分析 (1)粒子在板間沿中線直線運(yùn)動,則電場力與洛侖茲力平衡,于是電場強(qiáng)度就求出來.又由于粒子甲從y軸上的P(0,R)點(diǎn)離開磁場,所以粒子的軌道半徑等于圓形區(qū)域的半徑,于是粒子在圓形磁場轉(zhuǎn)過$\frac{1}{4}$圓周,時(shí)間就很容易求出.
(2)當(dāng)把兩金屬板均上移時(shí),乙粒子由于電性相反,但仍然有 qE=qvB0,即仍沿與x軸平行的直線運(yùn)動進(jìn)入圓形磁場區(qū)域.粒子向下偏轉(zhuǎn)的圓形軌跡半徑不變,寫出兩個圓的方程,求出交點(diǎn)坐標(biāo),則就是乙粒子離開圓形區(qū)域的位置.
(3)由幾何關(guān)系找到兩次乙粒子經(jīng)過Y軸位置坐標(biāo),求出偏轉(zhuǎn)角度,從而求出兩次通過Y軸的時(shí)間差.
解答 解:(1)粒子在兩板間受力平衡:qE=qvB0
由分析知粒子在磁場中運(yùn)動的軌跡半徑r與磁場的圓形區(qū)域半徑R相等,且運(yùn)動 $\frac{1}{4}$圓周
由牛頓第二定律得qvB=$\frac{m{v}^{2}}{r}$
解得電場強(qiáng)度大小E=$\frac{qB{B}_{0}R}{m}$
粒子在圓形磁場區(qū)域內(nèi)運(yùn)動的時(shí)間 t=$\frac{2πr}{4v}$=$\frac{πm}{2qB}$
(2)粒子乙通過兩板間時(shí)電場力和洛侖茲力均變?yōu)榕c原來相反,仍然有 qE=qvB0,即仍沿與x軸平行的直線運(yùn)動
在圖示坐標(biāo)系中,磁場圓的方程為x2+y2=R2
粒子軌跡圓的圓心為(-$\frac{\sqrt{3}R}{2}$,-$\frac{R}{2}$)
粒子軌跡圓方程為(x+$\frac{\sqrt{3}R}{2}$)2+(y+$\frac{R}{2}$)2=R2
令軌跡圓方程的x=0,得到兩個解:(0,0)和(0,-R),由題意知:粒子離開圓形區(qū)域的位置坐標(biāo)為(0,-R)
(3)在軌跡方程中,當(dāng)x=0,解得y1=0,y2=-R
因此粒子軌跡通過坐標(biāo)原點(diǎn),粒子在磁場中的軌跡如圖所示
粒子運(yùn)動周期為 T=$\frac{2πr}{v}$
通過y1及y2的時(shí)間間隔為t=$\frac{T}{6}$=$\frac{πm}{3qB}$
答:(1)兩板間的電場強(qiáng)度大小$\frac{qB{B}_{0}R}{m}$,粒子甲在圓形區(qū)域內(nèi)運(yùn)動的時(shí)間為$\frac{πm}{2qB}$.
(2)粒子乙離開圓形區(qū)域的位置坐標(biāo)為(0,-R).
(3)粒子乙兩次通過y軸的時(shí)間間隔$\frac{πm}{3qB}$.
點(diǎn)評 本題的靚點(diǎn)在于應(yīng)用圓的方程來解決問題:①第一及第二問是為第三問作一個鋪墊,當(dāng)平行板上移,且粒子變?yōu)橄喾吹牧W訒r(shí),則其偏轉(zhuǎn)方向要變化,而圓的半徑不變;②當(dāng)軌跡圓圓心位置相應(yīng)發(fā)生變化而半徑不變時(shí),寫出軌跡圓方程聯(lián)立區(qū)域圓方程,聯(lián)立兩方程解出交點(diǎn)坐標(biāo),從而得到結(jié)果.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 甲圖中,無淪F1的大小如何,只要F1作用時(shí)間足夠長,則物塊和木板就可分離 | |
B. | 乙圖中,只有F2的大小大于某一值時(shí),才可能使物塊和木板分離 | |
C. | 使物塊和木板分離的最小作用力F1>F2 | |
D. | 使物塊和木板分離的最小作用力F1<F2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 通過C點(diǎn)的速率可能等于通過B點(diǎn)的速率 | |
B. | AB段的運(yùn)動時(shí)間大于AC段的運(yùn)動時(shí)間 | |
C. | 物塊將加速至C勻速至E | |
D. | 一直加速運(yùn)動到E,但AC段的加速度比CE段小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 金屬棒向右做勻減速直線運(yùn)動 | |
B. | 金屬棒在x=1 m處的速度大小為0.5m/s | |
C. | 金屬棒從x=0運(yùn)動到x=1m過程中,外力F所做的功為-0.175 J | |
D. | 金屬棒從x=0運(yùn)動到x=2m過程中,流過金屬棒的電量為2C |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電荷在a點(diǎn)受到電場力方向必定與場強(qiáng)方向一致 | |
B. | 同一點(diǎn)電荷放在a點(diǎn)受到的電場力比放在b點(diǎn)時(shí)受到電場力大 | |
C. | 正電荷放在a點(diǎn)靜止釋放,在電場力作用下運(yùn)動的軌跡與電場線一致 | |
D. | a點(diǎn)的電場強(qiáng)度較大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 小滑塊所受支持力FN=mgtanθ | B. | 小滑塊所受支持力FN=$\frac{mg}{tanθ}$ | ||
C. | 水平恒力F=$\frac{m(M+m)g}{Mtanθ}$ | D. | 水平恒力F=$\frac{mg}{tanθ}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 3N、4N、5N | B. | 3N、5N、9N | C. | 4N、6N、11N | D. | 5N、6N、9N |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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