如圖所示,真空中有一以(r,0)為圓心、半徑為r的圓柱形勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面向里,在y≥r的范圍內(nèi),有方向水平向左的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度的大小為E;從O點(diǎn)向不同方向發(fā)射速率相同的質(zhì)子,質(zhì)子的運(yùn)動軌跡均在紙面內(nèi)。已知質(zhì)子的電荷量為e,質(zhì)量為m,質(zhì)子在磁場中的偏轉(zhuǎn)半徑也為r,不計重力及阻力的作用,求:

(1)質(zhì)子射入磁場時的速度大。

(2)速度方向沿x軸正方向射入磁場的質(zhì)子,到達(dá)y軸所需的時間;

(3)速度方向與x軸正方向成30°角(如圖中所示)射入磁場的質(zhì)子,到達(dá)y軸的位置坐標(biāo)。

解:(1)質(zhì)子射入磁場后做勻速圓周運(yùn)動,洛倫茲力提供向心力

由evB=m

v=

(2)質(zhì)子沿x軸正方向射入磁場經(jīng)圓弧后,以速度v垂直于電場方向進(jìn)入電場

由于T=

所以,質(zhì)子在磁場中運(yùn)動的時間為t1==

質(zhì)子進(jìn)入電場后做類平拋運(yùn)動,沿電場方向運(yùn)動r后達(dá)到y(tǒng)軸,因此有

t2==

所求時間為t=t1+t2=+。

(3)質(zhì)子在磁場中轉(zhuǎn)過120°角后從P點(diǎn)垂直電場進(jìn)入電場,如圖所示P點(diǎn)距y軸的距離為x1=r+rsin30°=1.5r

設(shè)質(zhì)子到達(dá)y軸所需時間為t3,則

由x1=t32得:

t3=

在y方向質(zhì)子做勻速直線運(yùn)動,因此有

y=vt3=Br

所以,質(zhì)子到達(dá)y軸的位置坐標(biāo)為(0,r+Br3ermE)。

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如圖所示,真空中有一垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,其邊界為同心圓,內(nèi)、外半徑分別為r和R.圓心處有一粒子源不斷地沿半徑方向射出質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子,其速度大小為v,不計粒子重力.若R=(
2
+1)r
,為使這些粒子不射出磁場外邊界,勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度至少為多大?

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如圖所示,真空中有一勻強(qiáng)電場和水平面成一定角度斜向上,一個電荷量為Q=-5×10-6 C的點(diǎn)電荷固定于電場中的O處,在a處有一個質(zhì)量為m=9×10-3 kg、電荷量為q=2×10-8C的點(diǎn)電荷恰能處于靜止,a與O在同一水平面上,且相距為r=0.1m.現(xiàn)用絕緣工具將q搬到與a在同一豎直平面上的b點(diǎn),Oa=Ob且相互垂直,在此過程中外力至少做功為(  )

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如圖所示,真空中有一直角坐標(biāo)系xOy,M、N分別是y軸和x軸上的兩點(diǎn).該空間內(nèi)有一勻強(qiáng)電場,方向沿y軸負(fù)方向.一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子從M點(diǎn)以速度v0沿x軸正方向射出,恰能通過N點(diǎn).已知OM=d,ON=2d,不計粒子重力.
(1)求該勻強(qiáng)電場場強(qiáng)E的大。
(2)若撤去該勻強(qiáng)電場,在該空間加一勻強(qiáng)磁場,仍讓這個帶電粒子從M點(diǎn)以速度v0沿x軸正方向射出,粒子仍通過N點(diǎn),求所加勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小和方向.

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(2010?安丘市模擬)如圖所示,真空中有一束平行單色光射入厚度為h的玻璃磚,光與玻璃磚上表面的夾角為θ,入射光束左邊緣與玻璃磚左端距離為b1,經(jīng)折射后出射光束左邊緣與玻璃磚的左端距離為b2,真空中的光速為c.則
①請在圖乙中作出光路圖;
②求光在玻璃磚中的傳播速度v.

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精英家教網(wǎng)如圖所示,真空中有一電子束,以初速度v0沿著垂直場強(qiáng)方向從O點(diǎn)進(jìn)入電場.以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),垂直場強(qiáng)方向?yàn)閤軸,沿場強(qiáng)方向?yàn)閥軸建立坐標(biāo)系.沿x軸取A、B、C三點(diǎn),且OA=AB=BC,再自A、B、C點(diǎn)作y軸的平行線與電子徑跡分別交于M、N、P點(diǎn),則AM:BN:CP=
 
,電子束經(jīng)M、N、P三點(diǎn)時沿x軸的分速度之比為
 

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