碳化硅SiC的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石  ②晶體硅  ③碳化硅中，它們的熔點從高到低的順序是 

A．①③②B．②③①C．③①②D．②①③

A

解析試題分析：三種晶體均屬原子晶體，其熔點決定于它們的鍵長和鍵能，鍵長越短，鍵能越大，其熔點越高。由于碳原子半徑小于硅原子半徑，鍵長是：C-C 鍵< Si-C 鍵 < Si-Si 鍵。故選A。
考點：原子晶體的性質(zhì)
點評：本題考查的是原子晶體的性質(zhì)的相關(guān)知識，題目難度不大，掌握原子晶體中熔沸點的大小原子之間的共價鍵強度強弱是解題的關(guān)鍵。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2004年9月3日英國《自然》雜志報道，碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一，其單晶體可制作半導(dǎo)體材料。但正是由于它硬度高，熔化及鍛制的過程相當費勁，而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵，如雜質(zhì)、氣泡等，這些物質(zhì)會嚴重影響或削弱電流。因此，碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱，他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法，使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關(guān)碳化硅（SiC）的有關(guān)說法錯誤的是

A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B. 碳化硅是一種新型的無機非金屬材料

C. 碳化硅的熔點比晶體硅高

D. 制取碳化硅的反應(yīng)：SiO2＋3CSiC＋2CO↑中，SiO2是氧化劑，C是還原劑

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