下列關(guān)于實驗安全的敘述中錯誤的是

A.實驗時手掌不小心沾上苯酚，立即用65o以上的熱水清洗

B.汞灑落后，應(yīng)立即撒上硫磺，并打開墻下面的排氣扇

C.萬一眼中濺進(jìn)酸或堿溶液，應(yīng)立即用水沖洗（切忌用手揉），然后請醫(yī)生處理

D.少量濃硫酸濺到皮膚上，立即用大量水沖洗。

根據(jù)原子結(jié)構(gòu)及元素周期律的知識，下列敘述正確的是

A．由于相對分子質(zhì)量：HCl＞HF，故沸點：HCl＞HF

B．硅處于金屬與非金屬的過渡位置，硅可用作半導(dǎo)體材料

C．由于氮元素的最低化合價只有-3價，故NH5這種物質(zhì)不可能存在

D．Cl－、S2－、Ca2＋、K＋半徑逐漸減小

下列裝置合理，且能達(dá)到實驗?zāi)康牡氖?/p>

X、Y、Z、W、Q是原子序數(shù)依次增大的5種短周期主族元素，X+既無電子也無中子，Z原子的最外層電子數(shù)與最內(nèi)層相等，Y、Z的最高正價之和與Q的最高正價相等，W的最高正價與最低負(fù)價代數(shù)和為0。X的單質(zhì)與Q的單質(zhì)混合強(qiáng)光照時可發(fā)生爆炸。下列說法正確的是

A．直接電解海水可獲得Z的單質(zhì) B．原子半徑：Q>W>Z>Y>X

C．Q的含氧酸一定是強(qiáng)酸 D．Q的一種氧化物可作為自來水的殺菌消毒劑

設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列敘述正確的是

A．pH=1的稀硫酸中含有的H+ 數(shù)為0.1NA

B．1 mol Na2O和Na2O2混合物中含有的陰、陽離子總數(shù)是3NA

C．50mL 18.4mol/L濃硫酸與足量銅微熱反應(yīng)，生成SO2分子數(shù)目為0.46NA

D．80g NH4NO3晶體中含有NH4+小于個NA

下列離子方程式正確的是

A．蘇打溶液與稀鹽酸反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式：HCO3－＋H+= CO2↑＋H2O

B．Fe2O3與HI：Fe2O3+6H+=2Fe3++3H2O

C．NaHCO3溶液中滴加少量澄清石灰水：2HCO3—+Ca2++2OH—= CaCO3↓+2H2O+ CO32—

D．濃燒堿溶液中加入鋁片：Al＋OH－＋H2O＝AlO2－＋H2↑

有些科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”，這主要是由于作為半導(dǎo)體材料的硅在太陽能發(fā)電過程中具有重要的作用．下列關(guān)于硅的說法不正確的是

A．高純度的單質(zhì)硅被廣泛用于制作計算機(jī)芯片

B．硅可由二氧化硅還原制得

C．常溫時硅與水、空氣和酸不反應(yīng)，但能與氫氟酸反應(yīng)

D．自然界硅元素的貯量豐富，并存在大量的單質(zhì)硅

下列有關(guān)金屬的說法中，正確的是

①純鐵較生鐵不易生銹；②冶煉鋁和鈉都可以用電解法；③KSCN溶液可以檢驗Fe3+離子；④缺鈣會引起骨質(zhì)疏松，缺鐵會引起貧血；⑤青銅、不銹鋼、硬鋁都是合金；⑥銅與硫反應(yīng)，生成黑色的CuS

A．①②③④⑤ B．②③④⑤⑥ C．①③④⑤ D．①②③④⑤⑥

化合物Ⅰ（C11H12O3）是制備液晶材料的中間體之一，其分子中含有醛基和酯基。Ⅰ可以用E 和H在一定條件下合成：

已知：①A的核磁共振氫譜表明其只有一種化學(xué)環(huán)境的氫；

②RCH=CH2RCH2CH2OH

③化合物F苯環(huán)上的一氯代物只有兩種；

④通常在同一個碳原子上連有兩個羥基不穩(wěn)定，易脫水形成羰基。

（1）A的化學(xué)名稱為 ；

（2）D的結(jié)構(gòu)簡式為 ；

（3）I的結(jié)構(gòu)簡式為 ；

（4）寫出下列反應(yīng)的類型：A→B: ；C→D: _____________

（5）F生成G的化學(xué)方程式為：_______________；

（6）I的同系物J比I相對分子質(zhì)量小14，J能同時滿足如下條件：①苯環(huán)上只有兩個取代基，②能發(fā)生銀鏡反應(yīng)，③能和飽和NaHCO3溶液反應(yīng)放出CO2；符合上述條件的同分異構(gòu)體共有 種（不考慮立體異構(gòu)）。若J的一個同分異構(gòu)體發(fā)生銀鏡反應(yīng)并酸化后核磁共振氫譜為三組峰，且峰面積比為2:2:1，寫出J的這種同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式_______________。

如圖為課本中的插圖，下列操作不合理的是