Question

【化學-選修3:物質結構與性質】

I .已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中前四周期且原子序數依次增大的六種元素。其中A、B、C、D核電荷數之和為36, A、C原子的最外層電子數之和等于B原子的次外層電子數，D原子質子數為B原子質子數的兩倍，E元素所在主族均為金屬，F的價電子數 與C的核電荷數相等。

(1)下列關于上述幾種元素的說法正確的是 。

a．B、C、D的原子半徑由大到小的順序為:D>C>B

B．E、F的最外層電子數相等

c．A、B、C、D四種元素中電負性和第一電離能最大的均為B

d．B與C形成的化合物中可能含有非極性鍵

e.A、C、F位于周期表的s區(qū)

(2)B單質有兩種同素異形體。其中在水中溶解度較大的是 (填化學式），原因是 。

(3)EA2和A2B熔點較高的是 (填化學式）,原因是 。

(4)D與B可以形成兩種分子，其中DB2分子中心原子的雜化類型是 。

下列分子或離子中與DB3結構相似的是 。

a．NH3 B．SO32- C． NO3- D． PCl3

(5)已知B、F能形成兩種化合物，其晶胞如圖所示。則高溫時甲易轉化為乙的原因為 。

若乙晶體密度為pg/cm3，則乙晶胞的晶胞參數為a = nm。

Ⅱ.金屬在化工生產及日常生活中有著廣泛的應用，如鐵、鉻、鎵等在現代工業(yè)中備受青睞。

(1)鉻是一種硬而脆、抗腐蝕性強的金屬，常用于電鍍和制造特種鋼�；鶓B(tài)Cr原子中，未成對電子數有 個, Cr3+的價電子排布式為 。

(2) Zn與Ga的第一電離能從大到小的順序為 。

(3)鎵與第VA族元素可形成多種新型人工半導體材料， 砷化鎵(GaAs)就是其中一種，其晶體結構如右圖所示（白色球代表原子）。在GaAs晶體中，距離每個Ga原子最近的As原子有 個，距離每個As原子最近的As原子有 個。

（4）與As同主族的短周期元素是N、P，AsH3 空間構型為 ；一定壓強下將AsH3和NH3、PH3的混合氣體降溫時首先液化的是 ，理由是 。

(5）鐵的多種化合物均為磁性材料，氮化鐵是其中一種，某氮化鐵的晶胞結構如下圖所示，則氮化鐵的化學為 ；設晶胞邊長為acm，阿伏加德羅常數為，該晶體的密度為 g•cm-3(用含a和NA的式子表示）。

Answer 1