Question

圖表法、圖像法是常用的科學(xué)研究方法。

Ⅰ.圖(A)是短周期某主族元素X的電離能所示情況。則X元素位于周期表的第       族。
圖B是研究部分元素的氫化物的沸點(diǎn)變化規(guī)律的圖像,折線c可以表達(dá)出第       族元素氫化物的沸點(diǎn)的變化規(guī)律。
Ⅱ.下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。

試回答下列問題:
(1)請寫出元素o的外圍電子排布式:             。
(2)由j原子跟c原子以1∶1相互交替結(jié)合而形成的晶體,晶體類型與晶體j相同。兩者相比熔點(diǎn)更高的是       (填化學(xué)式),試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋:               。
(3)i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示,其晶胞特征如下圖乙所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示。

請回答:晶胞中i原子的配位數(shù)為           ,一個(gè)晶胞中i原子的數(shù)目為          ，該晶胞的空間利用率為         。

Answer 1

Ⅰ.ⅢA ⅣA
Ⅱ.(1)3d⁶4s²
(2)SiC 因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C—Si鍵鍵長比晶體Si中Si—Si鍵鍵長短,鍵能大,因而熔、沸點(diǎn)高
(3) 12   4     74%

試題分析：Ⅰ.圖(A)是短周期某主族元素X的電離能所示情況。由于X的第一、第二、第三電離能相差不大，說明該元素的原子最外層有三個(gè)電子。所以X元素位于周期表的第.ⅢA。圖B是研究部分元素的氫化物的沸點(diǎn)變化規(guī)律的圖像,由于折線c表示的物質(zhì)是相對分子質(zhì)量越大，物質(zhì)的沸點(diǎn)越高，符合結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)遞變規(guī)律，它可以表達(dá)出第ⅣA元素氫化物的沸點(diǎn)的變化規(guī)律。Ⅱ.（1） o表示的是26號元素Fe。其外圍電子排布式是: 3d⁶4s²．(2)由Si原子跟C原子以1∶1相互交替結(jié)合而形成的晶體,晶體類型與晶體Si相同，都屬于原子晶體。由于原子半徑Si>C。原子半徑越大。共價(jià)鍵的鍵長就越大，鍵能就越小，就越弱，斷裂就容易，熔沸點(diǎn)更低。所以兩者相比熔點(diǎn)更高的是SiC。(3)Al單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為面心立方堆積。在每個(gè)晶胞中與它距離相等且最近的Al原子由三個(gè)，通過每個(gè)Al原子可形成8個(gè)晶胞，由于每個(gè)Al原子都重復(fù)數(shù)了2次，所以Al原子的配位數(shù)為（3×8）÷2=12．在一個(gè)晶胞中Al原子的數(shù)目為8×1/8＋6×1/2=4；假設(shè)Al原子的半徑為R，則晶胞的邊長L=。晶胞的體積為L³=在一個(gè)晶胞中含有的4個(gè)Al原子的體積為。所以該晶胞的空間利用率為（÷）×100%=74%。