【題目】如圖所示，水平地面上方的矩形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，兩個(gè)用相同材料、相同粗細(xì)的導(dǎo)線(xiàn)繞制的單匝閉合正方形線(xiàn)圈1和2，其邊長(zhǎng)分別是L1和L2，L1>L2。兩個(gè)線(xiàn)圈均在距磁場(chǎng)上邊界高處由靜止開(kāi)始自由下落。整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，線(xiàn)圈平面始終保持在豎直平面內(nèi)且下邊緣平行于磁場(chǎng)上邊界，設(shè)線(xiàn)圈1和2剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的加速度大小分別為a1、a2，不計(jì)空氣阻力，則

A. a1=a2B. a1>a2

C. a1<a2D. 條件不足，無(wú)法比較a1、a2的大小

【答案】A

【解析】

線(xiàn)圈從同一高度下落，到達(dá)磁場(chǎng)邊界時(shí)具有相同的速度，切割磁感線(xiàn)產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)，受到磁場(chǎng)的安培力大小為：，由電阻定律有：（為材料的電阻率，為線(xiàn)圈的邊長(zhǎng)，為導(dǎo)線(xiàn)的橫截面積），線(xiàn)圈的質(zhì)量：，（為材料的密度），當(dāng)線(xiàn)圈的下邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)其加速度為：，聯(lián)立得加速度為： ，可知線(xiàn)圈1和2剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的加速度大小相同，故選項(xiàng)A正確，B、C、D錯(cuò)誤。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，為“驗(yàn)證碰撞中的動(dòng)量守恒”的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。已知a、b小球的質(zhì)量分別為ma、mb，半徑相同，圖中P點(diǎn)為單獨(dú)釋放a球的平均落點(diǎn)，M、N是a、b小球碰撞后落點(diǎn)的平均位置.

(1)本實(shí)驗(yàn)必須滿(mǎn)足的條件是___________.

A．斜槽軌道必須是光滑的

B．斜槽軌道末端的切線(xiàn)水平

C．入射小球每次都從斜槽上的同一位置無(wú)初速度釋放

D．入射球與被碰球滿(mǎn)足ma=mb

(2)為了驗(yàn)證動(dòng)量守恒定律，需要測(cè)量OP間的距離x1、OM間的距離x2和___________.

(3)為了驗(yàn)證動(dòng)量守恒，需驗(yàn)證的關(guān)系式是___________.

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】一個(gè)做勻加速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)的物體，先后經(jīng)過(guò)A、B兩點(diǎn)時(shí)的速度分別是v和7v，經(jīng)過(guò)AB的時(shí)間是t，則下列判斷中不正確的是

A.經(jīng)過(guò)A、B中點(diǎn)的速度是5v

B.經(jīng)過(guò)A、B中間時(shí)刻的速度是4v

C.前時(shí)間通過(guò)的位移比后時(shí)間通過(guò)的位移少1.5vt

D.前位移所需時(shí)間是后位移所需時(shí)間的1.5倍

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】某型號(hào)的艦載飛機(jī)在航空母艦的跑道上加速時(shí)，發(fā)動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的最大加速度為a=5m/s2，所需的起飛速度為v=50m/s，跑道長(zhǎng)x=100m。試通過(guò)計(jì)算判斷，飛機(jī)能否靠自身的發(fā)動(dòng)機(jī)從艦上起飛？為了使飛機(jī)在開(kāi)始滑行時(shí)就有一定的初速度，航空母艦裝有彈射裝置。對(duì)于該型號(hào)的艦載機(jī)，彈射系統(tǒng)必須使它具有多大的初速度v0？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】甲、乙兩個(gè)物體在同一直線(xiàn)上運(yùn)動(dòng)，其x－t圖象分別為曲線(xiàn)a和直線(xiàn)b，其中直線(xiàn)b與曲線(xiàn)a相切于點(diǎn)(4，－15)。已知甲做勻變速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，下列說(shuō)法正確的是

A. 第1 s內(nèi)兩物體運(yùn)動(dòng)方向相反

B. 前4 s內(nèi)甲的平均速度是乙的平均速度的3倍

C. t＝0時(shí)刻，甲的速度大小為9 m/s

D. 甲的加速度大小為2 m/s2

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，粗糙水平軌道AB與半徑為R的光滑半圓豎直軌道BC相連接。質(zhì)量為m的小物塊在水平恒力F作用下，從A點(diǎn)由靜止開(kāi)始向右運(yùn)動(dòng)，當(dāng)小物塊運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)時(shí)撒去力F，小物塊沿半圓形軌道運(yùn)動(dòng)恰好能通過(guò)軌道最高點(diǎn)C，小物塊脫離半圓形軌道后剛好落到原出發(fā)點(diǎn)A。已知物塊與水平軌道AB間的動(dòng)摩擦因數(shù)=0.75，重力加速度為g，忽略空氣阻力。求：

（1）小物塊經(jīng)過(guò)半圓形軌道B點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力大小；

（2）A、B間的水平距離；

（3）小物塊所受水平恒力F的大小。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，真空中三點(diǎn)A、B、C構(gòu)成邊長(zhǎng)為L的等邊三角形，EF是其中位線(xiàn)，在E、F點(diǎn)分別放置電荷量均為Q的正、負(fù)點(diǎn)電荷。下列說(shuō)法正確的是

A. A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為

B. A點(diǎn)的電勢(shì)低于C點(diǎn)的電勢(shì)

C. 電勢(shì)差UEB等于電勢(shì)差UCF

D. 負(fù)電荷在B點(diǎn)的電勢(shì)能小于在C點(diǎn)的電勢(shì)能

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】關(guān)于磁感應(yīng)強(qiáng)度B，下列說(shuō)法正確的是(　　)

A. 一小段通電導(dǎo)線(xiàn)放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為零處，它所受的磁場(chǎng)力一定為零

B. 根據(jù)磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義式B＝可知，磁感應(yīng)強(qiáng)度B與F成正比，與IL成反比

C. 一小段通電導(dǎo)線(xiàn)在某處不受磁場(chǎng)力的作用，則該處的磁感應(yīng)強(qiáng)度一定為零

D. 磁場(chǎng)中某處磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向，與通電導(dǎo)線(xiàn)在該處所受磁場(chǎng)力的方向相同

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】某種氣體在不同溫度下的氣體分子速率分布曲線(xiàn)如圖所示，圖中橫坐標(biāo)v表示分子速率，縱坐標(biāo)表示各等間隔速率區(qū)間的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比，由圖可知（ ）。

A. 氣體的所有分子，其速率都在某個(gè)數(shù)值附近

B. 某個(gè)氣體分子在高溫狀態(tài)時(shí)的速率不可能與低溫狀態(tài)時(shí)相等

C. 高溫狀態(tài)下大多數(shù)分子的速率大于低溫狀態(tài)下大多數(shù)分子的速率

D. 高溫狀態(tài)下分子速率的分布范圍相對(duì)較小

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