下列有關(guān)碳和硅氧化物的說(shuō)法中,正確的是

[  ]

A.二氧化硅的水溶液顯酸性,所以,二氧化硅是酸性氧化物

B.二氧化碳通入水玻璃可得到原硅酸,說(shuō)明碳酸的酸性比硅酸強(qiáng)

C.高溫時(shí)二氧化硅與純堿反應(yīng)放出二氧化碳,所以硅酸的酸性比碳酸強(qiáng)

D.二氧化硅是酸性氧化物,因此,它不能溶于任何酸

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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

[化學(xué)-選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ).請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
M
M
,該能層具有的原子軌道數(shù)為
9
9
、電子數(shù)為
4
4

(2)硅主要以硅酸鹽、
二氧化硅
二氧化硅
等化合物的形式存在于地殼中.
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)
3
3
個(gè)原子.
(4)單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備.工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2

(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):
化學(xué)鍵 C-C C-H C-O Si-Si Si-H Si-O
鍵能/(kJ?mol-1 356 413 336 226 318 452
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是
C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定.而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成.
C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定.而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成.

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵

(6)在硅酸鹽中,SiO
 
4-
4
四面體(如下圖(a))通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式.圖(b)為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為
sp3
sp3
,Si與O的原子數(shù)之比為
1:3
1:3
,化學(xué)式為
SiO32-
SiO32-

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:013

下列有關(guān)碳和硅氧化物的說(shuō)法中,正確的是

[  ]

A.二氧化硅的水溶液顯酸性,所以,二氧化硅是酸性氧化物

B.二氧化碳通入水玻璃可得到原硅酸,說(shuō)明碳酸的酸性比硅酸強(qiáng)

C.高溫時(shí)二氧化硅與純堿反應(yīng)放出二氧化碳,所以硅酸的酸性比碳酸強(qiáng)

D.二氧化硅是酸性氧化物,因此,它不能溶于任何酸

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013年全國(guó)普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測(cè)試化學(xué)(新課標(biāo)Ⅰ卷帶解析) 題型:填空題

[化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           
(2)硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以           相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)          個(gè)原子。
(4)單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     
(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):

化學(xué)鍵
C—C
C—H
C—O
Si—Si
Si—H
Si—O
鍵能/(kJ?mol-1
356
413
336
226
318
452
 
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是      。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                           。
(6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為      ,Si與O的原子數(shù)之比為         ,化學(xué)式為                  

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013年全國(guó)普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測(cè)試化學(xué)(新課標(biāo)Ⅰ卷解析版) 題型:填空題

[化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)

硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           。

(2)硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。

(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以           相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)          個(gè)原子。

(4)單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     。

(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):

化學(xué)鍵

C—C

C—H

C—O

Si—Si

Si—H

Si—O

鍵能/(kJ?mol-1

356

413

336

226

318

452

 

①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是      。

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                           

(6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為      ,Si與O的原子數(shù)之比為         ,化學(xué)式為                  。

 

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