（8分）運(yùn)用玻意耳定律可以測(cè)量小晶體的密度，實(shí)驗(yàn)步驟如下：

Ⅰ．取適量小晶體，用天平測(cè)出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；

Ⅱ．緩慢推動(dòng)活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V1，通過(guò)壓強(qiáng)傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計(jì)算機(jī)上讀取此時(shí)氣體的壓強(qiáng)P1；

Ⅲ．重復(fù)步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強(qiáng)P2；

Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實(shí)驗(yàn)誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來(lái)處理表格中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標(biāo)應(yīng)標(biāo)明的物理量是_____________，橫坐標(biāo)則應(yīng)標(biāo)明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫(huà)出相應(yīng)圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強(qiáng)P 的關(guān)系表達(dá)式為：v0=__________________；

（3）實(shí)驗(yàn)測(cè)得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg，則小晶體的密度大小為_(kāi)_______kg/m3．

 

（1）V ； （ 圖略 ）  （4分）

（2）V－k/p   （2分）        （3）2.16×103   （2分）

解析:

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

運(yùn)用玻意耳定律可以測(cè)量小晶體的密度，實(shí)驗(yàn)步驟如下：
Ⅰ．取適量小晶體，用天平測(cè)出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；
Ⅱ．緩慢推動(dòng)活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V1，通過(guò)壓強(qiáng)傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計(jì)算機(jī)上讀取此時(shí)氣體的壓強(qiáng)P1；
Ⅲ．重復(fù)步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強(qiáng)P2；
Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．
測(cè)量
次數(shù)
物理量		 1 2 3 4
P/105Pa 0.77 1.00 1.33 1.82
V/10-5m3 1.20 1.00 0.85 0.65
（1）為了減小實(shí)驗(yàn)誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來(lái)處理表格中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標(biāo)應(yīng)標(biāo)明的物理量是
 
，橫坐標(biāo)則應(yīng)標(biāo)明
 
，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖2中畫(huà)出相應(yīng)圖線；
（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強(qiáng)P 的關(guān)系表達(dá)式為：v0=
 
；
（3）實(shí)驗(yàn)測(cè)得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg，則小晶體的密度大小為
 
kg/m3．
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

運(yùn)用玻意耳定律可以測(cè)量小晶體的密度，實(shí)驗(yàn)步驟如下：

Ⅰ．取適量小晶體，用天平測(cè)出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；

Ⅱ．緩慢推動(dòng)活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V1，通過(guò)壓強(qiáng)傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計(jì)算機(jī)上讀取此時(shí)氣體的壓強(qiáng)P1；

Ⅲ．重復(fù)步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強(qiáng)P2；

Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實(shí)驗(yàn)誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來(lái)處理表格中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標(biāo)應(yīng)標(biāo)明的物理量是_____________，橫坐標(biāo)則應(yīng)標(biāo)明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫(huà)出相應(yīng)圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強(qiáng)P 的關(guān)系表達(dá)式為：v0=__________________；

（3）實(shí)驗(yàn)測(cè)得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg，則小晶體的密度大小為_(kāi)_______kg/m3．

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科目：高中物理 來(lái)源：上海市長(zhǎng)寧區(qū)2010屆高三下學(xué)期質(zhì)量抽測(cè)（二模）物理試卷 題型：實(shí)驗(yàn)題

（8分）運(yùn)用玻意耳定律可以測(cè)量小晶體的密度，實(shí)驗(yàn)步驟如下：
Ⅰ．取適量小晶體，用天平測(cè)出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；
Ⅱ．緩慢推動(dòng)活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V1，通過(guò)壓強(qiáng)傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計(jì)算機(jī)上讀取此時(shí)氣體的壓強(qiáng)P1；
Ⅲ．重復(fù)步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強(qiáng)P2；
Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實(shí)驗(yàn)誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來(lái)處理表格中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標(biāo)應(yīng)標(biāo)明的物理量是_____________，橫坐標(biāo)則應(yīng)標(biāo)明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫(huà)出相應(yīng)圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強(qiáng)P的關(guān)系表達(dá)式為：v0=__________________；
（3）實(shí)驗(yàn)測(cè)得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg，則小晶體的密度大小為_(kāi)_______kg/m3．

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科目：高中物理 來(lái)源：上海市長(zhǎng)寧區(qū)2010屆高三下學(xué)期質(zhì)量抽測(cè)（二模）物理試卷 題型：實(shí)驗(yàn)題

（8分）運(yùn)用玻意耳定律可以測(cè)量小晶體的密度，實(shí)驗(yàn)步驟如下：

Ⅰ．取適量小晶體，用天平測(cè)出其質(zhì)量，然后將小晶體裝入注射器內(nèi)；

Ⅱ．緩慢推動(dòng)活塞至某一位置，記錄活塞所在位置的容積刻度V1，通過(guò)壓強(qiáng)傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計(jì)算機(jī)上讀取此時(shí)氣體的壓強(qiáng)P1；

Ⅲ．重復(fù)步驟Ⅱ，記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強(qiáng)P2；

Ⅳ．處理記錄的數(shù)據(jù)，算出小晶體的密度．

（1）為了減小實(shí)驗(yàn)誤差，現(xiàn)采用作直線圖線的方法來(lái)處理表格中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)．按此要求，右邊方格圖的縱坐標(biāo)應(yīng)標(biāo)明的物理量是_____________，橫坐標(biāo)則應(yīng)標(biāo)明_____________，根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫(huà)出相應(yīng)圖線；

（2）如果圖線的斜率用k表示，則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強(qiáng)P 的關(guān)系表達(dá)式為：v0=__________________；

（3）實(shí)驗(yàn)測(cè)得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg，則小晶體的密度大小為_(kāi)_______kg/m3．

 

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