【題目】實(shí)驗(yàn)室制備乙酸丁酯的裝置如圖所示,下列分析錯(cuò)誤的是
A. 加入過量乙酸可以提高丁醇的轉(zhuǎn)化率
B. 提純乙酸丁酯需要經(jīng)過水、氫氧化鈉溶液洗滌
C. 導(dǎo)氣管a起到冷凝回流的作用
D. 制乙酸丁酯的反應(yīng)溫度超過100℃不能用水浴加熱
【答案】B
【解析】
A.酯化反應(yīng)為可逆反應(yīng),增加乙酸的量,可使平衡向生成酯的方向移動(dòng),從而提高丁醇的轉(zhuǎn)化率,故A正確;
B.提純乙酸丁酯需使用碳酸鈉溶液,吸收未反應(yīng)的乙酸,溶解丁醇,降低乙酸丁酯的溶解度,如果用氫氧化鈉,會(huì)使乙酸丁酯水解,故B錯(cuò)誤;
C.乙酸和丁醇易揮發(fā),當(dāng)有易揮發(fā)的液體反應(yīng)物時(shí),為了避免反應(yīng)物損耗和充分利用原料,可通過在發(fā)生裝置安裝長(zhǎng)玻璃管或冷凝管等實(shí)現(xiàn),故C正確;
D.實(shí)驗(yàn)室制取乙酸丁酯的反應(yīng)溫度為115~125℃,而水浴加熱適合溫度低于100℃的反應(yīng),故D正確;
答案選B。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】TiC14是制備鈦及其化合物的重要中間體,某小組同學(xué)利用下列裝置在實(shí)驗(yàn)室制備TiCl4,設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)如下(夾持裝置略去):
已知:①PdC12溶液捕獲CO時(shí),生成金屬單質(zhì)和兩種酸性氣體化合物。
②
請(qǐng)回答下列問題:
(1)按照氣流由左到右的方向,上述裝置合理的連接順序?yàn)?/span>a→____→____→f→g→___→____→_____→_____→_____(填儀器接口字母)。
(2)根據(jù)完整的實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)步驟如下:檢查裝置氣密性后,裝入藥品;_____________(按正確的順序填入下列操作的序號(hào))。
①關(guān)閉分液漏斗活塞 ②打開分液漏斗活塞
③停止加熱,充分冷卻 ④加熱裝置D中陶瓷管
(3)裝置D中除生成TiCl4外,同時(shí)生成一種氣態(tài)不成鹽氧化物,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為________。
(4)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明裝置E中收集到的液體中含有TiCl4:__________________________。
(5)裝置F中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_____________。用其他方法也可代替裝置F,可以是______(寫出一種即可)。
(6)制得的TiC14產(chǎn)品中常含有少量CC14,從產(chǎn)品中分離出TiC14的操作名稱為_________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】已知298K時(shí),Ksp(NiS)=1.0×10-21,Ksp(NiCO3)=1.0×10-7 ;p(Ni)=-lg c(Ni2+),p(B)=-lg c(S2-)或-lg c(CO32-)。在含物質(zhì)的量濃度相同的Na2S和Na2CO3的混合溶液中滴加Ni(NO3)2溶液產(chǎn)生兩種沉淀,溶液中陽離子、陰離子濃度關(guān)系如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是( )
A. 對(duì)于曲線I,在b點(diǎn)加熱,b點(diǎn)向c點(diǎn)移動(dòng)
B. 常溫下NiCO3的溶解度大于NiS的溶解度
C. 向d點(diǎn)對(duì)應(yīng)的溶液中加入對(duì)應(yīng)陰離子的鈉鹽,d點(diǎn)向b點(diǎn)移動(dòng)
D. P為3.5且對(duì)應(yīng)的陰離子是CO32-
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】根皮素R()可應(yīng)用于面膜、護(hù)膚膏霜和精華素中。其中一種合成R的路線如下:
已知
①
②+R’’CHO+H2O
(1)A的化學(xué)名稱是___________,B→C的反應(yīng)類型是___________。
(2)D的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是___________,其核磁共振氫譜共有___________組峰。
(3)E→F的化學(xué)方程式為___________,G的官能團(tuán)的名稱是___________。
(4)G→H的化學(xué)方程式為______________________。
(5)M是F的同分異構(gòu)體,同時(shí)符合下列條件的M的結(jié)構(gòu)有___________種(不考慮立體異構(gòu))
①1能與FeCl3溶液發(fā)生顯色反應(yīng) ②能發(fā)生銀鏡反應(yīng)
(6)設(shè)計(jì)以丙烯和1,3-丙二醛為起始原料制備的合成路線___________(無機(jī)試劑任選)。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下列各項(xiàng)事實(shí)中,其中能說明HA是弱酸的是:
① 0.1 mol·L-1 HA溶液能使石蕊試液變紅色;
② 0.1 mol·L-1 NaA溶液能使酚酞試液變紅色;
③ 0.1 mol·L-1 HA溶液導(dǎo)電性比1.0 mol·L-1 鹽酸弱;
④ HA滴入NaHCO3溶液中產(chǎn)生氣泡;
⑤ 等體積的0.1 mol·L-1 HA溶液與0.1 mol·L-1 NaOH溶液恰好完全反應(yīng)。
A. ② B. ②③ C. ②③④ D. ①②③④⑤
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】氮化硅(Si3N4)耐高溫、硬度大,可用石英與焦炭在1400~1450℃的氮?dú)庵泻铣桑?/span>3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g)=Si3N4(s)+6CO(g)-Q(Q>0),在一定條件下,向10L密閉容器中加入反應(yīng)物,10min后達(dá)到平衡。完成下列問題:
(1)上述反應(yīng)所涉及的屬于第三周期的元素,其原子的最外層電子軌道表示式為______。其中一種元素的原子核外s電子數(shù)與p電子數(shù)相等,其原子的核外電子能量不同的有_____種。
(2)上述反應(yīng)混合物中的極性分子是______,寫出非極性分子的電子式________。分析用氮化硅制造軸承和發(fā)動(dòng)機(jī)中耐熱部件的原因是___________。
(3)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為__________。可以提高二氧化硅轉(zhuǎn)化率的措施是________(任寫一條),該措施對(duì)平衡常數(shù)的影響為__________(填“增大”、“減小”或“保持不變”)。
(4)測(cè)得平衡時(shí)固體質(zhì)量減少了5.6g,則用氮?dú)獗硎镜钠骄磻?yīng)速率為__________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】活性炭吸附法是工業(yè)提碘的主要方法之一。其流程如下:
完成下列問題:
(1)酸性條件下,NaNO2溶液只能將 I-氧化為I2,同時(shí)生成NO。寫出反應(yīng)①的離子方程式并標(biāo)出電子轉(zhuǎn)移的數(shù)目和方向______________。
(2)流程中I2碘經(jīng)過吸附,轉(zhuǎn)化為I-、IO3-再轉(zhuǎn)化為I2的過程,這樣做的目的是_______。
(3)反應(yīng)②發(fā)生時(shí),由于碘在水中溶解度不大,溶液底部有固體生成;由于反應(yīng)放熱,有時(shí)溶液上方產(chǎn)生_____(填顏色)的氣體。因此,反應(yīng)②需要在______條件下進(jìn)行。
(4)實(shí)驗(yàn)室從反應(yīng)②所得溶液提取碘,可加入CCl4_______(填操作名稱)碘,即把碘從水溶液中提取出來,并用________(填儀器名稱)分離兩種溶液。
(5)活性炭所吸附的I2也可以用NaHSO3將其轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>I-,該反應(yīng)的氧化產(chǎn)物為_______(填微粒符號(hào))。
已知NaHSO3溶液顯弱酸性,試從平衡的角度解釋原因____________。
向0.1mol/L的NaHSO3溶液中加入氨水至中性,請(qǐng)判斷:c(Na+)____c(SO32–)+ c(HSO3–)+ c(H2SO3)(填“>”、“<”或“=”)。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】如圖裝置在常溫下工作(溶液體積變化忽略不計(jì))。閉合K,燈泡發(fā)光。下列敘述中正確的是:
A. 當(dāng)電路中有0.06 mol電子轉(zhuǎn)移時(shí),乙燒杯中溶液c(H+) 約為0.1 mol · L-1
B. 乙池中的還原產(chǎn)物為SO42-
C. 電池工作時(shí),甲燒杯中溶液的pH逐漸增大
D. 電池工作時(shí),鹽橋中的K+移向乙燒杯,外電路的電流方向是從b到a
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】硫及其化合物有許多用途。請(qǐng)回答下列問題。
(1)基態(tài)硫離子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為___________,其電子填充的最高能級(jí)的軌道數(shù)為___________。
(2)常見含硫的物質(zhì)有單質(zhì)硫(S8)、SO2、Na2S、K2S等,四種物質(zhì)的熔點(diǎn)由高到低的順序依次為___________,原因是___________。
(3)方鉛礦(即硫化鉛)是一種比較常見的礦物,酸溶反應(yīng)為:PbS+4HCl(濃)=H2[PbCl4]+H2S↑,則H2[PbCl4]中配位原子是_________,第一電離能I1(Cl)___________I1(S)(填“>”、“<”或¨=”),H2S中硫的雜化方式為_______,下列分子空間的構(gòu)型與H2S相同的有___________。
A.H2O B.SO3 C.O3 D.CH4
(4)方鉛礦的立方晶胞如圖所示,硫離子采取面心立方堆積,鉛離子填在由硫離子形成的___________空隙中。已知晶體密度為ρg·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶胞中硫離子與鉛離子最近的距離為___________nm。
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