用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,反應(yīng)如下:
3SiCl4 +2N2 +6H2Si3N4 +12HCl
完成下列填空:
(1)氮化硅可用于制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,因?yàn)樗鼘儆? 晶體。有關(guān)氮化硅的上述反應(yīng)中,原子最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子的元素是 (填寫元素符號(hào));屬于非極性分子的化合物的電子式是 。
(2)比較Si和Cl兩種元素非金屬性強(qiáng)弱的方法是 。
a.比較兩種元素的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)
b.比較兩種元素的原子獲得一個(gè)電子時(shí)釋放能量的大小
c.比較兩種元素的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)獲得電子的多少
d.比較相同條件下兩種元素氫化物水溶液的酸性強(qiáng)弱
(3)Si與Al、Be具有相似的化學(xué)性質(zhì),因?yàn)?u> (簡(jiǎn)述理由),寫出Si與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式: 。
(1)原子晶體 (1分) H、Cl(1分×2); (1分)
(2)b (2分)
(3)它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近(1分)
Si + 2OH- + H2O→SiO32- + 2H2↑(1分)
【解析】
試題分析:(1)氮化硅制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,熔點(diǎn)很高,屬于原子晶體, H、N、Si、Cl的外圍電子排布式分別為1s1、2s22p3、3s23p2、3s23p5、故H、Cl原子最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子, SiCl4是非極性分子化合物,分子中Si原子與Cl原子之間形成1對(duì)共用電子對(duì),電子式為,故答案為:原子;H、Cl;;
(2)a.氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)為物理性質(zhì),不能說(shuō)明非金屬性強(qiáng)弱,故a錯(cuò)誤; b.得到1個(gè)電子放出能量越多,表明該原子得到電子后越穩(wěn)定,即越容易得到電子,非金屬性越強(qiáng),故b正確;非金屬性越強(qiáng),氫化物越穩(wěn)定性,故氫化物穩(wěn)定性可以說(shuō)明中心元素的非金屬性強(qiáng)弱,故正確; c.非金屬性強(qiáng)弱與得電子多少無(wú)關(guān),與得電子難易程度有關(guān),如S原子得2個(gè)電子形成硫離子,Cl原子得1個(gè)電子形成硫離子,但硫元素非金屬性強(qiáng),故c錯(cuò)誤; d.氫化物酸性強(qiáng)弱不能比較非金屬性,若非金屬性F>Cl,但HF是弱酸,HCl是強(qiáng)酸,故d錯(cuò)誤;故答案為:b;
(3)Si與Al、Be都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近,具有相似的化學(xué)性質(zhì); Si與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)生成硅酸鹽與氫氣,反應(yīng)離子方程式為:Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2↑,故答案為:它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近;Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2↑.
考點(diǎn): 本題考查晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、常用化學(xué)用語(yǔ)、核外電子排布、結(jié)構(gòu)位置性質(zhì)關(guān)系、元素周期律等,難度中等,掌握基礎(chǔ)知識(shí)即可解答,注意掌握非金屬性強(qiáng)弱比較方法.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
高溫 |
c12(HCl) |
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2) |
c12(HCl) |
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
高溫 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆江蘇省鹽城市明達(dá)中學(xué)高三上學(xué)期學(xué)情調(diào)研考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為 ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為 。
(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是
a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
a.v逆(N2)=3v正(H2) b.v正(HCl)=4v逆(SiCl4)
c.混合氣體密度保持不變 d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比 m/n(填“>”“=”或“<”)
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省鹽城市高三上學(xué)期學(xué)情調(diào)研考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為 ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為 。
(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是
a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
a.v逆(N2)=3v正(H2) b.v正(HCl)=4v逆(SiCl4)
c.混合氣體密度保持不變 d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比 m/n(填“>”“=”或“<”)
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