A、0.1mol?L-1的Na2CO3溶液中:c(Na+)+c(H+)=2c(CO32-)+c(OH-) | B、0.1mol?L-1的NH4Cl溶液中:c(Cl-)>c(NH4+)>c(OH-)>c(H+) | C、中和pH和體積都相同的硫酸和醋酸,消耗NaOH的物質(zhì)的量相同 | D、pH=4的鹽酸和pH=4的FeCl3溶液中,水電離的c(H+)不相等 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(2011?合肥三模)下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確,且存在因果關(guān)系的是( )
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
請(qǐng)根據(jù)上述材料完成下列問(wèn)題:
(1)文中關(guān)于污染與環(huán)境自凈能力的關(guān)系可以表述為( )
A.環(huán)境污染速度超過(guò)環(huán)境自凈能力
B.環(huán)境污染速度低于環(huán)境自凈能力
C.環(huán)境污染速度與環(huán)境自凈能力大體相當(dāng)
(2)二氧化碳濃度增大會(huì)導(dǎo)致___________效應(yīng),對(duì)沿海地區(qū)的影響是__________________,對(duì)氣候的主要影響是_________________________________。
(3)文中提到環(huán)境污染的后果主要是在___________、___________和___________三方面。
(4)除工業(yè)污染外,消費(fèi)污染越來(lái)越嚴(yán)重,請(qǐng)列出四種主要消費(fèi)污染___________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
再循環(huán)的工業(yè)社會(huì)廢物嚴(yán)重危害環(huán)境及人類健康,F(xiàn)在產(chǎn)生的二氧化碳、家庭污水和其他“無(wú)毒”廢物的速度超過(guò)了自然循環(huán)能夠吸收它們的速度。我們正在不斷地排放著有毒的(經(jīng)常是不能生物降解的)廢物,它們正積聚在土壤、空氣和水中。后果是我們正在破壞著自然環(huán)境(如森林被毀、酸雨的形成和煙霧毀壞)、農(nóng)業(yè)系統(tǒng)(如收成被土壤退化以及空氣和水的污染所毀掉)和危害人類健康(如食物中殘留的農(nóng)藥、人工合成聚合物造成的室內(nèi)空氣污染、室外的煙霧、被污染的飲用水以及有毒垃圾)。
請(qǐng)根據(jù)上述材料完成下列問(wèn)題:
(1)文中關(guān)于污染與環(huán)境自凈能力的關(guān)系可以表述為( )
A.環(huán)境污染速度超過(guò)環(huán)境自凈能力
B.環(huán)境污染速度低于環(huán)境自凈能力
C.環(huán)境污染速度與環(huán)境自凈能力大體相當(dāng)
(2)二氧化碳濃度增大會(huì)導(dǎo)致___________效應(yīng),對(duì)沿海地區(qū)的影響是__________________,對(duì)氣候的主要影響是_________________________________。
(3)文中提到環(huán)境污染的后果主要是在___________、___________和___________三方面。
(4)除工業(yè)污染外,消費(fèi)污染越來(lái)越嚴(yán)重,請(qǐng)列出四種主要消費(fèi)污染___________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010年上海市虹口區(qū)高三第二次模擬考試化學(xué)試題 題型:選擇題
下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確,且存在因果關(guān)系的是
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表述1 |
表述2 |
A. |
鈉的金屬性比鋁強(qiáng) |
鈉原子核外電子數(shù)比鋁少 |
B. |
金剛石的熔點(diǎn)高于晶體硅 |
原子半徑Si大于C,鍵能Si-Si小于C-C |
C. |
離子晶體一般硬度較大,難壓縮 |
離子晶體中陰、陽(yáng)離子排列很有規(guī)律 |
D. |
相同條件下,分別完全燃燒等量的正丁烷和異丁烷,放出的熱量相同 |
正丁烷與異丁烷互為同分異構(gòu)體 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011年安徽省合肥市高考化學(xué)三模試卷(解析版) 題型:選擇題
表述 I | 表述II | |
A | 在水中,NaCl的溶解度比I2的溶解度大 | NaCl晶體中Cl-與Na+間的離子鍵大于碘晶體中分子間的作用力 |
B | 通常狀況下,CH4分子比SiH4分子穩(wěn)定性高 | Si的原子半徑比C的大,Si與H之間的鍵能比C與H間的小 |
C | 同一主族元素的最高正化合價(jià)相同 | 同一主族元素形成的氧化物晶體類型相同 |
D | 晶體的熔點(diǎn)與晶體類型有關(guān) | CsCl、SiO2、CCl4和CF4四種晶體的熔點(diǎn)逐漸降低 |
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