【題目】化合物I(C11H12O3)是制備液晶材料的中間體之一,其分子中含有醛基和酯基。I可以用 E和 H 在一定條件下合成:
已知以下信息:①A 的核磁共振氫譜表明其只有一種化學(xué)環(huán)境的氫;
②R—CH=CH2 R— CH2CH2OH;
③ 化合物F苯環(huán)上的一氯代物只有兩種;
④ 通常在同一個碳原子上連有兩個羥基不穩(wěn)定,易脫水形成羰基。
請回答下列問題:
(1)A 所含官能團的名稱是 ____________ 。C→D 的反應(yīng)類型為 __________
(2)C 的名稱為 ___________ ,I的結(jié)構(gòu)筒式為 ___________ 。
(3)寫出 D→E 第①步反應(yīng)的化學(xué)方程式;________________ ;
(4)I的同系物J比I相對分子質(zhì)量小14,J的同分異構(gòu)體中能同時滿足如下條件:①苯環(huán)上只有兩個取代基,②既能發(fā)生銀鏡反應(yīng),又能與飽和NaHCO3溶液反應(yīng)放出CO2,共有_________種(不考慮立體異構(gòu))。J的一種同分異構(gòu)體發(fā)生銀鏡反應(yīng)并酸化后核磁共振氫譜為三組峰,且峰面積比為2:2:1,寫出J的這種同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式________。
【答案】氯原子 氧化反應(yīng) 2-甲基-1-丙醇 (CH3)2CHCHO+2Cu(OH)2+NaOH(CH3)2CHCOONa+3H2O+Cu2O↓ 18
【解析】
A的分子式為C4H9Cl,核磁共振氫譜表明其只有一種化學(xué)環(huán)境的氫,所以A的結(jié)構(gòu)簡式為(CH3)3CCl,比較A、B的分子式可知,A→B是消去反應(yīng),所以B是(CH3)2C=CH2,B→C是加成反應(yīng),根據(jù)提供的反應(yīng)信息,C是(CH3)2CHCH2OH;C→D是氧化反應(yīng),D是(CH3)2CHCHO,D→E是氧化反應(yīng),所以E是(CH3)2CHCOOH,F的分子式為C7H8O,苯環(huán)上的一氯代物只有兩種,所以F的結(jié)構(gòu)簡式為;在光照條件下與氯氣按物質(zhì)的量之比1:2反應(yīng),是對甲酚中的甲基中的2個H被Cl取代,因此G的結(jié)構(gòu)簡式為,G→H是水解反應(yīng),根據(jù)信息,應(yīng)該是-CHCl2變成-CHO,則H的結(jié)構(gòu)簡式為,H→I是酯化反應(yīng),I的結(jié)構(gòu)簡式為:,據(jù)此答題。
(1)A的結(jié)構(gòu)簡式為(CH3)3CCl,所含官能團的名稱是氯原子;根據(jù)分析,C→D 的反應(yīng)類型為氧化反應(yīng);
(2)C的結(jié)構(gòu)簡式為(CH3)2CHCH2OH,主鏈為3個碳,官能團為羥基,從離羥基最近的一端編號,1號碳上有一個羥基,2號碳上有一個甲基,名稱為2-甲基-1-丙醇;根據(jù)分析,I的結(jié)構(gòu)筒式為;
(3)D是(CH3)2CHCHO,D中的官能團名稱為醛基, D→E 第①步反應(yīng)是用新制的氫氧化銅檢驗醛基的反應(yīng),醛基被氧化,則化學(xué)方程式(CH3)2CHCHO+2Cu(OH)2+NaOH(CH3)2CHCOONa+3H2O+Cu2O↓;
(4)J是I的同系物,相對分子質(zhì)量小14,說明J比I少一個C原子,兩個取代基,既能發(fā)生銀鏡反應(yīng),又能和飽和NaHCO3溶液反應(yīng)放出CO2;官能團一個是羧基,一個醛基,則有機物的結(jié)構(gòu)為苯環(huán)與-COOH與-CH2CH2CHO組合,或-COOH與-CH(CH3)CHO組合,或-CH2COOH與-CH2CHO組合,或-CH2CH2COOH與-CHO組合,或-CH(CH3)COOH與-CHO組合,或HOOCCH(CHO)-與-CH3的組合,在苯環(huán)上,兩個取代基分別有鄰間對三個位置關(guān)系,則J的符合條件的同分異構(gòu)體共有18種,J的一種同分異構(gòu)體發(fā)生銀鏡反應(yīng)并酸化后核磁共振氫譜為三組峰,且峰面積比為2:2:1,J的這種同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式為。
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【題目】下列說法正確的是( )
A.探究“硫代硫酸鈉與酸反應(yīng)速率的影響因素”的實驗中,通過觀察產(chǎn)生氣體的快慢,來反映試劑反應(yīng)速率的大小,從而探究濃度溫度等外界條件對該反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率的影響
B.容量瓶、滴定管上都標(biāo)有使用溫度和“0”刻度;使用前水洗后滴定管還需潤洗,而容量瓶不需要潤洗
C.油脂皂化反應(yīng)后的反應(yīng)液中加入飽和食鹽水并攪拌后出現(xiàn)分層,則生成的高級脂肪酸鈉在下層
D.只用溶液就可鑒別出稀鹽酸、NaOH溶液、溶液、溶液
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【題目】A、B、C為短周期元素,在周期表中所處的位置如圖所示。
A | C | |
B |
A、C兩元素的原子核外電子數(shù)之和等于B原子的質(zhì)子數(shù)。
(1)寫出A、B元素的名稱 、 。
(2)B位于元素周期表中第 周期第 族。
(3)C的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 。
(4)寫出A的氣態(tài)氫化物與其最高價氧化物對應(yīng)的水化物反應(yīng)的化學(xué)方程式 。
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【題目】對于可逆反應(yīng):2SO2(g)+O2(g)2SO3(g),下列措施能使反應(yīng)物中活化分子百分數(shù)、化學(xué)反應(yīng)速率和化學(xué)平衡常數(shù)都變化的是( )
A. 增大壓強 B. 升高溫度 C. 使用催化劑 D. 多充O2
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【題目】下列關(guān)系不正確的是( )
A.等物質(zhì)的量的物質(zhì)燃燒耗O2量:乙烷>乙烯=乙醇>乙炔
B.熔點:MgO>CaO>硫磺>Br2
C.下列物質(zhì)的穩(wěn)定性:H2O>H2S>H2Se
D.電負性:N>O>Si>Mg
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【題目】常溫下,關(guān)于pH相同的氨水和氫氧化鈉溶液,下列說法正確的是( )
A.c(NaOH)>c(NH3·H2O)
B.c()=c(Na+)=c(OH-)
C.兩種溶液中水的電離程度相同
D.等體積的氨水和氫氧化鈉溶液分別與相同濃度的鹽酸完全中和時,消耗的鹽酸體積相同
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【題目】下列有關(guān)化學(xué)與生活、生產(chǎn)的敘述錯誤的是
A.推廣“低碳經(jīng)濟”,減少溫室氣體的排放
B.利用晶體硅制作的太陽能電池將太陽能直接轉(zhuǎn)化為電能
C.采用催化設(shè)施,將汽車尾氣中CO和NO轉(zhuǎn)化為無害氣體
D.推進小火力發(fā)電站的興建,緩解地方用電困難,促進地方經(jīng)濟的快速發(fā)展
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【題目】光刻技術(shù)需利用深紫外激光,我國是唯一掌握通過非線性光學(xué)晶體變頻來獲得深紫外激光技術(shù)的國家。目前唯一實用化的晶體是氟硼鈹酸鉀(KBeBF,含K、B、Be、O、F元素)。
回答下列問題:
(1)一群均處于激發(fā)態(tài)1s22s13s1的鈹原子,若都回到基態(tài),最多可發(fā)出___種波長不同的光。
A.1 B.2 C.3 D.4
(2)Be和B都容易與配體形成配位鍵,如[BeF4]-、[B(OH)4]-等,從原子結(jié)構(gòu)分析其原因是__。
(3)氟硼酸鉀是制備KBeBF的原料之一,高溫下分解為KF和BF3。KF的沸點比BF3的高,原因是___。
(4)BF3易水解得到H3BO3(硼酸)和氫氟酸。氫氟酸濃溶液中因F-與HF結(jié)合形成HF使酸性大大增強。HF的結(jié)構(gòu)式為___;H3BO3和BF中,B原子的雜化類型分別為___、__。
(5)KBeBF晶體為層片狀結(jié)構(gòu),圖1為其中一層的局部示意圖。平面六元環(huán)以B—O鍵和Be—O鍵交織相連,形成平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),每個Be都連接一個F,且F分別指向平面的上方或下方,K+分布在層間。KBeBF晶體的化學(xué)式為____。
(6)BeO晶體也是制備KBeBF的原料,圖2為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。
①沿著晶胞體對角線方向的投影,下列圖中能正確描述投影結(jié)果的是___。
②BeO晶胞中,O的堆積方式為____;設(shè)O與Be的最近距離為acm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則BeO晶體的密度為____g·cm-3。
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【題目】鐵、銅等金屬及其化合物在生產(chǎn)、生活中用途非常廣泛;卮鹣铝袉栴}:
(1)可用作抗震劑,通過下列反應(yīng)獲得:。
①基態(tài)原子核外電子排布式為________,其原子核外未成對電子數(shù)為________。
②與CO具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的陰離子是________(填化學(xué)式),CO分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為________,C、N、O三種元素第一電離能由小到大的順序為________。
(2)向含的溶液中滴加少量的溶液,溶液中生成紅色的,中心離子的配位數(shù)為________,配體是________,分子中O原子的雜化方式為________。
(3)一種含有Fe、Cu、S三種元素的化合物的晶胞如圖所示(晶胞底面為正方形),該化合物的化學(xué)式為________,若晶胞的底面邊長為,晶體的密度為,阿伏加德羅常數(shù)為,該晶胞的高為________。
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