Question

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；

②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl3：Si＋3HClSiHCl3＋H2；

③SiHCl3與過量H2在1 000～1 100 ℃反應制得純硅已知SiHCl3能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃。

請回答下列問題：

(1)第①步制備粗硅的化學方程式為_____________________________________________。

(2)粗硅與HCl反應完全后，經冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6 ℃)和HCl(沸點－84.7 ℃)，提純SiHCl3采用的方法為___________________________。

(3)用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是________。裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是________________________________________________________________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現象是________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為_____________________________________________________________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及___________________________________________________________。

 

Answer 1

(1)SiO2＋2CSi＋2CO↑

(2)分餾(或蒸餾)

(3)①濃硫酸　使滴入燒瓶中的SiHCl3汽化

②有固體生成　在該反應溫度下，普通玻璃會軟化

SiHCl3＋H2Si＋3HCl

③排盡裝置內的空氣

【解析】分離沸點不同的液體的方法是分餾，根據題干“SiHCl3能與H2O強烈反應，在空氣中易自燃”可知道H2的作用之一就是排盡裝置內空氣，防止SiHCl3自燃，而此處的H2必須是干燥的，可知B的作用就是干燥H2，所以選用濃硫酸。由于通入D中應是穩(wěn)定的SiHCl3與過量H2的氣流，所以C裝置需要加熱，并且是水浴加熱，由D裝置應加熱到1 000～1 100 ℃，所以必須用石英管。