【題目】有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如下圖所示,下列說法中不正確的是
A.在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl-形成正八面體
B.在CaF2晶體中,每個晶胞平均占有4個Ca2+
C.在金剛石晶體中,6個碳原子形成一個環(huán)且不在同一平面上
D.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FE
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,下列敘述中正確的是( )
A.32 g S8(分子結(jié)構(gòu):)中的共價鍵數(shù)目為NA
B.1L、0.1mol/L的Na2CO3溶液中含陰離子總數(shù)為0.1NA個
C.標(biāo)準(zhǔn)狀況下,22.4LHF含NA個分子
D.標(biāo)準(zhǔn)狀況下,11.2 L Cl2溶于水,溶液中Cl-、ClO-和HClO的微粒數(shù)之和為NA
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下圖是第3周期11~17號元素某些性質(zhì)變化趨勢的柱形圖。下列有關(guān)說法中正確的是( )
A.y軸表示的可能是電離能B.y軸表示的可能是電負(fù)性
C.y軸表示的可能是原子半徑D.y軸表示的可能是形成基態(tài)離子轉(zhuǎn)移的電子數(shù)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】材料是人類賴以生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ),回答下列問題:
(1)下列生產(chǎn)工藝能獲取新型無機(jī)非金屬材料的是 ______ (填序號)。
①采用甲烷為原料,在微波和其他條件下生產(chǎn)金剛石
②采用傳統(tǒng)方法用焦炭還原SiO2制備單晶硅
③在水泥生產(chǎn)過程中加入高爐礦渣生產(chǎn)特殊用途的水泥
④在玻璃生產(chǎn)過程中加入K、Pb生產(chǎn)其有特殊用途的光學(xué)玻璃
(2)某煉鐵高爐中一次投入磁鐵礦冶煉生鐵,若該過程中轉(zhuǎn)移的電子為1.60×105mol,不考慮其他的反應(yīng),也不考慮生鐵中的雜質(zhì),則煉得的生鐵為 ______t。生鐵中含碳、硫等元素較多,煉鋼是以生鐵為原料,除去過多的碳、硫等雜質(zhì)元素,其中除去硫的化學(xué)方程式為 ______。
(3)工業(yè)煉金屬Al的工藝流程如下:
該工藝中冰晶石和氟化鈣的作用是 ______,物質(zhì)W的化學(xué)式為 ______ ;若鋁土礦的純度為60%,提取W的損失率為3%,電解時損失率為0.1%,粗鋁凈化時的損失率為2%,鋁錠中鋁的含量為99.9%,那么1.0t鋁土礦可制備鋁錠 ______t。
(4)金屬腐蝕帶來的損失無法估量。鋼鐵腐蝕多為吸氧腐蝕,其正極反應(yīng)式為 ______,金屬防腐措施很多,其中犧牲陽極(金屬Zn)的陰極保護(hù)法的“陰極”反應(yīng)式為 ______。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】用吸附了氫氣的納米碳管等材料制作的二次電池原理如圖所示,下列說法正確的是( )
A.放電時,OH-移向鎳電極
B.放電時,負(fù)極的電極反應(yīng)為H2-2e-+2OH-=2H2O
C.充電時,將電池的碳電極與外電源的正極相連
D.充電時,陰極的電極反應(yīng)為Ni(OH)2+OH--e-=NiO(OH)+H2O
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】有圖1、2所示的裝置,下列敘述正確的是( )
圖1 圖2
A.將乙烯分別通入兩個裝置中,二者都褪色且原理相同
B.若某氣體均能使二者褪色,說明該氣體一定含乙烯
C.二者都可用于除去乙烷中混有的乙烯
D.二者都可用于鑒別乙烷和乙烯
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】為了測定某銅銀合金的成分,將合金完全溶解于的濃硝酸中,收集到標(biāo)準(zhǔn)狀況的氣體反應(yīng)生成氣體只有NO和,并測得溶液中,假設(shè)反應(yīng)前后溶液的體積不變,則氣體中NO、的體積比為
A.1:1B.2:1C.3:1D.1:3
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列敘述正確的是
A.1.0L 1.0mol·L-1的NaAlO2水溶液中含有的氧原子數(shù)為2NA
B.12g石墨烯(單層石墨)中含有六元環(huán)的個數(shù)0.5NA
C.25℃時pH=13的NaOH溶液中含有OH-的數(shù)目為0.1NA
D.1mol的羥基與1mol的氫氧根離子所含電子數(shù)均為9NA
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】前四周期元素A、B、C、D、E、F的原子序數(shù)依次增大。A元素的基態(tài)陰離子的電子排布式與基態(tài)鋰離子的相同,A和E位于同主族,基態(tài)B原子核外有3個能級且各能級上容納的電子數(shù)相等,基態(tài)D原子核外有2個未成對電子,最外能層符號為L。+1價F離子的3d能級達(dá)到全充滿結(jié)構(gòu)。
回答下列問題:
(1)基態(tài)C原子價電子排布圖為_________。
(2)B、C、D三種元素第一電離能由大到小排序?yàn)?/span>____(填元素符號,下同),它們的電負(fù)性由小到大排序?yàn)?/span>____。
(3)標(biāo)準(zhǔn)狀況下,a L C2氣體含π鍵的物質(zhì)的量為__。與C2D互為等電子體的分子有___(任寫一種)。B、C分別與D構(gòu)成的陰離子中,立體構(gòu)型為平面三角形的有___(填離子符號)。
(4)由A、B、C、D中的幾種原子構(gòu)成的分子中,含極性鍵的非極性分子有___(填一種,下同);既含極性鍵,又含非極性鍵的極性分子有___。
(5)C、F組成的晶體的晶胞如圖所示。已知該晶體密度為ρ g·cm-3,NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值,則C、F最近的核間距為____ pm。
(6)A和E組成晶體,其晶胞如圖所示。E粒子周圍有___個E緊密相鄰且最近;連接與E粒子等距離且最近的A粒子構(gòu)成的形狀是_____。
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