下列物質(zhì)的熔點(diǎn)均按由高到低的排列，其原因是由于鍵能由大到小排列的是（    ）

A. 鋁、鈉、干冰

B. 金剛石、碳化硅、晶體硅

C. 碘化氫、溴化氫、氯化氫

D. 二氧化硅、二氧化碳、一氧化碳

 

【答案】

B

【解析】A中的干冰是CO2，形成的晶體是分子晶體，熔點(diǎn)與分子間作用力有關(guān)系，A不正確。同樣選項(xiàng)C和選項(xiàng)D中的CO都是分子晶體，選項(xiàng)B中都是原子晶體，熔點(diǎn)與共價(jià)鍵強(qiáng)弱有關(guān)系，答案選B。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2010?南昌一模）V、W、X、Y、Z五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，在周期表中，W、Z屬同一主族；X分別與W、Y相鄰；V與W，V與Z均可形成原子個(gè)數(shù)比為4：l的共價(jià)化合物．請(qǐng)回答下列問題：
（1）下列比較不正確的是：
D
D
；
A．原子半徑：Z＞W(wǎng)＞X＞Y＞V；
C．沸點(diǎn)：V2Y＞XV3＞W(wǎng)V4；
B．穩(wěn)定性：WV4＞ZV4；
D．熔點(diǎn)：WY2＞ZY2；
（2）WX一與X2屬等電子體（微粒電子數(shù)相同，結(jié)構(gòu)也相似），則WX一的電子式為：
；
（3）X與Z組成化合物ZnXb熔點(diǎn)高，硬度大，且每個(gè)原子皆達(dá)到8電子結(jié)構(gòu)，則化合物ZnXb的化學(xué)式為：
Si3N4
Si3N4
；其晶體熔化時(shí)，所破壞的微粒間相互作用是：
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
；
（4）工業(yè)上用W單質(zhì)與ZY2在高溫下，按物質(zhì)的量之比為3：1反應(yīng)，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：
3C+SiO2
 高溫 
.
 
SiC+2CO↑
3C+SiO2
 高溫 
.
 
SiC+2CO↑
；
（5）由WV4與Y2、KOH構(gòu)成燃料電池，放電時(shí)，正極區(qū)的pH變化是：
升高
升高
（填“升高”，“降低”或“不變”）

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科目：高中化學(xué) 來源：2012年魯科版高中化學(xué)選修3 3.2金屬晶體與離子晶體練習(xí)卷（解析版） 題型：選擇題

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)均按由高到低的排列，其原因是由于鍵能由大到小排列的是 （   ）

A．鋁、鈉、干冰

B．金剛石、碳化硅、晶體硅

C．碘化氫、溴化氫、氯化氫

D．二氧化硅、二氧化碳、一氧化碳

 

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)均按由高到低的排列，其原因是由于鍵能由大到小排列的是


  1. A.
    鋁、鈉、干冰
  2. B.
    金剛石、碳化硅、晶體硅
  3. C.
    碘化氫、溴化氫、氯化氫
  4. D.
    二氧化硅、二氧化碳、一氧化碳

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科目：高中化學(xué) 來源：2011-2012學(xué)年福建省上杭一中高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：單選題

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)均按由高到低的排列，其原因是由于鍵能由大到小排列的是（   ）

A．鋁、鈉、干冰
B．金剛石、碳化硅、晶體硅
C．碘化氫、溴化氫、氯化氫
D．二氧化硅、二氧化碳、一氧化碳

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