碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體:①金剛石 ②碳化硅 ③二氧化硅中,它們的熔點(diǎn)由高到低的順序是
A.①②③ B.①③② C.③①② D.②①③
B
解析試題分析:晶體類型相同的物質(zhì),鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,物質(zhì)的熔點(diǎn)越高.①金剛石、②晶體硅、③碳化硅著三種物質(zhì)中鍵長(zhǎng)關(guān)系為:C-C<C-Si<Si-Si,所以鍵能大小為:C-C鍵能>C-Si鍵能>Si-Si鍵能,所以物質(zhì)的熔點(diǎn)高低為金剛石>碳化硅>晶體硅。
故選B。
考點(diǎn):晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系
點(diǎn)評(píng):本題考查了晶體類型相同的物質(zhì)中,鍵長(zhǎng)對(duì)物質(zhì)熔點(diǎn)的影響,鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,物質(zhì)的熔點(diǎn)越高。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是( )
A. ①③② B. ②③① C. ③①② D. ②①③
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是( )
A. ①③② B. ②③① C. ③①② D. ②①③
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
.碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是( )
A. ①③② B. ②③① C. ③①② D. ②①③
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年吉林省龍井市三中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題
碳化硅SiC的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石 ②晶體硅 ③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是
A.①③② | B.②③① | C.③①② | D.②①③ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆吉林省龍井市高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
碳化硅SiC的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石 ②晶體硅 ③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是
A.①③② B.②③① C.③①② D.②①③
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