用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,反應(yīng)如下:

3SiCl4 +2N2 +6H2Si3N4 +12HCl

完成下列填空:

(1)氮化硅可用于制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,因?yàn)樗鼘儆?            晶體。有關(guān)氮化硅的上述反應(yīng)中,原子最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子的元素是         (填寫元素符號(hào));屬于非極性分子的化合物的電子式是            。

(2)比較Si和Cl兩種元素非金屬性強(qiáng)弱的方法是            。

a.比較兩種元素的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)

b.比較兩種元素的原子獲得一個(gè)電子時(shí)釋放能量的大小

c.比較兩種元素的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)獲得電子的多少

d.比較相同條件下兩種元素氫化物水溶液的酸性強(qiáng)弱

(3)Si與Al、Be具有相似的化學(xué)性質(zhì),因?yàn)?u>                          (簡(jiǎn)述理由),寫出Si與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式:                                      

 

【答案】

 

(1)原子晶體 (1分) H、Cl(1分×2); (1分)   

(2)b  (2分)

(3)它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近(1分)

Si + 2OH- + H2O→SiO32- + 2H2↑(1分)

【解析】

試題分析:(1)氮化硅制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,熔點(diǎn)很高,屬于原子晶體, H、N、Si、Cl的外圍電子排布式分別為1s1、2s22p3、3s23p2、3s23p5、故H、Cl原子最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子, SiCl4是非極性分子化合物,分子中Si原子與Cl原子之間形成1對(duì)共用電子對(duì),電子式為,故答案為:原子;H、Cl;;

(2)a.氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)為物理性質(zhì),不能說(shuō)明非金屬性強(qiáng)弱,故a錯(cuò)誤; b.得到1個(gè)電子放出能量越多,表明該原子得到電子后越穩(wěn)定,即越容易得到電子,非金屬性越強(qiáng),故b正確;非金屬性越強(qiáng),氫化物越穩(wěn)定性,故氫化物穩(wěn)定性可以說(shuō)明中心元素的非金屬性強(qiáng)弱,故正確; c.非金屬性強(qiáng)弱與得電子多少無(wú)關(guān),與得電子難易程度有關(guān),如S原子得2個(gè)電子形成硫離子,Cl原子得1個(gè)電子形成硫離子,但硫元素非金屬性強(qiáng),故c錯(cuò)誤; d.氫化物酸性強(qiáng)弱不能比較非金屬性,若非金屬性F>Cl,但HF是弱酸,HCl是強(qiáng)酸,故d錯(cuò)誤;故答案為:b;

(3)Si與Al、Be都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近,具有相似的化學(xué)性質(zhì); Si與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)生成硅酸鹽與氫氣,反應(yīng)離子方程式為:Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2↑,故答案為:它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近;Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2↑.

考點(diǎn): 本題考查晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、常用化學(xué)用語(yǔ)、核外電子排布、結(jié)構(gòu)位置性質(zhì)關(guān)系、元素周期律等,難度中等,掌握基礎(chǔ)知識(shí)即可解答,注意掌握非金屬性強(qiáng)弱比較方法.

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率.工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)
高溫
 Si3N4(s)+12HCl(g)△H=-Q(Q>0)
完成下列填空:
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了2.80g,則H2的平均反應(yīng)速率
0.02mol/(L.min)
0.02mol/(L.min)
 mol/(L?min);該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=
c12(HCl)
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2)
c12(HCl)
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2)

(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是
bd
bd

a.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
c.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量平衡向左移動(dòng)
d.其他條件不變,增大HCl物質(zhì)的量平衡向左移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
ac
ac
_
a.3v(N2)=v(H2)    b.v(HCl)=4v(SiCl4)  c.混合氣體密度保持不變
d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2013?普陀區(qū)二模)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率.工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,反應(yīng)如下:3SiCl4+2N2+6H2
高溫
Si3N4+12HCl
完成下列填空:
(1)氮化硅可用于制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,因?yàn)樗鼘儆?!--BA-->
原子
原子
 晶體.有關(guān)氮化硅的上述反應(yīng)中,原子最外層只有一個(gè)未成對(duì)電子的元素是
H、Cl
H、Cl
(填寫元素符號(hào));屬于非極性分子的化合物的電子式是

(2)比較Si和Cl兩種元素非金屬性強(qiáng)弱的方法是
b
b

a.比較兩種元素的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)
b.比較兩種元素的原子獲得一個(gè)電子時(shí)釋放能量的大小
c.比較兩種元素的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)獲得電子的多少
d.比較相同條件下兩種元素氫化物水溶液的酸性強(qiáng)弱
(3)Si與Al、Be具有相似的化學(xué)性質(zhì),因?yàn)?!--BA-->
它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近
它們都在元素周期表中金屬和非金屬的分界線附近
(簡(jiǎn)述理由),寫出Si與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式:
Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2
Si+2OH-+H2O=SiO32-+2H2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆江蘇省鹽城市明達(dá)中學(xué)高三上學(xué)期學(xué)情調(diào)研考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)    △H<0
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為       ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為       。
(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是              
a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是       
a.v(N2)=3v(H2)         b.v(HCl)=4v(SiCl4
c.混合氣體密度保持不變       d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比      m/n(填“>”“=”或“<”)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省鹽城市高三上學(xué)期學(xué)情調(diào)研考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:

3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)    △H<0

(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為       ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為       。

(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是              

a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小

b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)

c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)

d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)

(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是       

a.v(N2)=3v(H2)         b.v(HCl)=4v(SiCl4

c.混合氣體密度保持不變       d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6

(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比      m/n(填“>”“=”或“<”)

 

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