請按要求，回答下列問題：

（1）漂白粉有效成分的化學(xué)式為 ，其能消毒殺菌的原因是 （用化學(xué)方程式表示）

（2）小蘇打可用于治療胃酸過多，其反應(yīng)的離子方程式為 。

（3）標(biāo)準(zhǔn)狀況下3.36 L某氣體的質(zhì)量為8.1 g，則該氣體的摩爾質(zhì)量為 g/mol。

（4）某塊光鹵石（KCl·MgCl2·6H2O）中含5.3250 g Cl—，則該光鹵石的物質(zhì)的量為 mol。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：2015-2016學(xué)年河南省三門峽市高一上學(xué)期期中測試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

交叉分類法就是將被分類的對象用 進(jìn)行分類。

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科目：高中化學(xué) 來源：2016屆浙江省高三上學(xué)期第二次月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

石墨烯是從石墨中剝離出來的，其結(jié)構(gòu)如圖所示。單層的石墨烯其厚度只有一個碳原子厚，被證實是世界上已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的最薄、最堅硬的物質(zhì)，可制成電阻率最小的納米材料。下列關(guān)于石墨烯的說法正確的是

A．石墨烯與金剛石互為同位素

B．從石墨中剝離得石墨烯需克服范德華力

C．石墨烯是高分子化合物

D．制成的納米材料微粒直徑在1nm~100nm，因此石墨烯納米材料屬于膠體

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科目：高中化學(xué) 來源：2015-2016學(xué)年山東省高二上學(xué)期期中測試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下列各組物質(zhì)的晶體中，化學(xué)鍵類型相同、晶體類型也相同的是

A．SO2和SiO2 B．NaCl和HCl C．CCl4和KCl D．CO2和H2O

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科目：高中化學(xué) 來源：2015-2016學(xué)年江蘇省無錫市四校高二上學(xué)期期中測試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

Ⅰ.按要求書寫名稱或結(jié)構(gòu)簡式：

（1）羥基的電子式 ；

（2）﹣C3H7結(jié)構(gòu)簡式：_____________、_____________；

（3）的系統(tǒng)命名為 ；

（4）相對分子質(zhì)量為72且支鏈最多的烷烴的結(jié)構(gòu)簡式 ；

（5）C5H10O2的同分異構(gòu)體中，屬于酸類且含有“手性碳原子”的結(jié)構(gòu)簡式為 。

Ⅱ．按要求書寫下列化學(xué)方程式:

（1）丙烯的加聚

（2）1,3-丁二烯與等物質(zhì)的量的單質(zhì)溴在60℃時發(fā)生1,4-加成

（3）甲苯制備TNT

（4）1,2-二溴乙烷與氫氧化鈉水溶液共熱：

（5）乙醛的還原：

（6）乙二醇和乙二酸脫水成二元環(huán)酯

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科目：高中化學(xué) 來源：2015-2016學(xué)年江蘇省無錫市四校高一上學(xué)期期中測試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下列化學(xué)用語的表達(dá)正確的是

A．Na2SO4電離：Na2SO4＝Na2＋＋SO42－

B．Cl－的結(jié)構(gòu)示意圖：

C．質(zhì)子數(shù)為6，中子數(shù)為8的微粒：

D．醫(yī)用“鋇餐”的化學(xué)式：BaSO4

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科目：高中化學(xué) 來源：2015-2016學(xué)年山東省濟(jì)寧市兗州區(qū)高二上學(xué)期期中測試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

已知：CO（g）+Cl2（g）COCl2（g）△H＜0，當(dāng)反應(yīng)達(dá)到平衡時，下列措施中能提高Cl2轉(zhuǎn)化率的是①升溫 ②降溫 ③增加CO濃度 ④加壓 ⑤加催化劑 ⑥恒壓通入惰性氣體

A．①④⑤ B．②③④ C．②④⑤ D． ③⑤⑥

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科目：高中化學(xué) 來源：2015-2016學(xué)年湖南省高一上學(xué)期期中測試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

在xR2+ +yH+ +O2＝mR3+ +nH2O的離子方程式中，對m和R3+判斷正確的是

A．m＝4，R3+是氧化產(chǎn)物 B．m＝2y，R3+是氧化產(chǎn)物

C．m＝2，R3+是還原產(chǎn)物 D． m＝y(tǒng)，R3+是還原產(chǎn)物

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科目：高中化學(xué) 來源：2016屆湖南省高三上學(xué)期第三次月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高、不溶于酸（氫氟酸除外），是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點(diǎn)是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的工藝主要流程如下：

（1）凈化N2和H2時，銅屑的作用是：_________________；硅膠的作用是 。

（2）在氮化爐中3Si(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727.5kJ/mol，開始時為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟龋?u> ；

（3）X可能是 （選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）

（4）如何說明氮化硅產(chǎn)品已用水洗干凈？ 。

（5）用硅粉作硅源、疊氮化鈉（NaN3）作氮源，直接燃燒生成氮化硅（發(fā)生置換反應(yīng)），該反應(yīng)的化學(xué)方程式為： 。

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