單匝閉合線框在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，繞垂直于磁場(chǎng)方向的轉(zhuǎn)軸OO′勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，在轉(zhuǎn)動(dòng)過程中，穿過線框的最大磁通量為Φm，線框中的最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為Em，下列說法中正確的是

A．在穿過線框的磁通量為的時(shí)刻，線框中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為

B．在穿過線框的磁通量為的時(shí)刻，線框中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為

C．線框每轉(zhuǎn)動(dòng)一周，線框中的感應(yīng)電流方向改變一次

D．線框轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為

 

【答案】

BD

【解析】

試題分析：閉合線框在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中繞垂直于磁場(chǎng)方向的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，若從中性面開始計(jì)時(shí)，穿過線框的磁通量Φ按余弦規(guī)律變化，線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)按正弦規(guī)律變化，在穿過線框的磁通量為的時(shí)刻，線框中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大于，A錯(cuò)誤；在穿過線框的磁通量為的時(shí)刻，線框中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)等于，B項(xiàng)正確；線框每轉(zhuǎn)動(dòng)一周，線框中感應(yīng)電流的方向改變兩次，C錯(cuò)誤；由Em＝BSω＝Φmω解得線框轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為ω＝，D正確．

故選BD

考點(diǎn)：考查了交流電的產(chǎn)生原理

點(diǎn)評(píng)：本題就是考查學(xué)生對(duì)最大感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為和最大磁通量的理解，應(yīng)用公式可直接求出．

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?北京）均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m，將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場(chǎng)邊界面平行，當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)．
（1）求cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大��；
（2）若此時(shí)線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?永康市模擬）均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長L=0.1m，總電阻R=0.1Ω，總質(zhì)量為m=0.1kg．將其置于磁感強(qiáng)度B=1.0T的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場(chǎng)邊界面平行，取g=10m/s2．
（1）當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，線框做勻速直線運(yùn)動(dòng)，求線框下落的高度h；
（2）線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中的電功率P；
（3）若磁場(chǎng)的寬度等于L，從cd剛進(jìn)入磁場(chǎng)到ab完全離開磁場(chǎng)的過程中，試在答題卷的坐標(biāo)紙中畫出cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差Ucd與時(shí)間的關(guān)系圖線，在圖象中注明關(guān)鍵點(diǎn)的數(shù)據(jù)（不要求書寫求解過程）；
（4）為了減小下落的高度就能使線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)就做勻速直線運(yùn)動(dòng)，三個(gè)同學(xué)各自提出了方案：
甲：用同種規(guī)格的導(dǎo)線，做成邊長為2L的單匝線框；
乙：用同種材料但粗一些的導(dǎo)線，做成邊長仍為L的單匝線框；
丙：用同種規(guī)格的導(dǎo)線，做成邊長仍為L的雙匝線框；
對(duì)上述三位同學(xué)的方案，請(qǐng)給出你的評(píng)價(jià)．

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年江西省高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a        

B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為

D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場(chǎng)的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)?i>a→b→c→d→a　　　　

B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為

C．線圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為

D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場(chǎng)的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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科目：高中物理 來源：2012屆江西省贛州三中、于都中學(xué)高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動(dòng)．在線框的下方，有一個(gè)上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)區(qū)高度為2L，磁場(chǎng)方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)．對(duì)此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a
B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，a、b兩點(diǎn)間的電壓為
C．線圈在磁場(chǎng)以上，下落的高度為
D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場(chǎng)的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

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