下列有關(guān)碳和硅氧化物的說(shuō)法中,正確的是
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A.二氧化硅的水溶液顯酸性,所以,二氧化硅是酸性氧化物
B.二氧化碳通入水玻璃可得到原硅酸,說(shuō)明碳酸的酸性比硅酸強(qiáng)
C.高溫時(shí)二氧化硅與純堿反應(yīng)放出二氧化碳,所以硅酸的酸性比碳酸強(qiáng)
D.二氧化硅是酸性氧化物,因此,它不能溶于任何酸
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解
化學(xué)鍵 | C-C | C-H | C-O | Si-Si | Si-H | Si-O |
鍵能/(kJ?mol-1) | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
4- 4 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:013
下列有關(guān)碳和硅氧化物的說(shuō)法中,正確的是
[ ]
A.二氧化硅的水溶液顯酸性,所以,二氧化硅是酸性氧化物
B.二氧化碳通入水玻璃可得到原硅酸,說(shuō)明碳酸的酸性比硅酸強(qiáng)
C.高溫時(shí)二氧化硅與純堿反應(yīng)放出二氧化碳,所以硅酸的酸性比碳酸強(qiáng)
D.二氧化硅是酸性氧化物,因此,它不能溶于任何酸
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013年全國(guó)普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測(cè)試化學(xué)(新課標(biāo)Ⅰ卷帶解析) 題型:填空題
[化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為 ,該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。
(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn) 個(gè)原子。
(4)單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):
化學(xué)鍵 | C—C | C—H | C—O | Si—Si | Si—H | Si—O |
鍵能/(kJ?mol-1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013年全國(guó)普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測(cè)試化學(xué)(新課標(biāo)Ⅰ卷解析版) 題型:填空題
[化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為 ,該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。
(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn) 個(gè)原子。
(4)單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):
化學(xué)鍵 |
C—C |
C—H |
C—O |
Si—Si |
Si—H |
Si—O |
鍵能/(kJ?mol-1 |
356 |
413 |
336 |
226 |
318 |
452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是 。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是 。
(6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 ,Si與O的原子數(shù)之比為 ,化學(xué)式為 。
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