Question

（6分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的化學(xué)鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：

化學(xué)鍵	Si-O	Si-Cl	H-H	H-Cl	Si-Si	Si-C
鍵能/KJ.mol-1	460	360	436	431	176	347

（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”“<”）
SiC_______Si;   SiCl₄_______SiO₂
（2）能否根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si晶體和化合物SiCl₄的熔點(diǎn)高低？    （填“能”或“不能”）原因是：                            
（3）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。篠iCl₄（g）+2H₂（g）Si(s)+4HCl(g)，計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為                  。

Answer 1

（1） SiC>Si    SiCl₄ <SiO₂  
（2）不能、物質(zhì)的熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)微粒間作用力決定，Si晶體是原子晶體，微粒間作用力是共價(jià)鍵，SiCl₄是分子晶體，微粒間作用力是分子間作用力比共價(jià)鍵弱
（3）△H為+236KJ/mol  

（1）SiC、Si均為原子晶體，熔點(diǎn)高低決定與鍵能的大小，前者的共價(jià)鍵為Si—C，后為Si—Si，由于硅原子的半徑大于碳原子半徑，故前者的鍵長小，鍵能相對大，SiC的熔點(diǎn)相對高；
SiCl₄、SiO₂分別為分子晶體與原子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)一般較低，而原子晶體的熔點(diǎn)一般特別高，故前者熔點(diǎn)低于后者
（2）不能，物質(zhì)的熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)微粒間作用力決定，Si晶體是原子晶體，微粒間作用力是共價(jià)鍵，SiCl₄是分子晶體，微粒間作用力是分子間作用力，比共價(jià)鍵弱
（3）△H=反應(yīng)物化學(xué)鍵的鍵能之和—生成物化學(xué)鍵能之和=4×360+2×436—2×176－4×431=+236KJ/mol