【題目】下列反應中，硫酸既表現(xiàn)出強氧化性，又表現(xiàn)出酸性的是（ ）
A.稀硫酸與鋅粒反應生成氣體
B.濃硫酸使鐵、鋁鈍化
C.濃硫酸與銅反應加熱反應產(chǎn)生SO2
D.濃硫酸和木炭在加熱條件下反應

【答案】C
【解析】解：A．稀硫酸與鋅粒反應生成氣體，只表現(xiàn)硫酸的酸性，故A不選； B．濃硫酸使鐵、鋁鈍化，只表示硫酸的強氧化性，故B不選；
C．銅與濃硫酸反應生成硫酸銅、二氧化硫和水，硫酸既表現(xiàn)出了強氧化性又表現(xiàn)了酸性，故C選；
D．木炭粉與濃硫酸反應生成二氧化碳和二氧化硫、水，只表示硫酸的強氧化性，故D不選；
故選：C．

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】常溫下，一定濃度的某溶液，由水電離的出的c(OH-)=1×10-4 mol/L，則該溶液中的溶質可能是

A．H2SO4 B．NaOH C．KHSO4 D．CH3COONa

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】【化學—物質結構與性質】如右圖是元素周期表的一部分。已知R的核電荷數(shù)小于36，氣態(tài)氫化物沸點：MHn>YHn。

（1）表中五種元素第一電離能最大的是 （填元素符號），Y的最簡單氫化物分子的空間構型為 ，基態(tài)R原子中有 個未成對電子。

（2）Y的最高價氧化物熔點比M的最高價氧化物熔點低，原因是 ，YZ－中σ鍵與π鍵的個數(shù)比為 。

（3）YO32－中Y原子的雜化方式是 ，寫出一種與YO32－互為等電子體的粒子 （用化學符號表示）。

（4）Z的一種常見氫化物能與硫酸銅反應生成配合物。請用結構簡式表示該配合物中的陽離子： 。

（5）如圖為某金屬單質的面心立方晶胞結構示意圖，該晶體中配位數(shù)是 ；測得此晶體的密度為2.7g.cm－3，晶胞的邊長為0.405nm，則此金屬原子的相對原子質量為 （結果保留整數(shù)）。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】決定化學反應速率的主要因素是（ ）
A.反應物本身的性質
B.催化劑
C.溫度
D.壓強

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】用pH試紙測定某無色溶液的pH時，規(guī)范的操作是（ ）

A．將pH試紙放入溶液中觀察其顏色變化，跟標準比色卡比較

B．將溶液倒在pH試紙上，跟標準比色卡比較

C．用干燥的潔凈玻璃棒蘸取溶液，滴在pH試紙上，跟標準比色卡比較

D．在試管內(nèi)放入少量溶液，煮沸，把pH試紙放在管口，觀察顏色，跟標準比色卡比較

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】W、X、Y、Z是短周期元素，其部分性質如下表：

W

單質是淡黃色固體

X

在地殼中的含量居第二位

Y

原子最外層電子數(shù)是電子總數(shù)的2/3

Z

第3周期原子半徑最小的金屬

下列說法正確的是

A. 氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：X>W

B. 非金屬性：Y < W；離子半徑：Z > W

C. W在空氣中充分燃燒所得產(chǎn)物，可用于殺菌消毒

D. 金屬Z與少量NaOH溶液反應，生成兩性氫氧化物

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】（12分）圖表法是常用的科學研究方法,下表列出了同周期的四種短周期元素的部分性質（“電負性”即元素對應原子吸引電子能力的標度）：

元素編號

A

B

C

D

E

電負性

3．0

2．5

X[

1．5

0．9

原子半徑（單位nm）

0．099

0．102

0．110

0．143

0．186

主要化合價

-1，+7

-2，+6

-3，+5

+3

+1

請回答下列問題：

（1）寫出E元素的離子結構示意圖 ；

（2）X的值應為 （填字母）；

A．3．6 B．3．1 C．2．1 D．1．4

（3）分析表中數(shù)據(jù)，簡述同周期元素（除惰性氣體）電負性大小與原子半徑的關系 ；

（4）A、B、C三種元素形成的氫化物中，其穩(wěn)定性由強到弱的順序是： （用化學式表示）

（5）A、D最高價氧化物對應水化物相互反應的化學方程式：

（6）D、E最高價氧化物對應水化物相互反應的離子方程式：

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】已知可逆反應aA＋bBcC中，物質的含量A%和C%隨溫度的變化曲線如圖所示，下列說法正確的是

A．該反應在T1、T3溫度時達到過化學平衡

B．該反應在T2溫度時達到過化學平衡

C．該反應的逆反應是放熱反應

D．升高溫度，平衡會向正反應方向移動

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用炭還原二氧化硅制得粗硅；

②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl3：Si＋3HClSiHCl3＋H2；

③SiHCl3與過量H2在1000～1100 ℃反應制得純硅。

已知：SiHCl3能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃。

請回答下列問題：

（1）第①步制備粗硅的化學方程式為_____________________。

（2）用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

①裝置B中的試劑是________。裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_________________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為__________________________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及__________________________。

④SiHCl3的電子式為________，SiHCl3與H2O反應的化學方程式為：_________________。

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