硅是重要的半導體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題:

(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為 ,該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。

(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。

(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。

(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學方程式為 。

(5)碳和硅的有關(guān)化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:

化學鍵

C—C

C—H

C—O

Si—Si

Si—H

Si—O

鍵能/(kJ•mol-1

356

413

336

226

318

452

①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是 。

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是 。

(6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 ,Si與O的原子數(shù)之比為 ,化學式為 。

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(1)A的電子式 B的結(jié)構(gòu)簡式

(2)A使溴的四氯化碳溶液褪色的化學反應(yīng)方程式: ,反應(yīng)類型: ;

(3)B與濃硫酸和濃硝酸在50~60℃反應(yīng)的化學反應(yīng)方程式: ,

反應(yīng)類型: 。

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已知A物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)簡式如圖,1mol A與足量的NaOH溶液混合共熱,充分反應(yīng)后最多消耗NaOH的物質(zhì)的量為( )

A.6mol B.7mol C.8mol D.9mol

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下列有關(guān)物質(zhì)的性質(zhì)或應(yīng)用的說法正確的是( )

A. 在甲苯中加入少量酸性高錳酸鉀溶液,振蕩后褪色,正確的解釋是由于側(cè)鏈與苯環(huán)的相互影響,使側(cè)鏈和苯環(huán)均易被氧化

B. 用核磁共振氫譜鑒別1﹣丙醇和2﹣丙醇

C. 間二溴苯僅有一種空間結(jié)構(gòu)可證明苯分子中不存在單雙鍵交替的結(jié)構(gòu)

D. 甲烷、乙烯和苯在工業(yè)上都可通過石油分餾得到

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有5種元素X、Y、Z、Q、T。X原子M層上有2個未成對電子且無空軌道;Y原子的特征電子構(gòu)型為3d64s2;Z原子的L電子層的p能級上有一個空軌道;Q原子的L電子層的P能級上只有一對成對電子;T原子的M電子層上p軌道半充滿。下列敘述不正確的是( )

A.元素Y和Q可形成化合物Y2O3

B.T和Z各有一種單質(zhì)的空間構(gòu)型為正四面體形

C.X和Q結(jié)合生成的化合物為離子化合物

D.ZO2是極性鍵構(gòu)成的非極性分子

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下列說法或有關(guān)化學用語的表達正確的是( )

A. 在基態(tài)多電子原子中,p軌道電子能量一定高于s軌道電子能量

B. 基態(tài)Fe原子的外圍電子排布圖為

C. 因氧元素電負性比氮元素大,故氧原子第一電離能比氮原子第一電離能大

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