下列說法中,正確的是
A.H35Cl、H37Cl屬于同素異形體 |
B.16O與18O的中子數(shù)不同,核外電子排布卻相同 |
C.穩(wěn)定性:CH4>SiH4;還原性:HCl>H2S |
D.K+、Ca2+、Mg2+的離子半徑依次增大,還原性依次增強 |
B
解析試題分析:A、由同一種元素形成的不同單質互為同素異形體, H35Cl、H37Cl均是化合物,因此不可能屬于同素異形體,A不正確;
B、16O與18O互為同位素,質子數(shù)相同,核外電子數(shù)也相同,因此核外電子排布相同,但中子數(shù)不同, B正確;
C、非金屬性越強,氫化物的穩(wěn)定性越強。非金屬性是C強于Si,所以穩(wěn)定性是CH4>SiH4;非金屬性越強,相應陰離子的還原性越弱。非金屬性是Cl強于S,因此還原性是HCl<H2S,C不正確;
D、金屬性越強,相應陽離子的氧化性越弱,所以Mg2+、Ca2+、K+的離子半徑依次增大,氧化性依次減弱,D不正確,答案選B。
考點:考查原子核外電子排布以及元素周期律的應用等
科目:高中化學 來源: 題型:單選題
下列說法正確的是
A.金屬元素不可能形成含氧酸根離子 |
B.元素R的含氧酸的化學式是H2RO3,則其氣態(tài)氫化物的化學式就是RH4 |
C.金屬與非金屬元素分界線附近的元素是過渡元素 |
D.形成化合物種類最多的元素在IVA族 |
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科目:高中化學 來源: 題型:單選題
下表是元素周期表的一部分,請根據(jù)表中a~k對應元素,回答下列有關問題:
族 周期 | ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | 0 |
2 | | | | | a | | b | |
3 | c | d | e | f | | g | h | |
4 | J | | | | | | k | |
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科目:高中化學 來源: 題型:單選題
X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的同一短周期元素。X為金屬元素,X的單質能與冷水發(fā)生劇烈反應;Y的最外層電子數(shù)是核外電子層數(shù)的2倍,X與Y可形成化合物X2Y;Z單質為共用一對電子對的雙原子分子。下列說法不正確的是( )
A.Y2—的還原性較Z—強 |
B.Y的氫化物與X2Y所含化學鍵的類型相同 |
C.YO2與Z2均可作為漂白劑,但起漂白作用的原理不同 |
D.以石墨為電極電解XZ的水溶液,在陰極附近滴入酚酞可觀察到溶液顯紅色 |
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科目:高中化學 來源: 題型:單選題
Q、W、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的短周期元素,X的焰色反應呈黃色。Q元素
的原子最外層電子數(shù)是其內層電子數(shù)的2倍。W、Z最外層電子數(shù)相同,Z的核電荷數(shù)是W的2倍。元素Y的合金是日常生活中常用的金屬材料。下列說法正確的是
A.原子半徑的大小順序:rX> rY> rW> rQ |
B.元素Q和Z能形成QZ2型的共價化合物 |
C.工業(yè)上常用電解的方法制備X、Y的單質 |
D.X、Y的最高價氧化物的水化物之間不能反應 |
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科目:高中化學 來源: 題型:單選題
下列說法中,正確的是
A.I A族元素的金屬性比ⅡA族元素的金屬性強 |
B.ⅥA族元素的氫化物中,最穩(wěn)定的氫化物常溫時為無色液體 |
C.某主族元素X的氣態(tài)氫化物化學式為HX,則其最高正價為+7價 |
D.金屬元素的原子只有還原性,金屬陽離子只有氧化性 |
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科目:高中化學 來源: 題型:單選題
短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X和Z同主族,Y和W同主族,原子半徑X小于Y,四種元素原子最外層電子數(shù)之和為14。下列敘述正確的是
A.氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性:HnY>HnW |
B.同周期元素中W的最高價氧化物對應水化物的酸性最強 |
C.Y和X、Z和X組成的常見化合物中化學鍵的類型相同 |
D.原子半徑的大小順序: rW>rZ>rY>rX |
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科目:高中化學 來源: 題型:單選題
甲、乙、丙、丁為四種主族元素,甲元素與乙、丙、丁三種元素相鄰,甲、乙的原子序數(shù)之和等于丙的原子序數(shù);這四種元素原子的最外層電子數(shù)之和為20。下列判斷正確的是
A.原子半徑:丙>乙>甲>丁 |
B.氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:甲>丙 |
C.最高價氧化物對應的水化物的酸性:丁>甲 |
D.乙和甲或乙和丁所能形成的化合物都是劇毒物質 |
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科目:高中化學 來源: 題型:單選題
X是第三周期非金屬元素,該原子如果要達到8電子穩(wěn)定結構,需要的電子數(shù)小于其次外層和最內層的電子數(shù)之差,且等于最內層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是
A.X最高價氧化物對應的水化物不一定是強酸 |
B.X元素的氫化物化學式一定為H2X |
C.X的單質—定是良好的半導體材料 |
D.X元素的氧化物—定能與燒堿反應 |
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