【題目】NaCl樣品中混有少量的CaCl2和NaBr，按下列程序操作可制得純凈的NaCl．

（1）X氣體是 ， Y溶液是 ， Z溶液是 ．
（2）過濾時(shí)，除漏斗外還需要的玻璃儀器有 ．
（3）加入Y溶液的目的是；若在不使用pH試紙的情況下，檢驗(yàn)Y溶液是否足量的方法是（簡要回答操作過程及現(xiàn)象） ．

【答案】
（1）Cl2；Na2CO3；鹽酸
（2）燒杯、玻璃棒
（3）使溶液中的Ca2+形成CaCO3沉淀；過濾前先靜置，取上層澄清溶液，滴加少量Na2CO3溶液，無沉淀產(chǎn)生（或滴加少量鹽酸有氣泡產(chǎn)生），說明Y溶液是足量的
【解析】解：混合物溶于水，通入氣體X可得有色溶液，說明生成溴，則X為Cl2 ， 將溶液蒸干、灼燒得到白色固體含有氯化鈉、氯化鈣，加入蒸餾水溶解，然后加入足量的Y溶液，生成白色 沉淀，Y溶液的pH＞7，應(yīng)為Na2CO3 ， 可與氯化鈣反應(yīng)生成CaCO3沉淀，濾液中加入過量鹽酸，蒸干可得氯化鈉，（1）由以上分析可知X為Cl2 ， Y為Na2CO3 ， Z為鹽酸，所以答案是：Cl2；Na2CO3；鹽酸；（2）過濾時(shí)，除漏斗外還需要的玻璃儀器有燒杯、玻璃棒，所以答案是：燒杯、玻璃棒；（3）混合物中含有氯化鈣，加入碳酸鈉，可使氯化鈣生成沉淀，若在不使用pH試紙的情況下，檢驗(yàn)Y溶液是否足量的方法是過濾前先靜置，取上層澄清溶液，滴加少量Na2CO3溶液，無沉淀產(chǎn)生（或滴加少量鹽酸有氣泡產(chǎn)生），說明Y溶液是足量的，所以答案是：使溶液中的Ca2+形成CaCO3沉淀；過濾前先靜置，取上層澄清溶液，滴加少量Na2CO3溶液，無沉淀產(chǎn)生（或滴加少量鹽酸有氣泡產(chǎn)生），說明Y溶液是足量的．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】A～G都是有機(jī)化合物，它們的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下：
請(qǐng)回答下列問題：
（1）已知：6.0g化合物E完全燃燒生成8.8g CO2和3.6gH2O；E的蒸氣對(duì)氫氣的相對(duì)密度為30，則E的分子式為 ．
（2）A為一取代芳烴，B中含有一個(gè)甲基．由B生成C的化學(xué)方程式為 ．
（3）由B生成D、由C生成D的反應(yīng)條件分別是、 ．
（4）由A生成B、由D生成G的反應(yīng)類型分別是、 ．
（5）F存在于梔子香油中，其結(jié)構(gòu)簡式為 ．
（6）在G的同分異構(gòu)體中，苯環(huán)上一硝化的產(chǎn)物只有一種的共有種，其中核磁共振氫譜有兩組峰，且峰面積比為l：1的是（填結(jié)構(gòu)簡式）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】氮可形成多種氣態(tài)氧化物，如NO、NO2、N2O4等．已知NO2和N2O4的結(jié)構(gòu)式分別是 和 ．實(shí)驗(yàn)測(cè)得N﹣N鍵的鍵能為167kJmol﹣1 ， NO2中氮氧鍵的鍵能為 466kJmol﹣1 ， N2O4中氮氧鍵的鍵能為438.5kJmol﹣1 ．
（1）寫出N2O4轉(zhuǎn)化NO2為的熱化學(xué)方程式 ．
（2）對(duì)反應(yīng)N2O4（g）2NO2（g），在溫度T1、T2時(shí)，平衡體系中NO2的體積分?jǐn)?shù)隨壓強(qiáng)變化曲線如圖所示．
①A、C兩點(diǎn)的反應(yīng)速率v（A）v（C）（填“＞”“=”或“＜”）．
②B、C兩點(diǎn)的氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量M（B）M（C）（填“＞”、“=”或“＜”）．
③由狀態(tài)B到達(dá)狀態(tài)A可用的方法是 ．
④A點(diǎn)氣體的顏色比C點(diǎn)（填“深”、“淺”或“相同”），原因是 ．
（3）在100℃時(shí)，將0.40mol的NO2氣體充入2L的密閉容器中，每隔一定時(shí)間就對(duì)該容器內(nèi)的物質(zhì)進(jìn)行分析，得到下表所示數(shù)據(jù)．

時(shí)間/s

0

20

40

60

80

n（NO2）/mol

0.40

n1

0.26

n3

n4

n（N2O4）/mol

0.00

0.05

n2

0.08

0.08

①在上述條件下，從反應(yīng)開始直至20s時(shí)，v（NO2）=molL﹣1s﹣1 ．
②若在相同的情況下最初向該容器充入的是N2O4氣體，要達(dá)到上述同樣的平衡狀態(tài)，N2O4的起始濃度應(yīng)是molL﹣1 ．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列狀態(tài)的物質(zhì)，既能導(dǎo)電又屬于電解質(zhì)的是（ ）

A. 氯化鈉固體B. 硫酸鉀溶液

C. 石墨碳棒D. 熔融氫氧化鉀

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】A、B、C、D四種短周期元素，原子序數(shù)D>C>B>A，且B、C、D同周期，A、D同主族，B 原子的最外層只有一個(gè)電子，C的原子結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示：，D在同周期元素中原子半徑最小，據(jù)此填空：

（1）C元素的名稱為_______，其氣態(tài)氫化物的化學(xué)式為________。

（2）D離子的離子結(jié)構(gòu)示意圖為__________________。

（3）A、B、C、D四種元素的原子半徑由大到小的順序?yàn)?/span>_______________________（用元素符號(hào)比較）

（4）B的最高價(jià)氧化物的水化物與A的氫化物的水溶液反應(yīng)的離子方程式式為：_________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列與金屬腐蝕有關(guān)的說法正確的是（ ）
A.圖1中，開關(guān)由M改置于N時(shí)，Cu﹣Zn合金的腐蝕速率減小
B.圖2中，Zn﹣MnO2干電池自放電腐蝕主要是由MnO2的氧化作用引起的
C.圖3中，滴加少量K3[Fe（CN）6]溶液，沒有藍(lán)色沉淀出現(xiàn)
D.圖4中，用犧牲鎂塊的方法來防止地下鋼鐵管道的腐蝕，鎂塊相當(dāng)于原電池的正極

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】某同學(xué)用下面實(shí)驗(yàn)裝置設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)制備SO2，并進(jìn)行相關(guān)探究活動(dòng)。

（已知：酸性強(qiáng)弱為H2SO3＞H2CO3＞HClO）

（1）裝置A中反應(yīng)的化學(xué)方程式為_________________________________________。

（2）甲同學(xué)從上面裝置中選擇合適的裝置驗(yàn)證亞硫酸與碳酸的酸性強(qiáng)弱，其中用到了C、D裝置。

①C裝置的作用是___________________________。

②通過___________________________________________________（填實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象）即可證明亞硫酸酸性強(qiáng)于碳酸。

（3）乙同學(xué)認(rèn)為利用上述裝置也可以證明亞硫酸的酸性強(qiáng)于次氯酸，請(qǐng)寫出正確的裝置連接順序：A→( )→( ) → C → F 。____________

（4）丙同學(xué)將A中產(chǎn)生的足量的SO2通入下圖裝置G中，G中有白色沉淀生成。該沉淀的化學(xué)式為_________。

I．推測(cè)產(chǎn)生沉淀的原因可能是(不考慮空氣的影響)

原因一：SO2在酸性條件下被NO3－氧化；

原因二：SO2被Fe3+氧化；

原因三：_____________________________________________。

II．如果丙同學(xué)認(rèn)為是因?yàn)椤霸蚨碑a(chǎn)生了白色沉淀。

①請(qǐng)你寫出SO2被Fe3+氧化的離子方程式：_________________________________

②假如Fe3+恰好完全反應(yīng)，請(qǐng)你設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明其還原產(chǎn)物，并簡要敘述實(shí)驗(yàn)過程、現(xiàn)象及結(jié)論。

___________________________________

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】對(duì)于反應(yīng)：M+N﹣→P，如果溫度每升高10℃，化學(xué)反應(yīng)速率提高到原來的3倍，在10℃時(shí)完成反應(yīng)的10%需要81min，將溫度提高到30℃時(shí)，完成反應(yīng)的10%需要的時(shí)間為（ ）
A.9 min
B.27 min
C.13.5 min
D.3 min

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】某溫度時(shí)，BaSO4在水中的沉淀溶解平衡曲線如圖所示．下列說法正確的是（ ）
A.加入Na2SO4可以使溶液由a點(diǎn)變到b點(diǎn)
B.通過蒸發(fā)可以使溶液由d點(diǎn)變到c點(diǎn)
C.d點(diǎn)無BaSO4沉淀生成
D.a點(diǎn)對(duì)應(yīng)的Ksp大于c點(diǎn)對(duì)應(yīng)的Ksp

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