硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法,該制備過程示意如下:          

(1)焦炭在過程Ⅰ中作______劑。

(2)過程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學(xué)方程式是     。

(3)整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水。

①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應(yīng)的化學(xué)方程式是     

②干燥Cl2時(shí),從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入到濃H2SO4中。冷卻的作用是     。

(4)Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下:

反應(yīng)1:  400℃~756℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(l)   ΔH1 <0 

反應(yīng)2:  756℃~907℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH2 <0 

反應(yīng)3:  907℃~1410℃,SiCl4(g) + 2Zn(g)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH3 <0 

① 對于上述三個(gè)反應(yīng),下列說法合理的是_____。

a.升高溫度會提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b.還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行

c.增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4

② 實(shí)際制備過程選擇“反應(yīng)3”,選擇的理由是    

③ 已知Zn(l)=Zn(g)  ΔH = +116 KJ/mol 。若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%,每投入1mol SiCl4,“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出_____kJ的熱量。

(5)用硅制作太陽能電池時(shí),為減弱光在硅表面的反射,采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液。硅表面首先形成SiO2,最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6。用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程      。

 

【答案】

(1)還原劑(2分)

(2)2NaCl + 2H2O2NaOH + Cl2↑+ H2↑(2分)

(3)① SiCl4 + 2H2O = SiO2 + 4HCl (2分)

 ② 使水蒸氣冷凝,減少進(jìn)入濃硫酸的水量,保持持續(xù)的吸水性,并降低放出的熱量(2分)

(4) ① b c d(1分)

② 溫度高,反應(yīng)速率快;與前兩個(gè)反應(yīng)比較,更易于使硅分離,使化學(xué)平衡向右移動(dòng),提高轉(zhuǎn)化率。(2分)

 ③ 208.8 (1分)

(5) SiO2 +6HF = H2SiF6 + 2H2O (2分)

【解析】

試題分析:石英砂主要成分是SiO2,被碳還原為粗硅,與氯氣化合得到SiCl4,在被還原得高純硅。SiCl4水解生成的酸根據(jù)復(fù)分解原理,可推知為鹽酸;(4)①a、升高溫度,平衡逆向移動(dòng),降低SiCl4的轉(zhuǎn)化率,錯(cuò)誤;b、鋅做還原劑應(yīng)在無氧的條件下進(jìn)行,正確;c、增大壓強(qiáng),平衡正向移動(dòng),提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率,正確;d、Na、Mg的還原性強(qiáng),可以代替鋅,正確。③每投入1mol SiCl4,反應(yīng)2摩爾鋅,熱量為332kJ,利用率為90%,可計(jì)算出結(jié)果208.8kJ。

考點(diǎn):考查化學(xué)工藝流程、氧化還原反應(yīng)、方程式的書寫、蓋斯定律

 

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(1)焦炭在過程Ⅰ中作
還原
還原
劑.
(2)過程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學(xué)方程式是
2NaCl+2H2O
 通電 
.
 
2NaOH+Cl2↑+H2
2NaCl+2H2O
 通電 
.
 
2NaOH+Cl2↑+H2

(3)整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水.
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應(yīng)的化學(xué)方程式是
SiCl4+2H2O═SiO2+4HCl
SiCl4+2H2O═SiO2+4HCl

②干燥Cl2時(shí),從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入到濃H2SO4中.冷卻的作用是
使水蒸氣冷凝,減少進(jìn)入濃硫酸的水量保持持續(xù)的吸水性并降低放出的熱量
使水蒸氣冷凝,減少進(jìn)入濃硫酸的水量保持持續(xù)的吸水性并降低放出的熱量

(4)Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下:
反應(yīng)1:400℃~756℃,SiCl4(g)+2Zn(l)?Si(s)+2ZnCl2(l)△H1<0
反應(yīng)2:756℃~907℃,SiCl4(g)+2Zn(l)?Si(s)+2ZnCl2(g)△H2<0
反應(yīng)3:907℃~1410℃,SiCl4(g)+2Zn(g)?Si(s)+2ZnCl2(g)△H3<0
①對于上述三個(gè)反應(yīng),下列說法合理的是
bcd
bcd

a.升高溫度會提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b.還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行
c.增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
②實(shí)際制備過程選擇“反應(yīng)3”,選擇的理由是
溫度高反應(yīng)速率快;與前兩個(gè)反應(yīng)比較更易于使硅分離使化學(xué)平衡向右移動(dòng)提高轉(zhuǎn)化率
溫度高反應(yīng)速率快;與前兩個(gè)反應(yīng)比較更易于使硅分離使化學(xué)平衡向右移動(dòng)提高轉(zhuǎn)化率

③已知Zn(l)═Zn(g)△H=+116KJ/mol.若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%,每投入1mol SiCl4,“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出
208.8
208.8
kJ的熱量.
(5)用硅制作太陽能電池時(shí),為減弱光在硅表面的反射,采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層.腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液.硅表面首先形成SiO2,最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6.用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程
SiO2+6HF═H2SiF6+2H2O
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