工業(yè)上制備純硅的熱化學(xué)反應(yīng)方程式為：SiCl4(g) + 2H2(g)Si(s) + 4HCl(g)；△H = + Q kJ/mol(Q＞0)，一定溫度、壓強(qiáng)下，將一定量的反應(yīng)物充入密閉容器中進(jìn)行以上反應(yīng)，下列敘述正確的是（    ）

A．反應(yīng)過程中，若增大壓強(qiáng)能提高硅的產(chǎn)率

B．若反應(yīng)開始時H2為2 mol，則達(dá)到平衡時，吸收熱量為Q kJ

C．反應(yīng)至4 min時，若HCl的濃度為0.12 mol/L，則H2的反應(yīng)速率為0.03 mol/(L·min)

D．當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025Q kJ時，生成的HCl通入100 mL 1 mol/L的NaOH溶液中能恰好完全反應(yīng)

Ｄ


解析:

A項(xiàng)，增大壓強(qiáng)，平衡逆向移動，硅的產(chǎn)率降低，A不正確。H2為2 mol，如果完全反應(yīng)，則吸收熱量為Q kJ，該反應(yīng)是一個可逆反應(yīng)，所以應(yīng)小于Q kJ，Ｂ不正確。

Ｃ項(xiàng)，HCl的反應(yīng)速率為0.03 mol/(L·min)，根據(jù)速率比等于化學(xué)系數(shù)比，知H2的反應(yīng)速率為0.１５ mol/(L·min)，所以Ｃ項(xiàng)不正確。當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025Q kJ時，說明有0.1mold的HCl生成，所以D正確。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

我國目前制備多晶硅主要采用三氯氫硅氫還原法、硅烷熱解法和四氯化硅氫還原法．由于三氯氫硅還原法具有一定優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用．其簡化的工藝流程如圖所示：
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（1）制備三氯氫硅的反應(yīng)為：Si（s）+3HCl（g）═SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ?mol-1．
伴隨的副反應(yīng)有：Si（s）+4HCl（g）═SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ?mol-1．
SiCl4在一定條件下與H2反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為SiHCl3，反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為：
SiCl4（g）+H2（g）═SiHCl3（g）+HCl（g）△H=
 
．
（2）由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
 
．該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是
 
（至少寫出兩種）．
（3）由于SiH4具有易提純的特點(diǎn)，因此硅烷熱分解法是制備高純硅很有發(fā)展?jié)摿Φ姆椒ǎI(yè)上廣泛采用的合成硅烷方法是讓硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應(yīng)得到硅烷，化學(xué)方程式是
 
；整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水，否則反應(yīng)將不能生成硅烷，而是生成硅酸和氫氣等，其化學(xué)方程式為
 
；整個系統(tǒng)還必須與氧隔絕，其原因是
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年北京市房山區(qū)房山中學(xué)高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
（1）Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為                ；Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
                                                              。
（2）氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，其反應(yīng)方程式為                                                    。
（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)  △H＜0  
某溫度和壓強(qiáng)條件下，分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi)，進(jìn)行上述反應(yīng)，5min達(dá)到平衡狀態(tài)，所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H2的平均反應(yīng)速率是         mol／(L·min)。
②平衡時容器內(nèi)N2的濃度是          mol·L-1。
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是        。
④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比，向上述容器不斷擴(kuò)大加料，SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)         （填“增大”、“減”或“不變”）。
⑤工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下：
SiCl4(g)＋2H2(g) Si(s)＋4HCl(g)；△H＝＋QkJ·mol－1(Q＞0)
某溫度、壓強(qiáng)下，將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上的反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng))，下列敘述正確的是(   )
A．反應(yīng)過程中，若增大壓強(qiáng)能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率
B．若反應(yīng)開始時SiCl4為1mol，則達(dá)到平衡時，吸收熱量為QkJ
C．當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時，生成的HCl通入100mL1mol·L－1的NaOH恰好反應(yīng)
D．反應(yīng)至4min時，若HCl的濃度為0.12mol·L－1，則H2的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)

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科目：高中化學(xué) 來源：2014屆北京市高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。

（1）Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為                ；Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為

                                                              。

（2）氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，其反應(yīng)方程式為                                                    。

（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：

3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)  △H＜0  

某溫度和壓強(qiáng)條件下，分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi)，進(jìn)行上述反應(yīng)，5min達(dá)到平衡狀態(tài)，所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。

①H2的平均反應(yīng)速率是         mol／(L·min)。

②平衡時容器內(nèi)N2的濃度是          mol·L-1。

③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是        。

④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比，向上述容器不斷擴(kuò)大加料，SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)         （填“增大”、“減”或“不變”）。

⑤工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下：

SiCl4(g)＋2H2(g) Si(s)＋4HCl(g)；△H＝＋QkJ·mol－1(Q＞0)

某溫度、壓強(qiáng)下，將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上的反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng))，下列敘述正確的是(   )

A．反應(yīng)過程中，若增大壓強(qiáng)能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率

B．若反應(yīng)開始時SiCl4為1mol，則達(dá)到平衡時，吸收熱量為QkJ

C．當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時，生成的HCl通入100mL1mol·L－1的NaOH恰好反應(yīng)

D．反應(yīng)至4min時，若HCl的濃度為0.12mol·L－1，則H2的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)

 

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科目：高中化學(xué) 來源：專項(xiàng)題 題型：填空題

我國目前制備多晶硅主要采用三氯氫硅氫還原法、 硅烷熱解法和四氯化硅氫還原法。由于三氯氫硅氫還原法具有一定優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用。其簡化的工藝流程如下圖所示：
(1)制備三氯氫硅的反應(yīng)為：Si(s) +3 HCl(g)=SiHCl3(g)+H2(g) △H=-210 kJ·mol-1。
伴隨的副反應(yīng)有：Si(s)+4HCl(g)=SiCl4(g)+2H2(g) △H=-241 kJ·mol-1。
SiCl4在一定條件下與H2反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為SiHCl3，反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為SiCl4(g)+H2(g)=SiHCl3(g)+HCl(g) △H=___________。
(2)由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為___________。該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是_____________（至少寫出兩種）。
(3)由于SiH4具有易提純的特點(diǎn)，因此硅烷熱分解法是制備高純硅很有發(fā)展?jié)摿Φ姆椒�。工業(yè)上廣泛采用的合成硅烷方法是讓硅化鎂和同體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應(yīng)得到硅烷．化學(xué)方程式是___________；整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水，否則反應(yīng)將不能生成硅烷，而是生成硅酸和氫氣等，其化學(xué)方程式為___________；整個系統(tǒng)還必須與氧隔絕，其原因是___________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（10分）我國目前制備多晶硅主要采用三氯氫硅氫還原法、硅烷熱解法和四氯化硅氫還

原法。由于三氯氫硅還原法具有一定優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用。其簡化的工藝流程如圖所示：

 
 

 

 

 

 

 

 


（1）制備三氯氫硅的反應(yīng)為：Si(s)＋3HCl(g) == SiHCl3(g)＋H2(g)   ΔH=－210 kJ•mol-1。

伴隨的副反應(yīng)有：Si(s)＋4HCl(g) == SiCl4(g)＋2H2(g)   ΔH=－241 kJ•mol-1。

SiCl4在一定條件下與H2反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為SiHCl3，反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為：

SiCl4(g)＋H2(g) == SiHCl3(g)＋HCl(g)  ΔH=           。

（2）由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為　　　　。該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是                   （至少寫出兩種）。

（3）由于SiH4具有易提純的特點(diǎn)，因此硅烷熱分解法是制備高純硅很有發(fā)展?jié)摿Φ姆椒�。工業(yè)上廣泛采用的合成硅烷方法是讓硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應(yīng)得到硅烷，化學(xué)方程式是                      ；整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水，否則反應(yīng)將不能生成硅烷，而是生成硅酸和氫氣等，其化學(xué)方程式為                   ；整個系統(tǒng)還必須與氧隔絕，其原因是                 。

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