【題目】下列說法正確的是:( )
①Cl-的結(jié)構(gòu)示意圖
②羥基的電子式:
③HClO的結(jié)構(gòu)式:H—Cl—O
④NaHCO3在水中的電離方程式:NaHCO3=Na++H++CO32-
⑤Na2O的水溶液能導電,這不能說明Na2O是電解質(zhì)
⑥SiO2既能與氫氟酸反應(yīng)又能與NaOH溶液反應(yīng),故SiO2是兩性氧化物;
⑦分餾、干餾、裂化都是化學變化( )
A. ①②⑤ B. ①④⑥⑦ C. ②③④⑥ D. ②③⑤⑥⑦
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【題目】根據(jù)下列實驗操作和現(xiàn)象所得出的結(jié)論正確的是
選項 | 實驗操作和現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
A | 向苯酚濁液中滴加Na2CO3溶液,濁液變清 | 苯酚的酸性強于H2CO3的酸性 |
B | 向碘水中加入等體積CCl4,振蕩后靜置,上層接近無色,下層顯紫紅色 | I2在CCl4中的溶解度大于在水中的溶解度 |
C | 向CuSO4溶液中加入鐵粉,有紅色固體析出 | Fe2+的氧化性強于Cu2+的氧化性 |
D | 向NaCl、NaI的混合稀溶液中滴入少量稀AgNO3溶液,有黃色沉淀生成 | Ksp(AgCl) >Ksp(AgI) |
A. A B. B C. C D. D
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【題目】漢黃芩素是傳統(tǒng)中草藥黃芩的有效成分之一,對腫瘤細胞的殺傷有獨特作用。下列有關(guān)漢黃芩素的敘述正確的是( )
A. 漢黃芩素的分子式為C16H13O5
B. 該物質(zhì)遇FeCl3溶液不顯色
C. 1 mol該物質(zhì)與溴水反應(yīng),最多消耗2 mol Br2
D. 與足量H2發(fā)生加成反應(yīng)后,該分子中官能團的種類減少1種
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【題目】已知有以下物質(zhì)相互轉(zhuǎn)化:
試回答
(1)寫出C的化學式____________;
(2)A與水蒸氣反應(yīng)方程式為:__________________________ ;
(3)寫出由E轉(zhuǎn)變成F的化學方程式_______________________;
(4)鑒別G溶液中陽離子的方法是:____________________,現(xiàn)象為:________;用G溶液可以腐蝕銅印刷電路板,離子反應(yīng)方程式為___________________________;
(5)金屬鋁與A的氧化物可用來焊接火車鐵軌,實驗室中該反應(yīng)所需藥品有_____________。
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【題目】下列關(guān)于常見有機物的說法中正確的是( )
①棉花、蠶絲和聚乙烯的主要成分都是纖維素
②甲烷、乙醇和乙酸在一定條件下都能發(fā)生取代反應(yīng)
③等質(zhì)量的乙烷、乙烯、苯充分燃燒,消耗氧氣的量由多到少
④除去乙酸乙酯中殘留的乙酸,加過量飽和Na2CO3溶液振蕩后,靜置分液
⑤乙酸乙酯和植物油均可水解生成乙醇
⑥乙烯、苯、乙醇、油脂都能使酸性KMnO4溶液褪色
A. ①⑤⑥ B. ②③④ C. ①②③ D. ②④⑤
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【題目】現(xiàn)有部分元素的原子結(jié)構(gòu)特點如表:
X | L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的3倍 |
Y | 核外電子層數(shù)等于原子序數(shù) |
Z | L層電子數(shù)是K層和M層電子數(shù)之和 |
W | 最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2.5倍 |
(1)畫出W原子結(jié)構(gòu)示意圖________________________。
(2)元素X與元素Z相比,非金屬性較強的是________(填元素名稱),寫出一個能表示X、Z非金屬性強弱關(guān)系的化學反應(yīng)方程式:________________________________________。
(3)X、Y、Z、W四種元素形成的一種離子化合物,其水溶液顯強酸性,該化合物的化學式為____________________。
(4)元素X和元素Y以原子個數(shù)比1∶1化合形成的化合物Q,寫出Q的電子式________。元素W和元素Y化合形成的化合物M,Q和M的電子總數(shù)相等。以M為燃料,Q為氧化劑,可作火箭推進劑,最終生成無毒的、且在自然界中穩(wěn)定存在的物質(zhì),寫出該反應(yīng)的化學方程式:____________________________________。
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【題目】在托盤天平的兩盤上,分別放有兩個質(zhì)量相同的燒杯,各盛有6 mol·L-1HCl 100 mL,使天平達到平衡。分別向兩燒杯中加入不超過5 g 的鎂和鋁,若要使其充分反應(yīng)后天平仍保持平衡,則加入的鎂與鋁的質(zhì)量之比為( )
A. 1∶1 B. 24∶27 C. 12∶9 D. 32∶33
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【題目】下列關(guān)于價層電子對互斥模型(VSEPR模型)的敘述中不正確的是
A. VSEPR模型可用來預測分子的立體結(jié)構(gòu)
B. 分子中價電子對相互排斥決定了分子的空間結(jié)構(gòu)
C. 中心原子上的孤電子對不參與互相排斥
D. 分子中鍵角越大,價電子對相互排斥力越小,分子越穩(wěn)定
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【題目】單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。
相關(guān)信息如下:
a.四氯化硅接觸水會發(fā)生化學反應(yīng);
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;
c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | BC13 | A1C13 | FeCl3 | PCl5 |
沸點/℃ | 57.7 | 12.8 | - | 315 | - |
熔點/℃ | -70.0 | -107.2 | - | - | - |
升華溫度/℃ | - | - | 180 | 300 | 162 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:___________,D中發(fā)生反應(yīng)的化學方程式___________。
(2)A中g(shù)管的作用是__________________,裝置C中的試劑是___________,作用是___________。
(3)裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是______________________。
(4)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是___________(填寫元素符號)。
(5)過量的氯氣可以用石灰乳來處理,請寫出該反應(yīng)的化學方程式_____________________。
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