W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示。已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質(zhì)是一種常見的半導(dǎo)體材料；Z的電負(fù)性在同周期主族元素中最大。

(1) X位于元素周期表中第        周期第        族；W的基態(tài)原子核外有         個(gè)未成對(duì)電子。

（2）X的單質(zhì)子和Y的單質(zhì)相比，熔點(diǎn)較高的是       （寫化學(xué)式）；Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比，較穩(wěn)定的是           （寫化學(xué)式）。

（3）Y與Z形成的化合物和足量水反應(yīng)，生成一種弱酸和一種強(qiáng)酸，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是               。

（4）在、101 kPa下，已知Y的氣態(tài)化物在氧氣中完全燃燒后恢復(fù)至原狀態(tài)，平均每轉(zhuǎn)移1mol 電子放熱190.0kJ，該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是               。

 

【答案】

【解析】略

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如圖所示．已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質(zhì)是一種常見的半導(dǎo)體材料；Z是
是同周期中非金屬性最強(qiáng)的元素．
（1）X位于元素周期表的位置
第三周期、IA族
第三周期、IA族
，X與硫元素形成的化合物的電子式為

（2）Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比，較穩(wěn)定的是
HCl
HCl
 （寫化學(xué)式）．理由為
氯元素的非金屬性強(qiáng)于溴元素，所以HCl比HBr穩(wěn)定
氯元素的非金屬性強(qiáng)于溴元素，所以HCl比HBr穩(wěn)定
．
（3）Y與Z形成的化合物硬度小、熔點(diǎn)低、沸點(diǎn)低，其晶體中有存在的作用力有
范德華力（或分子間作用力）極性共價(jià)鍵（或共價(jià)鍵）
范德華力（或分子間作用力）極性共價(jià)鍵（或共價(jià)鍵）

其分子屬于
非極性分子
非極性分子
（填極性分子、非極性分子），它和足量水反應(yīng)，有白色膠狀沉淀產(chǎn)生，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是
SiCl4+3H2O=H2SiO3↓+4HCl或SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl
SiCl4+3H2O=H2SiO3↓+4HCl或SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl
．
（4）在25°C、101kPa下，已知Y的氣態(tài)氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復(fù)至原狀態(tài)，平均每轉(zhuǎn)移1mol 電子放熱190.0kJ，該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是
SiH4（g）+2O2（g）=SiO2（s）+2H2O（l）△H=-1520.0kJ/mol
SiH4（g）+2O2（g）=SiO2（s）+2H2O（l）△H=-1520.0kJ/mol
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2011?安徽）W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示．已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質(zhì)是一種常見的半導(dǎo)體材料；Z的電負(fù)性在同周期主族元素中最大．
（1）X位于元素周期表中第
三
三
 周期第
ⅠA
ⅠA
 族；W的基態(tài)原子核外有
2
2
 個(gè)未成對(duì)電子．
（2）X的單質(zhì)和Y的單質(zhì)相比，熔點(diǎn)較高的是
Si
Si
（寫化學(xué)式）；Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比，較穩(wěn)定的是
HCl
HCl
 （寫化學(xué)式）．
（3）Y與Z形成的化合物和足量水反應(yīng)，生成一種弱酸和一種強(qiáng)酸，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是
SiCl4+3H2O═H2SiO3+4HCl
SiCl4+3H2O═H2SiO3+4HCl
．
（4）在25°C、101kPa下，已知Y的氣態(tài)化物在氧氣中完全燃燒后恢復(fù)至原狀態(tài)，平均每轉(zhuǎn)移1mol 電子放熱190.0kJ，該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是
SiH4（g）+2O2（g）
 點(diǎn)燃 
.
 
SiO2（s）+2H2O（l）△H=-1520kJ/mol
SiH4（g）+2O2（g）
 點(diǎn)燃 
.
 
SiO2（s）+2H2O（l）△H=-1520kJ/mol
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2013?濟(jì)寧一模）W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如圖．已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質(zhì)是一種常見的半導(dǎo)體材料；Z的非金屬性在同周期元素中最強(qiáng)，下列說法正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示．已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質(zhì)是一種常見的半導(dǎo)體材料；Z的電負(fù)性在同周期主族元素中最大．（以下答案的W、X、Y、Z必須用相應(yīng)的元素符號(hào)代替）
（1）X的原子結(jié)構(gòu)示意圖為
；W的基態(tài)原子核外有
2
2
個(gè)未成對(duì)電子．
（2）XZ與X2W都屬于
離子
離子
晶體（寫晶體類型）；其熔點(diǎn)較高的是
Na2O
Na2O
 （寫化學(xué)式），原因是
氯離子的半徑大于氧離子半徑，氧化鈉中核間距小且氧離子所帶電荷多，氧化鈉的晶格能大
氯離子的半徑大于氧離子半徑，氧化鈉中核間距小且氧離子所帶電荷多，氧化鈉的晶格能大
．
（3）YZ4和足量的水反應(yīng)，生成一種弱酸和一種強(qiáng)酸，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示．已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為14，中子數(shù)為7；X的離子與NH4+具有相同的質(zhì)子、電子數(shù)目； W與Y的氧化物均能導(dǎo)致酸雨的形成；Z的非金屬性在同周期主族元素中最強(qiáng)．
（1）Y在周期表中的位置是
 
．
（2）用電子式解釋X與W能形成化合物X3W的原因
 
．
（3）X3W遇水可釋放出使酚酞溶液變紅的氣體A，化學(xué)方程式是
 
．
（4）用惰性電極電解化合物XZ溶液從陰極釋放出氣體B，反應(yīng)的離子方程式是
 
．
（5）已知W的單質(zhì)與氣體B在一定條件下可形成氣體A，即：W2（g）+3B （g）?2A（g）△H=-92.4kJ?mol-1
在某溫度時(shí)，一個(gè)容積固定的密閉容器中，發(fā)生上述反應(yīng)．在不同時(shí)間測定的容器內(nèi)各物質(zhì)的濃度如下表：
時(shí)間 濃度（mol/L）
c（W2） c（B） c（A）
第0min 4.0 9.0 0
第10min 3.8 8.4 0.4
第20min 3.4 7.2 1.2
第30min 3.4 7.2 1.2
第40min 3.6 7.8 0.8
①W2的平均反應(yīng)速率v（0min～10min）/v（10min～20min）=
 
；
②反應(yīng)在第10min改變了反應(yīng)條件，改變的條件可能是
 
；
a．更新了催化劑   b．升高溫度   c．增大壓強(qiáng)   d．增加B的濃度
③若反應(yīng)從第30min末又發(fā)生了一次條件改變，改變的反應(yīng)條件可能是
 
；
a．更新了催化劑   b．升高溫度   c．增大壓強(qiáng)   d．減小A的濃度．

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