晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時得到一種可燃性氣體；

② 粗硅與干燥的HCl氣體反應制得SiCl3（Si+ 3HClSiCl3 + H2）

③ SiHC13與過量的H2在1100～1200℃的溫度下反應制得純硅，已知SiHCi3。能與水劇烈反應，在空氣中易自燃。

請回答：

（1）第一步制取粗硅的化學反應方程式為_________。

（2）粗硅與HCl氣體反應完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點33.0℃ ）中含有少量SiC14 （沸點57.6℃）和HCl（沸點-84.7℃），提純SiHC13采用的方法為________。

（3）實驗室用SiHCl3 與過量的H2反應制取純硅裝置如圖所示（加熱和夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是___________，裝置C中的燒杯需要加熱，目的是___________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是___________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式是___________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及___________。

練習冊系列答案
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（1）請寫出NO2和CO反應的熱化學方程式________________________。

Ⅱ某溫度時，在0.5L密閉容器中，某一反應的A、B氣體物質(zhì)的量隨時間變化的曲線如圖所示，由圖中數(shù)據(jù)分析求得：

（2）該反應的化學方程式為_________________。

（3）反應開始至4min時，B的平均反應速率為___________。

（4）第4min時，正、逆反應速率的大小關系為：v（正）_______v（逆）（填“＞”、“<”或“=”，下同）。

（5）第8min時，v（正）______v（逆）。

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弱酸

HCOOH

HCN

H2CO3

電離平衡常數(shù)（25℃）

1.77×10-4

4.9×10-16

K1=4.3×10-7

K2=5.6×10-11

下列選項錯誤的是（ ）

A．2CN-+H2O+CO2=2HCN+CO32-

B．2HCOOH+CO32-=2HCOO-+H2O+CO2↑

C．中和等體積、等pH的HCOOH和HCN消耗NaOH的量前者小于后者

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