線框直徑部分所受安培力大于等于F | |
D. | 當(dāng)$\frac{△B}{△t}$=$\frac{ω{B}_{0}}{2π}$,磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)?\frac{{B}_{0}}{2}$時,線框直徑部分所受安培力大小等于F |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若縱坐標(biāo)表示速度,則物體在4s內(nèi)的位移為零 | |
B. | 若縱坐標(biāo)表示速度,則物體的加速度前2秒向西,后2秒向東 | |
C. | 若縱坐標(biāo)表示位移,則物體前2秒向西運(yùn)動,后2秒向東運(yùn)動 | |
D. | 若縱坐標(biāo)表示位移,則物體在4s內(nèi)的位移為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0.4A | B. | 0.8A | C. | 1.2A | D. | 1.6A |
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