電子表、電子計算器、電腦顯示器都運用了液晶材料顯示圖像和文字。有關(guān)其顯示原理的敘述中,正確的是   (  )。
A.施加電場時,液晶分子沿垂直于電場方向排列
B.移去電場后,液晶分子恢復(fù)到原來狀態(tài)
C.施加電場后,液晶分子恢復(fù)到原來狀態(tài)
D.移去電場后,液晶分子沿電場方向排列
B
液晶的顯示原理為:施加電場時,液晶分子沿電場方向排列;移去電場后,液晶分子恢復(fù)到原來狀態(tài)。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

已知NaCl、CsCl晶體結(jié)構(gòu)中離子配位數(shù)分別為6和8,其中屬于從NaCl晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)示意圖是
A.①和③B.①和④C.只有③D.只有④

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

據(jù)報道,國外科學(xué)家用激光將置于鐵室中石墨靶上的碳原子炸松,再用射頻電火花噴射
氮氣,此時碳氮原子結(jié)合成碳氮化合物的薄膜,此化合物熔點比金剛石更高,其原因是(   )
A.碳氮化合物的分子間作用力大于金剛石
B.氮原子最外層電子數(shù)比碳原子最外層電子數(shù)多
C.碳、氮原子構(gòu)成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體,碳氮鍵比金剛石中碳碳鍵更短
D.碳、氮單質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)均不活潑

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下面有關(guān)晶體的敘述中,不正確的是(  )
A.金剛石為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),由共價鍵形成的碳原子環(huán)中,最小的環(huán)上有6個碳原子
B.氯化鈉晶體中,每個Na周圍距離相等的Na共有6個
C.氯化銫晶體中,每個Cs周圍緊鄰8個Cl
D.干冰晶體中,每個CO2分子周圍緊鄰12個CO2分子

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)屬于非晶體的是(  )。
①松香;②冰;③石英;④瀝青;⑤銅;⑥純堿
A.①②③④⑤⑥B.①④C.①③D.⑤⑥

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
化學(xué)鍵
Si—O
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
Si—C
鍵能/kJ·mol-1
460
360
436
431
176
347
 
請回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”)。SiC____________Si;SiCl4____________SiO2。
(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=________ kJ·mol-1。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

將晶體劃分為離子晶體、金屬晶體、原子晶體和分子晶體的本質(zhì)標準是(  )。
A.基本構(gòu)成微粒種類
B.晶體中最小重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的種類
C.微觀粒子的密堆積種類
D.晶體內(nèi)部微粒的種類及微粒間相互作用的種類

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)中,均直接由原子構(gòu)成的是:①干冰晶體;②二氧化硅;③水蒸氣;④金剛石;⑤單晶硅;⑥白磷;⑦硫磺;⑧液氨;⑨鈉和氖晶體
A.②④⑤B.②③④⑤⑨C.②③④⑤D.②④⑤⑥⑦⑨

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

干冰晶體是一種面心立方結(jié)構(gòu),如圖所示,即每8個CO2構(gòu)成立方體,且在6個面的中心各有1個,在每個CO2周圍距離為a(其中a為立方體棱長)的CO2有(  )。
A.4個B.8個C.12個D.6個

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